Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (127265) > Seite 1132 nach 2122
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| M27C512-12F1 | STMicroelectronics |
Пам'ять EPROM з УФ-стиранням, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 120 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 13 Stücke |
verfügbar 97 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M27C512-15F6 | STMicroelectronics |
Память ПЗУ с УФ-стиранием (64K x 8bit, 150ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M27C64A-10F1 | STMicroelectronics |
Память ПЗУ с УФ-стиранием (8K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M27C64A-20F6 | STMicroelectronics |
Память ПЗУ с УФ-стиранием (8K x 8bit, 200ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M27C800-100F1 | STMicroelectronics |
Пам'ять EPROM, Uживл, В = 5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 50 нс, Тексп, °С = -40...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 89 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M27C801-100F1 | STMicroelectronics |
Память ПЗУ с УФ-стиранием (1M x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13.0V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-32W Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M27C801-100F1 | STMicroelectronics |
Пам'ять EPROM, Uживл, В = 4.5....5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-32W Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 12 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TMS27C512-10JL | STMicroelectronics | Память ПЗУ с УФ-стиранием 64Кх8 , 100ns... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M68AF031AL70B1U | STMicroelectronics | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AM29F800BT-55EF | STMicroelectronics |
Память FLASH 8 Mbit Boot Block , top T=55ns , t=-40...+85 C , Vcc=2.7 to 3.6 V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 92 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M29F010B70K6 | STMicroelectronics | Память FLASH 1 Mbit (128Kb x8), Uniform Block , T=70ns , t=-40...+85 C , Vcc=5V±10%... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M29F010B70K6E | STMicroelectronics | Память FLASH 1 Mbit (128Kb x8), Uniform Block , T=70ns , t=-40...+85 C , Vcc=5V±10%... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M29F032D70N6E | STMicroelectronics |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 4.5...5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 32 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-40 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 13 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M29F400BB70N1 | STMicroelectronics |
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 96 Stücke |
verfügbar 26 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M29W320DB70N6E | STMicroelectronics |
Память (32 Mbit (32M (4Mx8 or 2Mx16)¶, Page, Boot Block), T=70ns , Vcc=2.7 to 3.6 V, T=-40...+85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NAND04GW3B2BN6E | STMicroelectronics |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NAND08GW3B2CN6E | STMicroelectronics |
Память Nand FLASH 8GBIT 48-TSOP... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PSD4256G6V-10UI | STMicroelectronics |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-80 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 119 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA2003AV | STMicroelectronics |
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 47 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA2009A | STMicroelectronics |
2-канальний аудіопідсилювач, Fmax = 80 кГц, Po, Вт = 12,5 х 2 @ 4 Ом, Uживл, В = 8...28, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,2, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-11 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
TDA2030AV | STMicroelectronics |
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 18 х 1 @ 4 Ом, Uживл, В = 12...44, ±6...22, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,5, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TDA2822D013TR | STMicroelectronics |
Аудіопідсилювач, Uживл, В = 1,8...15, Клас підсил. = AB, Р, Вт = 1, 0,38, Тексп, °C = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7263M | STMicroelectronics |
Аудио усилитель... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: ...... Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7266 | STMicroelectronics |
2-канальний аудіопідсилювач, Po, Вт = 7 x 2 @ 8 Ом, Uживл, В = 3...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: 10Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 26 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7266D | STMicroelectronics |
2-канальний аудіопідсилювач, Uживл, В = 3,5...12, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Р, Вт = 5 x 2 @ 8 Ом Вт, Тексп, °C = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSOIC-20 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 31 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7267 | STMicroelectronics |
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 2 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = 4,5...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7294V | STMicroelectronics |
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 100 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = ±10...40, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7360 | STMicroelectronics |
Микросхема IC AMP AUDIO PWR 22W MULTIWATT11, Po,Вт 22W x 1 @ 3.2 Ohm, , THD,% xx, Vcc,В 8 V ~ 18 V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7496L | STMicroelectronics |
Усилитель стерео class AB, 2W+2W AMPLIFIER WITH DC VOLUME CONTROL, POWERDIP (14+3+3) PACKAGE... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERDIP (14+3+3) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 20 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TDA7498MVTR | STMicroelectronics |
одноканальний підсилювач (моно), Uживл, В = 14-39, Р, Вт = 100,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerSSO-36 EPU Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 20 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24128-BWMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24256-BWMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24256-BWMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24512-DFMC6TG | STMicroelectronics |
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (ExpAnzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24512-WMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 6 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24512-WMW6TG | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C02-WDW6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C02-WMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C04-WMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C16-RMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C16-WBN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C16-WMN6 | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C32-RMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C64-RMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24C64-WMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24M01-RMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M24M01-RMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C46-MN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 45 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C46-WMN6 | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C46-WMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C56-BN6 | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 33 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C56-WMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C66-WMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C86-WBN6 | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93C86-WMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M93С46-BN6 | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M95256-WMN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M95256-WMN6T | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M95256-WMW6G | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 90 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M95512-WDW6TP | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| M27C512-12F1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Пам'ять EPROM з УФ-стиранням, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 120 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 13 Stücke
Пам'ять EPROM з УФ-стиранням, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 120 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 13 Stücke
verfügbar 97 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M27C512-15F6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием (64K x 8bit, 150ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием (64K x 8bit, 150ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M27C64A-10F1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием (8K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием (8K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M27C64A-20F6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием (8K x 8bit, 200ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием (8K x 8bit, 200ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.25-12.75V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-28W Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M27C800-100F1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Пам'ять EPROM, Uживл, В = 5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 50 нс, Тексп, °С = -40...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Пам'ять EPROM, Uживл, В = 5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 50 нс, Тексп, °С = -40...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-42W Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 89 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M27C801-100F1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием (1M x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13.0V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-32W Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием (1M x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13.0V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-32W Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M27C801-100F1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Пам'ять EPROM, Uживл, В = 4.5....5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-32W Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 12 Stücke
Пам'ять EPROM, Uживл, В = 4.5....5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FDIP-32W Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 12 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TMS27C512-10JL |
Hersteller: STMicroelectronics
Память ПЗУ с УФ-стиранием 64Кх8 , 100ns... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Память ПЗУ с УФ-стиранием 64Кх8 , 100ns... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M68AF031AL70B1U |
Hersteller: STMicroelectronics
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AM29F800BT-55EF |
Hersteller: STMicroelectronics
Память FLASH 8 Mbit Boot Block , top T=55ns , t=-40...+85 C , Vcc=2.7 to 3.6 V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 92 Stücke
Память FLASH 8 Mbit Boot Block , top T=55ns , t=-40...+85 C , Vcc=2.7 to 3.6 V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 92 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M29F010B70K6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Память FLASH 1 Mbit (128Kb x8), Uniform Block , T=70ns , t=-40...+85 C , Vcc=5V±10%... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт
Память FLASH 1 Mbit (128Kb x8), Uniform Block , T=70ns , t=-40...+85 C , Vcc=5V±10%... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M29F010B70K6E |
Hersteller: STMicroelectronics
Память FLASH 1 Mbit (128Kb x8), Uniform Block , T=70ns , t=-40...+85 C , Vcc=5V±10%... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт
Память FLASH 1 Mbit (128Kb x8), Uniform Block , T=70ns , t=-40...+85 C , Vcc=5V±10%... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M29F032D70N6E |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 4.5...5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 32 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-40 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 4.5...5.5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 32 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-40 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 13 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M29F400BB70N1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
verfügbar 26 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M29W320DB70N6E | ![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Память (32 Mbit (32M (4Mx8 or 2Mx16)¶, Page, Boot Block), T=70ns , Vcc=2.7 to 3.6 V, T=-40...+85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Память (32 Mbit (32M (4Mx8 or 2Mx16)¶, Page, Boot Block), T=70ns , Vcc=2.7 to 3.6 V, T=-40...+85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NAND04GW3B2BN6E |
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NAND08GW3B2CN6E |
Hersteller: STMicroelectronics
Память Nand FLASH 8GBIT 48-TSOP... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Память Nand FLASH 8GBIT 48-TSOP... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PSD4256G6V-10UI |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-80 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 119 Stücke
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-80 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 119 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA2003AV |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA2009A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
2-канальний аудіопідсилювач, Fmax = 80 кГц, Po, Вт = 12,5 х 2 @ 4 Ом, Uживл, В = 8...28, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,2, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-11 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
2-канальний аудіопідсилювач, Fmax = 80 кГц, Po, Вт = 12,5 х 2 @ 4 Ом, Uживл, В = 8...28, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,2, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-11 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA2030AV |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 18 х 1 @ 4 Ом, Uживл, В = 12...44, ±6...22, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,5, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 18 х 1 @ 4 Ом, Uживл, В = 12...44, ±6...22, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,5, Тексп, °С = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA2822D013TR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Uживл, В = 1,8...15, Клас підсил. = AB, Р, Вт = 1, 0,38, Тексп, °C = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Аудіопідсилювач, Uживл, В = 1,8...15, Клас підсил. = AB, Р, Вт = 1, 0,38, Тексп, °C = -40...+150,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7263M |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудио усилитель... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: ...... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Аудио усилитель... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: ...... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7266 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
2-канальний аудіопідсилювач, Po, Вт = 7 x 2 @ 8 Ом, Uживл, В = 3...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: 10
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
2-канальний аудіопідсилювач, Po, Вт = 7 x 2 @ 8 Ом, Uживл, В = 3...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: 10
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 26 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7266D |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
2-канальний аудіопідсилювач, Uживл, В = 3,5...12, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Р, Вт = 5 x 2 @ 8 Ом Вт, Тексп, °C = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSOIC-20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
2-канальний аудіопідсилювач, Uживл, В = 3,5...12, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Р, Вт = 5 x 2 @ 8 Ом Вт, Тексп, °C = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSOIC-20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7267 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 2 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = 4,5...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 2 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = 4,5...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7294V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 100 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = ±10...40, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 100 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = ±10...40, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7360 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Микросхема IC AMP AUDIO PWR 22W MULTIWATT11, Po,Вт 22W x 1 @ 3.2 Ohm, , THD,% xx, Vcc,В 8 V ~ 18 V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Микросхема IC AMP AUDIO PWR 22W MULTIWATT11, Po,Вт 22W x 1 @ 3.2 Ohm, , THD,% xx, Vcc,В 8 V ~ 18 V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7496L |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Усилитель стерео class AB, 2W+2W AMPLIFIER WITH DC VOLUME CONTROL, POWERDIP (14+3+3) PACKAGE... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERDIP (14+3+3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Усилитель стерео class AB, 2W+2W AMPLIFIER WITH DC VOLUME CONTROL, POWERDIP (14+3+3) PACKAGE... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERDIP (14+3+3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TDA7498MVTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
одноканальний підсилювач (моно), Uживл, В = 14-39, Р, Вт = 100,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerSSO-36 EPU Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
одноканальний підсилювач (моно), Uживл, В = 14-39, Р, Вт = 100,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerSSO-36 EPU Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24128-BWMN6P | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24256-BWMN6P | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24256-BWMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24512-DFMC6TG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (Exp
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (Exp
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24512-WMN6P | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24512-WMW6TG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C02-WDW6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C02-WMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C04-WMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C16-RMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C16-WBN6P | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C16-WMN6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C32-RMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C64-RMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24C64-WMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24M01-RMN6P |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M24M01-RMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C46-MN6P |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 45 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C46-WMN6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C46-WMN6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C56-BN6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 33 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C56-WMN6P | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C66-WMN6P |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C86-WBN6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93C86-WMN6P | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M93С46-BN6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M95256-WMN6P |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M95256-WMN6T |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M95256-WMW6G | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M95512-WDW6TP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


