Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4520/85
Montage: THT

Transistoren > MOSFET N-CH

Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/210
Montage: THT

Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/210
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/190
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/190
Bemerkung: 200
Montage: THT

Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3415 IRFP3415TR IRFP3415 TIRFP3415
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 16A 400V 180W 0.3Ω IRFP350 TIRFP350
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: IR
2002 TO-247

Hersteller: IR
TO-3PL

Hersteller: IR

Hersteller: IR
08+;

Hersteller: IR
09+

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 87, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 190, Rds = 0,025 @ 28 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: Vishay Siliconix
SiHFP360LC-E3 IRFP360LCPBF TO-247AC Транзистори

Transistoren > MOSFET N-CH

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,4 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 32 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5280/190
Montage: THT

Transistoren > MOSFET N-CH

Transistoren > MOSFET N-CH

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Hersteller: TI/BB
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT

Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8250/209
Montage: THT

Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори

Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 120 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6540 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: International Rectifier
TO-247AC Транзистори

Транзистори

Hersteller: International Rectifier
Транзистори

Hersteller: International Rectifier
(MFET,N-CH,150W,400V,11A,TO-247AC) Транзистори

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, P=190W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 200 мOм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4500 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: Vishay Siliconix
IRFP360PBF : SiHFP360-E3 IRFP360PBF TO-247AC Транзистори

Hersteller: International Rectifier
TO-247 Транзистори

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Id = 57, Ptot, Вт = 180, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 190, Rds = 0,025 Ом @ 28 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 В,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R, P=200W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: International Rectifier
Транзистори

Hersteller: International Rectifier
N-ch, MOSFET100V, 51A,RDS=0.028, TO-247 Транзистори

Hersteller: IR
Транзистор IRFP32N50K, Виробник: IR   Транзистори польові

Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO247AC Udss=400V; Id=23A; Pdmax=280W; Rds=0,2 Ohm   Транзистори польові

Hersteller: IR
MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-247AC-3 23A   Транзистори польові

Hersteller: Vishay Siliconix
SiHFP31N50L-E3 IRFP31N50LPBF Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A),TO247 Транзистори