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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Version: ESD
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.49 EUR
11+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
65+1.1 EUR
77+0.93 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
38+1.92 EUR
50+1.46 EUR
53+1.36 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF5NK100Z STMicroelectronics en.CD00043982.pdf STF5NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.28 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E90627F675A745&compId=STF6N60M2.pdf?ci_sign=e6c3efba2c58f8252533fba777c9d959f37baafa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
46+1.56 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5 STF6N95K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9AE8F2E1F0745&compId=STF6N95K5.pdf?ci_sign=40feea04bf1614f736dc0748771ac703727ac602 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
33+2.17 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
250+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf STF7N105K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
34+2.13 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
24+3 EUR
27+2.7 EUR
50+2.52 EUR
100+2.39 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N80K5 STF8N80K5 STMicroelectronics en.DM00080811.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8NK100Z STMicroelectronics en.CD00073035.pdf STF8NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.38 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9NK90Z STF9NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
34+2.12 EUR
50+1.94 EUR
100+1.87 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
34+2.13 EUR
36+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW4N150 STFW4N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.39 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
14+5.49 EUR
30+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG3157CTR STG3157CTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG719STR STMicroelectronics STG719.pdf STG719STR Interfaces others - integrated circuits
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.7 EUR
23+3.13 EUR
50+2.45 EUR
100+2.16 EUR
250+1.79 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
31+2.37 EUR
35+2.07 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.58 EUR
24+3 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
50+1.43 EUR
56+1.29 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
73+0.98 EUR
96+0.75 EUR
108+0.67 EUR
200+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B8B267F4C1D4CA18&compId=STGD5NB120SZT4.pdf?ci_sign=555742f79fe34f4e85a317b2e297d89b31ea4aa3 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
39+1.87 EUR
100+1.32 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECF80D2&compId=stgd6nc60hdt4.pdf?ci_sign=766975cac35051e79648c6298fc6b84741ccb84d Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics en.cd00001598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
39+1.86 EUR
42+1.73 EUR
50+1.62 EUR
100+1.53 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10H60DF STGF10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
45+1.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NB60SD STGF10NB60SD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF29280D2&compId=stgf10nb60sd.pdf?ci_sign=29151cbd931262b49aeac042b42b8ca4e413d24f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NC60KD STGF10NC60KD STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
43+1.69 EUR
46+1.56 EUR
50+1.49 EUR
150+1.34 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF14NC60KD STMicroelectronics en.CD00058415.pdf STGF14NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
43+1.66 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60HD STGF19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
37+1.94 EUR
38+1.92 EUR
39+1.87 EUR
40+1.82 EUR
50+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60KD STGF19NC60KD STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
22+3.25 EUR
2000+1.96 EUR
6000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf STGF20H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
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28+2.59 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
32+2.27 EUR
34+2.12 EUR
50+2.02 EUR
150+1.82 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DF STGF7H60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9919727795D3738BF&compId=STG_7H60DF.pdf?ci_sign=54f93d2a4c2a3e6b9e76040cdcfcf6527bfed9a2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 24W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
2000+1 EUR
6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SL STGF7NB60SL STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF293C0D2&compId=stgf7nb60sl.pdf?ci_sign=8ad42f74bef11c37c65453a3472c4e37b76ff91f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIF5CH60TS-L STGIF5CH60TS-L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FB8410C0D2&compId=stgif5ch60ts-l.pdf?ci_sign=8dfef0d95bd80d50050d8650b33318eab4077de3 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.13 EUR
8+9.4 EUR
10+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIPN3H60 STMicroelectronics en.DM00032611.pdf STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.34 EUR
8+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIPN3H60AT STGIPN3H60AT STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FBEF7900D2&compId=stgipn3h60at.pdf?ci_sign=dcfd1b1a06b4c325bfab2dbe18af48e13dd5d5eb Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: NDIP-26L
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 8W
Operating voltage: 12...17/0...500V DC
Collector-emitter voltage: 600V
Frequency: 25kHz
Technology: SLLIMM nano
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.9 EUR
9+8.14 EUR
10+7.21 EUR
17+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIPQ3H60T-HZS STMicroelectronics en.DM00213902.pdf STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
57+1.27 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP10NC60HD STGP10NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
46+1.56 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP10NC60KD STGP10NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KD STMicroelectronics en.CD00058415.pdf STGP14NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
25+2.86 EUR
50+2.39 EUR
250+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
36+2.03 EUR
39+1.87 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
2000+1.39 EUR
6000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60V STGP20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
50+2.87 EUR
150+2.57 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20V60DF STGP20V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30H60DF STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 105nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
50+2.27 EUR
150+2.04 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
25+2.86 EUR
26+2.75 EUR
50+2.53 EUR
150+2.27 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP3NC120HD STGP3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.7 EUR
39+1.84 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf STGP5H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP6NC60HD STMicroelectronics en.CD00058424.pdf STGP6NC60HD THT IGBT transistors
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
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STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf STGP7H60DF THT IGBT transistors
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STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0336FF2088259&compId=STGP7NC60HD.pdf?ci_sign=06de8f892967fcc2d3a3e9bedea21ad28757bfe9 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
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STGP8NC60KD STMicroelectronics en.CD00171973.pdf STGP8NC60KD THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
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16+4.48 EUR
18+4.2 EUR
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STGW20IH125DF STGW20IH125DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2FA8A465DC320C7&compId=STGW20IH125DF.pdf?ci_sign=4ce85dc0838ce5ead5a9be44c3705ffdcc6c4b6c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
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19+3.92 EUR
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STGW20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf STGW20NC60V THT IGBT transistors
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16+4.48 EUR
32+2.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 16
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STF45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STF45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Version: ESD
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.49 EUR
11+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
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STF4N90K5 en.DM00340030.pdf
STF4N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.75 EUR
38+1.92 EUR
50+1.46 EUR
53+1.36 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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STF5NK100Z en.CD00043982.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF5NK100Z THT N channel transistors
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Anzahl Preis
14+5.28 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STF6N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E90627F675A745&compId=STF6N60M2.pdf?ci_sign=e6c3efba2c58f8252533fba777c9d959f37baafa
STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
46+1.56 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N95K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9AE8F2E1F0745&compId=STF6N95K5.pdf?ci_sign=40feea04bf1614f736dc0748771ac703727ac602
STF6N95K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 6A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
33+2.17 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
250+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF7N105K5 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
34+2.13 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979
STF8N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
24+3 EUR
27+2.7 EUR
50+2.52 EUR
100+2.39 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8N80K5 en.DM00080811.pdf
STF8N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
35+2.07 EUR
37+1.96 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF8NK100Z en.CD00073035.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STF8NK100Z THT N channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
59+1.22 EUR
72+1.01 EUR
100+0.92 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9NK90Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173
STF9NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
34+2.12 EUR
50+1.94 EUR
100+1.87 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
34+2.13 EUR
36+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9Ω
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFW4N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69F283B646745&compId=STFW4N150.pdf?ci_sign=f393848134fa928a48c56d2cf0d44373bdbd5609
STFW4N150
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.39 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
14+5.49 EUR
30+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG3157CTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0
STG3157CTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
189+0.38 EUR
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STG719STR STG719.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STG719STR Interfaces others - integrated circuits
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5
STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
23+3.13 EUR
50+2.45 EUR
100+2.16 EUR
250+1.79 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4
STGB10NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
31+2.37 EUR
35+2.07 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.58 EUR
24+3 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD10NC60KDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc
STGD10NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
50+1.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
73+0.98 EUR
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200+0.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD5NB120SZT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B8B267F4C1D4CA18&compId=STGD5NB120SZT4.pdf?ci_sign=555742f79fe34f4e85a317b2e297d89b31ea4aa3
STGD5NB120SZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
39+1.87 EUR
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250+1.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD6NC60HDT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8412ECF80D2&compId=stgd6nc60hdt4.pdf?ci_sign=766975cac35051e79648c6298fc6b84741ccb84d
STGD6NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
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Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD7NB60ST4 en.cd00001598.pdf
STGD7NB60ST4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
39+1.86 EUR
42+1.73 EUR
50+1.62 EUR
100+1.53 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10H60DF en.DM00092752.pdf
STGF10H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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41+1.77 EUR
45+1.6 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
150+1.27 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NB60SD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF29280D2&compId=stgf10nb60sd.pdf?ci_sign=29151cbd931262b49aeac042b42b8ca4e413d24f
STGF10NB60SD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
39+1.84 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF10NC60KD en.CD00058414.pdf
STGF10NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
43+1.69 EUR
46+1.56 EUR
50+1.49 EUR
150+1.34 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF14NC60KD en.CD00058415.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF14NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
43+1.66 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60HD en.CD00144165.pdf
STGF19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
37+1.94 EUR
38+1.92 EUR
39+1.87 EUR
40+1.82 EUR
50+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
STGF19NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
22+3.25 EUR
2000+1.96 EUR
6000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF20H60DF en.DM00066598.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
32+2.27 EUR
34+2.12 EUR
50+2.02 EUR
150+1.82 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGF3NC120HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7H60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9919727795D3738BF&compId=STG_7H60DF.pdf?ci_sign=54f93d2a4c2a3e6b9e76040cdcfcf6527bfed9a2
STGF7H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 24W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
53+1.36 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
2000+1 EUR
6000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGF7NB60SL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF293C0D2&compId=stgf7nb60sl.pdf?ci_sign=8ad42f74bef11c37c65453a3472c4e37b76ff91f
STGF7NB60SL
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIF5CH60TS-L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FB8410C0D2&compId=stgif5ch60ts-l.pdf?ci_sign=8dfef0d95bd80d50050d8650b33318eab4077de3
STGIF5CH60TS-L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.13 EUR
8+9.4 EUR
10+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIPN3H60 en.DM00032611.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.34 EUR
8+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIPN3H60AT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FBEF7900D2&compId=stgipn3h60at.pdf?ci_sign=dcfd1b1a06b4c325bfab2dbe18af48e13dd5d5eb
STGIPN3H60AT
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: NDIP-26L
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 8W
Operating voltage: 12...17/0...500V DC
Collector-emitter voltage: 600V
Frequency: 25kHz
Technology: SLLIMM nano
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.9 EUR
9+8.14 EUR
10+7.21 EUR
17+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGIPQ3H60T-HZS en.DM00213902.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP10M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228
STGP10M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
57+1.27 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP10NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4
STGP10NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
46+1.56 EUR
52+1.4 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP10NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E9F2CE3C0A745&compId=STGP10NC60KD.pdf?ci_sign=65afd45a028afd95ddee99508a529bbc795c08dc
STGP10NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KD en.CD00058415.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP14NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df
STGP19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
25+2.86 EUR
50+2.39 EUR
250+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DF en.DM00066598.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
36+2.03 EUR
39+1.87 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
2000+1.39 EUR
6000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60V description en.CD00003669.pdf
STGP20NC60V
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
50+2.87 EUR
150+2.57 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2
STGP20V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30H60DF en.DM00040343.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 105nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
50+2.27 EUR
150+2.04 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 en.DM00155781.pdf
STGP30M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
25+2.86 EUR
26+2.75 EUR
50+2.53 EUR
150+2.27 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGP3NC120HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
39+1.84 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP5H60DF en.DM00149621.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP6NC60HD en.CD00058424.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP7NC60HD description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0336FF2088259&compId=STGP7NC60HD.pdf?ci_sign=06de8f892967fcc2d3a3e9bedea21ad28757bfe9
STGP7NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
45+1.6 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
69+1.04 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP8NC60KD en.CD00171973.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
18+4.2 EUR
27+2.73 EUR
28+2.59 EUR
120+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20IH125DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2FA8A465DC320C7&compId=STGW20IH125DF.pdf?ci_sign=4ce85dc0838ce5ead5a9be44c3705ffdcc6c4b6c
STGW20IH125DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
23+3.13 EUR
30+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60V en.CD00003669.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGW20NC60V THT IGBT transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
32+2.29 EUR
34+2.16 EUR
1020+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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