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IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640S Siliconix sihf640s.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+ 1.34 EUR
70+ 1.03 EUR
74+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+ 1.34 EUR
70+ 1.03 EUR
74+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 4625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+ 2.32 EUR
100+ 2.04 EUR
1000+ 1.97 EUR
2000+ 1.94 EUR
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
50+ 2.8 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.74 EUR
95+ 1.6 EUR
106+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.65 EUR
104+ 1.45 EUR
110+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.65 EUR
104+ 1.45 EUR
110+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
10+ 2.9 EUR
100+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+ 2.75 EUR
100+ 2.34 EUR
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
10+ 4.07 EUR
100+ 3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Vishay Semiconductors sihf640s.pdf MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+ 3.01 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.34 EUR
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.16 EUR
79+ 1.91 EUR
80+ 1.83 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Vishay sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.16 EUR
79+ 1.91 EUR
80+ 1.83 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRF641 IRF641 Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 14411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 173
IRF642 IRF642 Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 6133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
342+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 342
IRF642R IRF642R Harris Corporation HRISD017-4-326.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
342+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 342
IRF643 IRF643 Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 346
IRF644 IRF644 Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 25804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 151
IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF644B-D.PDF Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 151
IRF644B-FP001 ONSEMI IRF644B-D.PDF Description: ONSEMI - IRF644B-FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1470 Stücke:
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72+1 EUR
80+ 0.9 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1300 Stücke:
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7+2.73 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET
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2+2.62 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 180 Stücke:
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94+1.66 EUR
143+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF644PBF IRF644PBF Vishay sihf644.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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121+1.3 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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64+2.45 EUR
144+ 1.05 EUR
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IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 968 Stücke:
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7+2.73 EUR
50+ 2.2 EUR
100+ 1.81 EUR
500+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91039.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET
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2+2.59 EUR
10+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 817 Stücke:
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48+3.27 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.82 EUR
250+ 2.63 EUR
500+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 VISHAY 3204809.pdf Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 817 Stücke:
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IRF644S Siliconix N-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
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50+5.71 EUR
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IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY IRF644S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.54 EUR
52+ 1.4 EUR
64+ 1.13 EUR
68+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY IRF644S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
52+ 1.4 EUR
64+ 1.13 EUR
68+ 1.06 EUR
1000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
50+ 4.51 EUR
100+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 3.7 EUR
100+ 3.29 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.75 EUR
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.98 EUR
58+ 2.62 EUR
64+ 2.29 EUR
100+ 2.02 EUR
250+ 1.92 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.14 EUR
54+ 2.84 EUR
57+ 2.55 EUR
100+ 2.31 EUR
250+ 2.2 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.7 EUR
64+ 2.37 EUR
100+ 2.1 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.14 EUR
54+ 2.84 EUR
57+ 2.55 EUR
100+ 2.31 EUR
250+ 2.2 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.1 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 2.83 EUR
800+ 2.75 EUR
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
10+ 5 EUR
100+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF640PBF-BE3 VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640S description sihf640s.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.49 EUR
54+ 1.34 EUR
70+ 1.03 EUR
74+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 130W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.49 EUR
54+ 1.34 EUR
70+ 1.03 EUR
74+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 4625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.15 EUR
10+ 2.32 EUR
100+ 2.04 EUR
1000+ 1.97 EUR
2000+ 1.94 EUR
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.48 EUR
50+ 2.8 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
90+1.74 EUR
95+ 1.6 EUR
106+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
95+1.65 EUR
104+ 1.45 EUR
110+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF640SPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
95+1.65 EUR
104+ 1.45 EUR
110+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.48 EUR
10+ 2.9 EUR
100+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.33 EUR
10+ 2.75 EUR
100+ 2.34 EUR
IRF640STRLPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640STRLPBF VISH-S-A0010924856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
IRF640STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.91 EUR
10+ 4.07 EUR
100+ 3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
IRF640STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.63 EUR
10+ 3.01 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.34 EUR
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
IRF640STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
73+2.16 EUR
79+ 1.91 EUR
80+ 1.83 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
IRF640STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
73+2.16 EUR
79+ 1.91 EUR
80+ 1.83 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRF641 HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF641
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 14411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
173+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 173
IRF642 HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF642
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 6133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
342+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 342
IRF642R HRISD017-4-326.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF642R
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
342+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 342
IRF643 HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF643
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
346+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 346
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF644
Hersteller: Harris Corporation
Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 25804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
151+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 151
IRF644B-FP001 IRF644B-D.PDF
IRF644B-FP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
151+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 151
IRF644B-FP001 IRF644B-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF644B-FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644PBF IRF644PBF.pdf
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
80+ 0.9 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF644PBF IRF644PBF.pdf
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
80+ 0.9 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.73 EUR
50+ 2.2 EUR
100+ 1.81 EUR
500+ 1.53 EUR
1000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.62 EUR
10+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
94+1.66 EUR
143+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF644PBF sihf644.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
94+1.66 EUR
143+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
121+1.3 EUR
176+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 121
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
144+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 144
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
177+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 177
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
64+2.45 EUR
144+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.73 EUR
50+ 2.2 EUR
100+ 1.81 EUR
500+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V N-CH HEXFET
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.59 EUR
10+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+3.27 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.82 EUR
250+ 2.63 EUR
500+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRF644PBF-BE3 3204809.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.54 EUR
52+ 1.4 EUR
64+ 1.13 EUR
68+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IRF644SPBF IRF644S.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.54 EUR
52+ 1.4 EUR
64+ 1.13 EUR
68+ 1.06 EUR
1000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.68 EUR
50+ 4.51 EUR
100+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.03 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 3.7 EUR
100+ 3.29 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.75 EUR
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+2.98 EUR
58+ 2.62 EUR
64+ 2.29 EUR
100+ 2.02 EUR
250+ 1.92 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.14 EUR
54+ 2.84 EUR
57+ 2.55 EUR
100+ 2.31 EUR
250+ 2.2 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+2.7 EUR
64+ 2.37 EUR
100+ 2.1 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.14 EUR
54+ 2.84 EUR
57+ 2.55 EUR
100+ 2.31 EUR
250+ 2.2 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF644SPBF VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.1 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 2.83 EUR
800+ 2.75 EUR
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+5.95 EUR
10+ 5 EUR
100+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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