Produkte > SHINDENGEN > Alle Produkte des Herstellers SHINDENGEN (3436) > Seite 38 nach 58
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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P32B12SN-5071 | SHINDENGEN | P32B12SN-5071 SMD N channel transistors |
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P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P32F12SN-5600 | Shindengen |
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P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar On-state resistance: 40mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 150V Case: FG (TO263AB) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 72nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar On-state resistance: 40mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 150V Case: FG (TO263AB) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 72nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 100V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Drain-source voltage: 100V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P32LF10SLK-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SLK-5071 SMD N channel transistors |
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P32LF10SN-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SN-5071 SMD N channel transistors |
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P32LF10SNK-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SNK-5071 SMD N channel transistors |
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P33LF6QLKD-5071 | SHINDENGEN | P33LF6QLKD-5071 SMD N channel transistors |
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P33LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN | P33LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors |
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P34F6EL-5600 | Shindengen |
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P34F6EL-5600 | SHINDENGEN | P34F6EL-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P36F28HP2-5600 | Shindengen |
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P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P38LF6QL-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QL-5071 SMD N channel transistors |
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P38LF6QLK-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QLK-5071 SMD N channel transistors |
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P38LF6QN-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QN-5071 SMD N channel transistors |
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P38LF6QNK-5071 | SHINDENGEN | P38LF6QNK-5071 SMD N channel transistors |
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P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN | P39LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors |
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P3B28HP2-5071 | SHINDENGEN | P3B28HP2-5071 SMD N channel transistors |
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P3F60HP2-5600 | Shindengen |
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auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40F12SN-5600 | Shindengen |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN | P40F12SN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Drain-source voltage: 120V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 160A |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Drain-source voltage: 120V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 102nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 160A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40LF12SLK-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SLK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P40LF12SNK-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SNK-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P41LF4QTKD-5071 | SHINDENGEN | P41LF4QTKD-5071 SMD N channel transistors |
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P42F6EN-5600 | Shindengen |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
P42F6EN-5600 | SHINDENGEN | P42F6EN-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Drain-source voltage: 75V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 138A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Drain-source voltage: 75V Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 138A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SLK-5071 | SHINDENGEN | P46LF7R5SLK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SN-5071 | SHINDENGEN | P46LF7R5SN-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P46LF7R5SNK-5071 | SHINDENGEN | P46LF7R5SNK-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B40HP2-5071 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P4B60HP2F-5071 | SHINDENGEN | P4B60HP2F-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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P4F60HP2-5600 | Shindengen |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
P4F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P4F60HP2-5600 THT N channel transistors |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Power dissipation: 79W Gate charge: 21nC Pulsed drain current: 12A |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Power dissipation: 79W Gate charge: 21nC Pulsed drain current: 12A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P50B4EA-5071 | SHINDENGEN | P50B4EA-5071 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P50B6EA-5071 | SHINDENGEN | P50B6EA-5071 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
P32B12SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32B12SN-5071 SMD N channel transistors
P32B12SN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P32F12SN-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.43 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P32F12SN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P32F12SN-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P32FG15SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.9 EUR |
P32FG15SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 150V
Case: FG (TO263AB)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.9 EUR |
P32LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 0.89 EUR |
P32LF10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 0.89 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
P32LF10SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SLK-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P32LF10SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SN-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P32LF10SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P32LF10SNK-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P33LF6QLKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P33LF6QLKD-5071 SMD N channel transistors
P33LF6QLKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P33LF6QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P33LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
P33LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P34F6EL-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P34F6EL-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 1.24 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
P36F25HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
P36F28HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P36F28HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.73 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
P38LF6QL-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QL-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QL-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P38LF6QLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P38LF6QN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QN-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P38LF6QNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P38LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
P38LF6QNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P39LF6QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P39LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
P39LF6QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P3B28HP2-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P3B28HP2-5071 SMD N channel transistors
P3B28HP2-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P3F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.84 EUR |
10+ | 2.66 EUR |
100+ | 2.09 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
1000+ | 1.51 EUR |
2500+ | 1.44 EUR |
5000+ | 1.43 EUR |
P3F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.02 EUR |
86+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 0.83 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
500+ | 0.58 EUR |
P40B10SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 0.83 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
500+ | 0.58 EUR |
P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.1 EUR |
102+ | 0.71 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
P40B10SN-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.1 EUR |
102+ | 0.71 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
P40B6SL-5071 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.58 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
158+ | 0.45 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
P40B6SL-5071 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 0.58 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
158+ | 0.45 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
P40F10SN-5600 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P40F10SN-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
P40F12SN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P40F12SN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40F12SN-5600 THT N channel transistors
P40F12SN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.8 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
P40LF12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
P40LF12SL-5071 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 120V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
P40LF12SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SLK-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P40LF12SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.43 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
P40LF12SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P40LF12SNK-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P41LF4QTKD-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P41LF4QTKD-5071 SMD N channel transistors
P41LF4QTKD-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P42F6EN-5600 |
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Hersteller: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P42F6EN-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
P46LF7R5SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SL-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 75V
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 138A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SLK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P46LF7R5SLK-5071 SMD N channel transistors
P46LF7R5SLK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SN-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P46LF7R5SN-5071 SMD N channel transistors
P46LF7R5SN-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P46LF7R5SNK-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P46LF7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
P46LF7R5SNK-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B40HP2-5071 |
![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4B60HP2F-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4B60HP2F-5071 SMD N channel transistors
P4B60HP2F-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4F60HP2-5600 |
![]() |
Hersteller: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P4F60HP2-5600 |
Hersteller: SHINDENGEN
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
P4F90VX3-5600 |
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Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 12A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 12A
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
100+ | 0.79 EUR |
P4F90VX3-5600 |
![]() ![]() |
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
100+ | 0.79 EUR |
P50B4EA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P50B4EA-5071 SMD N channel transistors
P50B4EA-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
P50B6EA-5071 |
Hersteller: SHINDENGEN
P50B6EA-5071 SMD N channel transistors
P50B6EA-5071 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH