Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (129846) > Seite 1137 nach 2165

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 216 432 648 864 1080 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1296 1512 1728 1944 2160 2165  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
M24128-BWMN6P STMicroelectronics M24128-EEPROM.pdf description Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6P STMicroelectronics M24256_STM.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6TP STMicroelectronics M24256_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-DFMC6TG STMicroelectronics M24512-xxx.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMN6P STMicroelectronics M24512-xxx.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMW6TG STMicroelectronics M24512-xxx.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WDW6TP STMicroelectronics en.DM00071904.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WMN6TP STMicroelectronics en.DM00071904.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C04-WMN6TP STMicroelectronics M24C04-W.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-RMN6TP STMicroelectronics M24C16W_STM.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WBN6P STMicroelectronics M24C16W_STM.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WMN6 STMicroelectronics M24C16W_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C32-RMN6TP STMicroelectronics en.CD00001012.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-RMN6TP STMicroelectronics M24C64.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-WMN6TP STMicroelectronics M24C64.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6P STMicroelectronics M24C04-W.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6TP STMicroelectronics m24m01xxx_stm.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-MN6P STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 45 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6 STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6TP STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-BN6 STMicroelectronics M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 33 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-WMN6P STMicroelectronics M93C86.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C66-WMN6P STMicroelectronics M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WBN6 STMicroelectronics M93C86.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WMN6P STMicroelectronics M93C86.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93С46-BN6 STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6P STMicroelectronics M95256-xxx.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6T STMicroelectronics M95256-xxx.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMW6G STMicroelectronics M95256-xxx.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95512-WDW6TP STMicroelectronics M95512-W_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-DRDW8TP/K STMicroelectronics M95640-WMN6TP_STM.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-WMN6TP STMicroelectronics M95640-WMN6TP_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 20 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6P STMicroelectronics M95M01.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6TP STMicroelectronics M95M01.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M04-DRMN6TP STMicroelectronics m95m04-dr.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VME6GB STMicroelectronics M25P128_STM.pdf Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тексп, °С = –40 to 85 °C.,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MLP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VMF6P STMicroelectronics M25P128_STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P40-VMN6TP STMicroelectronics M25P40_STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6 STMicroelectronics M25P80_STM.pdf Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 40 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6G STMicroelectronics M25P80_STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 514 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25PE16-VMW6G STMicroelectronics M25PE16-VMW6G-STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPIC6C595TTR STMicroelectronics TPIC6B595_ti.pdf Стандартна логіка, Uживл, В = 4,5...5,5, К-сть. л.е./тип л. е. = 1 8-бітний регістр зсуву з відкритим стоком, Тексп, °С = -40...+125, Функція = Послідовний в паралельний, Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISO8200B STMicroelectronics ISO8200B_STM.pdf Мікросхема-реле/драйвер котушки, Iживл, мА = 700, Uживл, В = 10,5...36, Тексп, °C = -40...+125, Тип вих. конф. = High-Side, Вх:Вих = 1:1, К-сть вих. = 8, Інтерфейс = Паралельний, Rds = 120 мОм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSO-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH23LQTR STMicroelectronics lnbh23l_STMicroelectronics.pdf Підвищуючий регулятор напруги, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+85, К-сть вих. = 1, Uвих, В = 13,4, 18,4,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH23PPR STMicroelectronics LNBH23_STM.pdf Мікросхема живлення і керування блоком LNB, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+85, Шина = I2C, Uвих, В = 13,4, 18,5,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSSO-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH24LQTR STMicroelectronics LNBH24LQTR.pdf Подвійний контролер напруги, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 32-VFQFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 58 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH26LPQR STMicroelectronics LNBH26L_STM.pdf Підвищуючий регулятор напруги, Uживл, В = 8...16, Тексп, °C = 0...+85, Застосування = для аналогового і цифрового супутникового телебачення, К-сть вих. = 2, Uвих, В = 13, 18,15,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M4T32-BR12SH1 STMicroelectronics M4T32-BR12SH_STM.pdf Li-іон джерело живлення для годинника реального часу + Кварцовий резонатор, Uживл, В = 2,8, Тексп, °C = 0...+70, Серія = Timekeeper®, Snaphat®, Ємність = 120 мА*г, F = 32,768 кГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 23 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SRC0CS25D STMicroelectronics en.DM00109272.pdf Контролер/монітор джерела живлення, Iживл = 6 мкА, Uживл, В = 1,65...5,5, Тексп, °C = -40...-85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFDFN-12 Очікується: 3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SRC0GS22D STMicroelectronics TSM101A_STM.pdf Контролер/монітор джерела живлення, Iживл = 6 мкА, Uживл, В = 1.6...5.5, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFDFN-12 (Exp. Pad) Очікується: 5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM101ACD STMicroelectronics TSM101A_STM.pdf Регулятор напруги/струму, Uживл, В = 32, Тексп, °C = -20...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 253 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1052 STMicroelectronics TSM1052_STM.pdf Контролер заряду батареї, Uживл, В = 1,7...18, Тексп, °C = -10...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5970AD STMicroelectronics A5970.pdf Імпульсний регульований понижуючий СН, Fпр. = 500 кГц, I = 1 А, Uвих, В = 1,235...36, Uвх, В = 4...36, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4960 STMicroelectronics L4960.pdf Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 9...46, Uвих, В = 5,1...40, Fпер, кГц = 100...150, Iвих = 2,5 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: HEPTAWATT-7 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4971D STMicroelectronics en.CD00001355.pdf Импульсный стабилизатор (Imax=1,5A, Uout=3.3-50V, F to 300kHz, soft start, Uinmax=58V, -40 to 150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4973V5.1 STMicroelectronics L4973.pdf Імпульсний регульований понижуючий СН, Fпр. = 100...300 кГц, I = 3,5 А, Uвих, В = 5,1...50, Uвх, В = 8...55, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-18 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4978 STMicroelectronics L4978.pdf Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 8...55, Uвих, В = 3,3...50, Fпер, кГц = 100...300, Iвих = 2 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 155 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4978D STMicroelectronics L4978.pdf Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 8...55, Uвих, В = 3,3...50, Fпер, кГц = 100...300, Iвих = 2 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
verfügbar 122 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L5970AD STMicroelectronics en.CD00050942.pdf Импульсный стабилизатор (Vin=4.4-36V, Iout=1.5A, Uout=1.24-35V) -40°C ~ 150°C... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-8 Очікується: 45 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L5973D STMicroelectronics L5973D.pdf Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 4...36, Uвх, В = 4...36, Fпер, кГц = 250, I = 2,5 А, Uвих, В = 1.24...35, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Очікується: 110 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24128-BWMN6P description M24128-EEPROM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6P description M24256_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6TP M24256_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-DFMC6TG M24512-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMN6P description M24512-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMW6TG M24512-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WDW6TP en.DM00071904.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WMN6TP en.DM00071904.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C04-WMN6TP M24C04-W.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-RMN6TP M24C16W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WBN6P description M24C16W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WMN6 M24C16W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C32-RMN6TP en.CD00001012.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-RMN6TP M24C64.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-WMN6TP M24C64.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6P M24C04-W.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6TP m24m01xxx_stm.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-MN6P M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 45 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6 M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6TP M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-BN6 M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 33 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-WMN6P description M93C86.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C66-WMN6P M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WBN6 M93C86.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WMN6P description M93C86.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93С46-BN6 M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6P M95256-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6T M95256-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMW6G description M95256-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95512-WDW6TP M95512-W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-DRDW8TP/K M95640-WMN6TP_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-WMN6TP M95640-WMN6TP_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 20 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6P M95M01.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6TP M95M01.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M04-DRMN6TP m95m04-dr.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VME6GB M25P128_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тексп, °С = –40 to 85 °C.,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MLP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VMF6P M25P128_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P40-VMN6TP M25P40_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6 M25P80_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 40 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6G M25P80_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 514 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25PE16-VMW6G M25PE16-VMW6G-STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPIC6C595TTR TPIC6B595_ti.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Стандартна логіка, Uживл, В = 4,5...5,5, К-сть. л.е./тип л. е. = 1 8-бітний регістр зсуву з відкритим стоком, Тексп, °С = -40...+125, Функція = Послідовний в паралельний, Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISO8200B ISO8200B_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Мікросхема-реле/драйвер котушки, Iживл, мА = 700, Uживл, В = 10,5...36, Тексп, °C = -40...+125, Тип вих. конф. = High-Side, Вх:Вих = 1:1, К-сть вих. = 8, Інтерфейс = Паралельний, Rds = 120 мОм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSO-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH23LQTR lnbh23l_STMicroelectronics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Підвищуючий регулятор напруги, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+85, К-сть вих. = 1, Uвих, В = 13,4, 18,4,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH23PPR LNBH23_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Мікросхема живлення і керування блоком LNB, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+85, Шина = I2C, Uвих, В = 13,4, 18,5,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSSO-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH24LQTR LNBH24LQTR.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Подвійний контролер напруги, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 32-VFQFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 58 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH26LPQR LNBH26L_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Підвищуючий регулятор напруги, Uживл, В = 8...16, Тексп, °C = 0...+85, Застосування = для аналогового і цифрового супутникового телебачення, К-сть вих. = 2, Uвих, В = 13, 18,15,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M4T32-BR12SH1 M4T32-BR12SH_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Li-іон джерело живлення для годинника реального часу + Кварцовий резонатор, Uживл, В = 2,8, Тексп, °C = 0...+70, Серія = Timekeeper®, Snaphat®, Ємність = 120 мА*г, F = 32,768 кГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 23 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SRC0CS25D en.DM00109272.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Контролер/монітор джерела живлення, Iживл = 6 мкА, Uживл, В = 1,65...5,5, Тексп, °C = -40...-85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFDFN-12 Очікується: 3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SRC0GS22D TSM101A_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Контролер/монітор джерела живлення, Iживл = 6 мкА, Uживл, В = 1.6...5.5, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFDFN-12 (Exp. Pad) Очікується: 5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM101ACD TSM101A_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Регулятор напруги/струму, Uживл, В = 32, Тексп, °C = -20...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 253 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1052 TSM1052_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Контролер заряду батареї, Uживл, В = 1,7...18, Тексп, °C = -10...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5970AD A5970.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Імпульсний регульований понижуючий СН, Fпр. = 500 кГц, I = 1 А, Uвих, В = 1,235...36, Uвх, В = 4...36, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4960 L4960.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 9...46, Uвих, В = 5,1...40, Fпер, кГц = 100...150, Iвих = 2,5 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: HEPTAWATT-7 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4971D en.CD00001355.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Импульсный стабилизатор (Imax=1,5A, Uout=3.3-50V, F to 300kHz, soft start, Uinmax=58V, -40 to 150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4973V5.1 L4973.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Імпульсний регульований понижуючий СН, Fпр. = 100...300 кГц, I = 3,5 А, Uвих, В = 5,1...50, Uвх, В = 8...55, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-18 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4978 L4978.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 8...55, Uвих, В = 3,3...50, Fпер, кГц = 100...300, Iвих = 2 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 155 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L4978D L4978.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 8...55, Uвих, В = 3,3...50, Fпер, кГц = 100...300, Iвих = 2 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
verfügbar 122 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L5970AD en.CD00050942.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Импульсный стабилизатор (Vin=4.4-36V, Iout=1.5A, Uout=1.24-35V) -40°C ~ 150°C... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-8 Очікується: 45 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L5973D L5973D.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 4...36, Uвх, В = 4...36, Fпер, кГц = 250, I = 2,5 А, Uвих, В = 1.24...35, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Очікується: 110 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 216 432 648 864 1080 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1296 1512 1728 1944 2160 2165  [ Nächste Seite >> ]