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STGW25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
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STGW25M120DF3 STMicroelectronics STGW25M120DF3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Collector current: 25A
Gate charge: 85nC
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF STMicroelectronics STGW28IH125DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgw30h60dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
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STGW30H65FB STMicroelectronics stgw30h65fb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
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STGW30M65DF2 STMicroelectronics STGW30M65DF2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC120HD STGW30NC120HD STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30NC60VD STMicroelectronics en.CD00152202.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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auf Bestellung 173 Stücke:
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STGW30V60DF STGW30V60DF STMicroelectronics STGW30V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
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STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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auf Bestellung 96 Stücke:
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STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H60DLFB STMicroelectronics en.DM00079511.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
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STGW40H65DFB STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00269316.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40M120DF3 STMicroelectronics STGW40M120DF3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40V60F STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics en.DM00079448.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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11+6.92 EUR
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17+ 4.42 EUR
3000+ 4.29 EUR
9000+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00298799.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60H65DRF STMicroelectronics en.DM00039960.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 420W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 217nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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9+8.11 EUR
11+ 6.92 EUR
15+ 5.02 EUR
16+ 4.73 EUR
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STGW60V60F STMicroelectronics stgw60v60f.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+ 7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STGW75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
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STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgw80h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.1 EUR
10+ 7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics en.DM00213377.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
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STGW8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics stgwa100h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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22+ 3.3 EUR
23+ 3.13 EUR
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STGWA15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA15M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113752.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA15S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116910.pdf STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics stgwa20h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA20HP65FB2 STMicroelectronics stgwa20hp65fb2.pdf STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF STMicroelectronics stgwa20ih65df.pdf STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00245493.pdf STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA25IH135DF2 STMicroelectronics stgwa25ih135df2.pdf STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 STMicroelectronics STGWA25M120DF3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 375W
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Case: TO247-3
Mounting: THT
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STGWA25S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116918.pdf STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics STGWA30H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics en.DM00673147.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
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STGWA30HP65FB2 STMicroelectronics stgwa30hp65fb2.pdf STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF STMicroelectronics stgwa30ih65df.pdf STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 STMicroelectronics stgwa35ih135df2.pdf STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 468W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate charge: 158nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate charge: 158nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40H65DFB STMicroelectronics stgwa40h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW25H120F2 en.DM00109190.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW25M120DF3 STGW25M120DF3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Collector current: 25A
Gate charge: 85nC
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF.pdf
STGW28IH125DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30H60DFB stgw30h60dfb.pdf
STGW30H60DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30H65FB stgw30h65fb.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30M65DF2 STGW30M65DF2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC120HD STGW30NC120HD.pdf
STGW30NC120HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD.pdf
STGW30NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC60VD en.CD00152202.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD-dte.pdf
STGW30NC60WD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30V60DF STGW30V60DF.pdf
STGW30V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
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STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H120F2 en.DM00106123.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H60DLFB en.DM00079511.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H65DFB-4 en.DM00269316.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40H65FB en.DM00093857.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40M120DF3 STGW40M120DF3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40V60DF stgw40v60df.pdf
STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW40V60F en.DM00086251.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW50H65DFB2-4 stgw50h65dfb2-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60H65DFB en.DM00079448.pdf
STGW60H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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11+6.92 EUR
12+ 6.23 EUR
16+ 4.68 EUR
17+ 4.42 EUR
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9000+ 4.26 EUR
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STGW60H65DFB-4 en.DM00298799.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60H65DRF en.DM00039960.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 420W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 217nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60H65FB en.DM00094070.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW60V60DF STGW60V60DF.pdf
STGW60V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW60V60F stgw60v60f.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
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STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
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STGW75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
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STGW80H65DFB stgw80h65dfb.pdf
STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW80H65DFB-4 en.DM00213377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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STGW80V60DF en.DM00079438.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
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STGW8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA100H65DFB2 stgwa100h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
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STGWA15H120DF2 en.DM00066773.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA15H120F2 en.DM00109377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA15M120DF3 en.DM00113752.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Case: TO247-3
Mounting: THT
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STGWA15S120DF3 en.DM00116910.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA15S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA20H65DFB2 stgwa20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
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STGWA20HP65FB2 stgwa20hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF stgwa20ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA25IH135DF2 stgwa25ih135df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3.pdf
STGWA25M120DF3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 375W
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Case: TO247-3
Mounting: THT
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STGWA25S120DF3 en.DM00116918.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB.pdf
STGWA30H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA30H65DFB2 en.DM00673147.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA30HP65FB2 stgwa30hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF stgwa30ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 stgwa35ih135df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 468W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate charge: 158nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40H120F2 en.DM00106123.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate charge: 158nC
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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