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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STF13N80K5 STF13N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13NM60N STF13NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E967A0127D4745&compId=STB13NM60N.pdf?ci_sign=3e6c6a7bbb193a382d6789223138eeff9153bd45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
250+1.62 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13NM60ND STF13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
20+3.73 EUR
50+3.3 EUR
100+3.13 EUR
500+2.72 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF14NM50N STF14NM50N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D7051AACD0E745&compId=STF14NM50N.pdf?ci_sign=45f043498063ec94d28e7cf7e4e0f613a969ea56 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
150+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF15N80K5 STF15N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE383C798BACEEAECAD&compId=stf15n80k5.pdf?ci_sign=2f9d94c97dd491082d1f7b944dd99f81995e5d40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.03 EUR
16+4.52 EUR
18+3.99 EUR
50+3.59 EUR
100+3.47 EUR
250+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF15N95K5 STF15N95K5 STMicroelectronics en.DM00095839.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.16 EUR
17+4.33 EUR
50+3.83 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF15NM65N STF15NM65N STMicroelectronics STF%28I%2915NM65N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
22+3.27 EUR
25+3.07 EUR
50+2.93 EUR
100+2.77 EUR
250+2.59 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.46 EUR
41+1.76 EUR
50+1.59 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
28+2.6 EUR
29+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.39 EUR
14+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.69 EUR
38+1.92 EUR
44+1.63 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18NM60N STF18NM60N STMicroelectronics STF18NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.45 EUR
50+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF19NF20 STF19NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
56+1.29 EUR
69+1.04 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf STF21N65M5 THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
25+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22N60DM6 STF22N60DM6 STMicroelectronics stf22n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22N60M6 STF22N60M6 STMicroelectronics stf22n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
26+2.8 EUR
28+2.65 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22NM60N STF22NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E11FF02E2745&compId=STF22NM60N.pdf?ci_sign=061db5850195a44a23e057ea0c1353e0c6d16963 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
20+3.65 EUR
25+3.27 EUR
50+3.02 EUR
100+2.8 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF23N80K5 STF23N80K5 STMicroelectronics en.DM00225383.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.36 EUR
50+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
39+1.84 EUR
50+1.66 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E6005B8B0745&compId=STF24NM60N.pdf?ci_sign=f08440dd5fc0018459e0b7ba54089b760fa98d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.29 EUR
28+2.63 EUR
30+2.43 EUR
50+2.27 EUR
100+2.13 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP STMicroelectronics STF25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
30+2.43 EUR
34+2.16 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5 STMicroelectronics en.DM00060492.pdf STF25N80K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.96 EUR
14+5.41 EUR
15+5.11 EUR
25+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics stf26nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
100+4.03 EUR
250+3.83 EUR
400+3.72 EUR
500+3.68 EUR
750+3.58 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STF28NM50N THT N channel transistors
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STF33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf STF33N65M2 THT N channel transistors
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STF34NM60ND STF34NM60ND STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
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STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STF3LN80K5 STMicroelectronics en.DM00175100.pdf STF3LN80K5 THT N channel transistors
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STF3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf STF3NK80Z THT N channel transistors
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STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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10+7.15 EUR
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STF40NF20 STMicroelectronics en.CD00150592.pdf STF40NF20 THT N channel transistors
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STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
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29+2.55 EUR
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
54+1.33 EUR
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STF5NK100Z STF5NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DAF6EED80745&compId=STF5NK100Z.pdf?ci_sign=52a436219f7ef2931e30035c5d6c80cfb8effb7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
22+3.37 EUR
26+2.76 EUR
50+2.36 EUR
100+2.07 EUR
150+1.94 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
46+1.56 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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STF6N95K5 STMicroelectronics en.DM00118504.pdf STF6N95K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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STF7N105K5 STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
50+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
24+3 EUR
27+2.7 EUR
50+2.52 EUR
100+2.39 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N80K5 STF8N80K5 STMicroelectronics en.DM00080811.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8NK100Z STF8NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DD96EB25C745&compId=STF8NK100Z.pdf?ci_sign=9231ac671c76b7c72e7dadf4411a7b7958e8eb90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.61 EUR
21+3.56 EUR
25+3.35 EUR
50+3.19 EUR
100+3.03 EUR
250+2.82 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9NK90Z STF9NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
34+2.12 EUR
50+1.94 EUR
100+1.87 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
34+2.13 EUR
36+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW4N150 STMicroelectronics en.CD00050744.pdf STFW4N150 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.35 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
30+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG3157CTR STG3157CTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT323-6L
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
230+0.31 EUR
250+0.29 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG719STR STG719STR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A835035940D2&compId=stg719.pdf?ci_sign=7f36f14c36283943a804a582301b026ef8f95c85 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
113+0.64 EUR
121+0.59 EUR
137+0.52 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.7 EUR
23+3.13 EUR
50+2.45 EUR
100+2.16 EUR
250+1.79 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
31+2.37 EUR
35+2.07 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.33 EUR
26+2.85 EUR
100+2 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics STGP10NC60KD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
50+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
73+0.98 EUR
96+0.75 EUR
108+0.67 EUR
200+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
41+1.74 EUR
100+1.23 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics stgd6nc60hdt4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics en.cd00001598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
39+1.86 EUR
42+1.73 EUR
50+1.62 EUR
100+1.53 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9859721F5C745&compId=STB13N80K5.pdf?ci_sign=aa2e5e5956a995899144b97e10528889a0a7d9a7
STF13N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E967A0127D4745&compId=STB13NM60N.pdf?ci_sign=3e6c6a7bbb193a382d6789223138eeff9153bd45
STF13NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
250+1.62 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
STF13NM60ND
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
20+3.73 EUR
50+3.3 EUR
100+3.13 EUR
500+2.72 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF14NM50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D7051AACD0E745&compId=STF14NM50N.pdf?ci_sign=45f043498063ec94d28e7cf7e4e0f613a969ea56
STF14NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
150+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF15N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE383C798BACEEAECAD&compId=stf15n80k5.pdf?ci_sign=2f9d94c97dd491082d1f7b944dd99f81995e5d40
STF15N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.03 EUR
16+4.52 EUR
18+3.99 EUR
50+3.59 EUR
100+3.47 EUR
250+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF15N95K5 en.DM00095839.pdf
STF15N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.16 EUR
17+4.33 EUR
50+3.83 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF15NM65N STF%28I%2915NM65N.pdf
STF15NM65N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
22+3.27 EUR
25+3.07 EUR
50+2.93 EUR
100+2.77 EUR
250+2.59 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.46 EUR
41+1.76 EUR
50+1.59 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e
STF16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
28+2.6 EUR
29+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1
STF16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.39 EUR
14+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18N60M6 stf18n60m6.pdf
STF18N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.69 EUR
38+1.92 EUR
44+1.63 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF18NM60N STF18NM60N.pdf
STF18NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.45 EUR
50+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF19NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937
STF19NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
56+1.29 EUR
69+1.04 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF21N65M5 stp21n65m5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF21N65M5 THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
25+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22N60DM6 stf22n60dm6.pdf
STF22N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22N60M6 stf22n60m6.pdf
STF22N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
26+2.8 EUR
28+2.65 EUR
50+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF22NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E11FF02E2745&compId=STF22NM60N.pdf?ci_sign=061db5850195a44a23e057ea0c1353e0c6d16963
STF22NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
20+3.65 EUR
25+3.27 EUR
50+3.02 EUR
100+2.8 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF23N80K5 en.DM00225383.pdf
STF23N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.36 EUR
50+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STF24N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
39+1.84 EUR
50+1.66 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E6005B8B0745&compId=STF24NM60N.pdf?ci_sign=f08440dd5fc0018459e0b7ba54089b760fa98d34
STF24NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.29 EUR
28+2.63 EUR
30+2.43 EUR
50+2.27 EUR
100+2.13 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP.pdf
STF25N60M2-EP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
30+2.43 EUR
34+2.16 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N80K5 en.DM00060492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF25N80K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.96 EUR
14+5.41 EUR
15+5.11 EUR
25+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF26NM60N stf26nm60n.pdf
STF26NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
100+4.03 EUR
250+3.83 EUR
400+3.72 EUR
500+3.68 EUR
750+3.58 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF28NM50N en.CD00271786.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF28NM50N THT N channel transistors
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.98 EUR
26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2 en.DM00151754.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.09 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60ND STx34NM60ND_DS.pdf
STF34NM60ND
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
50+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2 stf35n65dm2.pdf
STF35N65DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.66 EUR
11+6.89 EUR
12+6.09 EUR
50+5.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
50+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5 en.DM00175100.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF3LN80K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
67+1.07 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80Z en.CD00003377.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF3NK80Z THT N channel transistors
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
50+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40NF20 en.CD00150592.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF40NF20 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
19+3.76 EUR
50+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF45N65M5 STF45N65M5.pdf
STF45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.49 EUR
11+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
64+1.13 EUR
76+0.94 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N90K5 en.DM00340030.pdf
STF4N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DAF6EED80745&compId=STF5NK100Z.pdf?ci_sign=52a436219f7ef2931e30035c5d6c80cfb8effb7b
STF5NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
22+3.37 EUR
26+2.76 EUR
50+2.36 EUR
100+2.07 EUR
150+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2 STF6N60M2.pdf
STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
25+2.86 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
46+1.56 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5 en.DM00118504.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF6N95K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
STF7N105K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
50+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N65M5 STB8N65M5.pdf
STF8N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
24+3 EUR
27+2.7 EUR
50+2.52 EUR
100+2.39 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N80K5 en.DM00080811.pdf
STF8N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DD96EB25C745&compId=STF8NK100Z.pdf?ci_sign=9231ac671c76b7c72e7dadf4411a7b7958e8eb90
STF8NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.61 EUR
21+3.56 EUR
25+3.35 EUR
50+3.19 EUR
100+3.03 EUR
250+2.82 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9NK90Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173
STF9NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
34+2.12 EUR
50+1.94 EUR
100+1.87 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
34+2.13 EUR
36+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW4N150 en.CD00050744.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STFW4N150 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
30+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG3157CTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0
STG3157CTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT323-6L
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
230+0.31 EUR
250+0.29 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG719STR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A835035940D2&compId=stg719.pdf?ci_sign=7f36f14c36283943a804a582301b026ef8f95c85
STG719STR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
113+0.64 EUR
121+0.59 EUR
137+0.52 EUR
250+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4.pdf
STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
23+3.13 EUR
50+2.45 EUR
100+2.16 EUR
250+1.79 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 stgb10nc60hd.pdf
STGB10NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
31+2.37 EUR
35+2.07 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.33 EUR
26+2.85 EUR
100+2 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 STGP10NC60KD.pdf
STGD10NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
50+1.43 EUR
56+1.29 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
73+0.98 EUR
96+0.75 EUR
108+0.67 EUR
200+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4.pdf
STGD5NB120SZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
41+1.74 EUR
100+1.23 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4 stgd6nc60hdt4.pdf
STGD6NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4 en.cd00001598.pdf
STGD7NB60ST4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
39+1.86 EUR
42+1.73 EUR
50+1.62 EUR
100+1.53 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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