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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P6KE400CA P6KE400CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440A P6KE440A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
106+0.67 EUR
122+0.59 EUR
288+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440CA P6KE440CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
121+0.59 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
10000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE47CA P6KE47CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8A P6KE6V8A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
157+0.46 EUR
180+0.40 EUR
250+0.29 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8CA P6KE6V8CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO15
Semiconductor structure: bidirectional
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Max. forward impulse current: 57A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PB137ACV PB137ACV STMicroelectronics pb137.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
58+1.24 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD54008L-E STMicroelectronics pd54008l-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics PD55003-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.57 EUR
7+10.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015-E PD55015-E STMicroelectronics PD55015-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E STMicroelectronics en.CD00128612.pdf PD55015S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55025S-E STMicroelectronics en.CD00108676.pdf PD55025S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57018-E STMicroelectronics en.CD00098308.pdf PD57018-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57030S-E STMicroelectronics en.CD00128988.pdf PD57030S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics PD57060-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 PKC-136 STMicroelectronics pkc-136-dte.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
79+0.91 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D STMicroelectronics en.DM00141527.pdf PM8841D MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 STMicroelectronics en.DM00090983.pdf POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G STMicroelectronics en.CD00001319.pdf RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G RBO40-40G STMicroelectronics RBO40-40.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
28+2.65 EUR
29+2.50 EUR
100+2.49 EUR
200+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2-LPQTR S2-LPQTR STMicroelectronics s2-lp.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018H65G3AG STMicroelectronics SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AG STMicroelectronics SCT040W120G3AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf SCT1000N170 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120AG SCT10N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics SCT20N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.16 EUR
25+18.15 EUR
30+18.05 EUR
510+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.03 EUR
30+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120H STMicroelectronics sct30n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
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SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SCT50N120 THT N channel transistors
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SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
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SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
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SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics scth40n120g2v7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics scth60n120g2-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTH70N120G2V-7 STMicroelectronics scth70n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
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SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
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SCTL90N65G2V STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
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SCTW100N65G2AG STMicroelectronics sctw100n65g2ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 420W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Gate charge: 162nC
Pulsed drain current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SCTW35N65G2V THT N channel transistors
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P6KE400CA P6KE6V8A.pdf
P6KE400CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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P6KE440A P6KE6V8A.pdf
P6KE440A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P6KE440CA P6KE6V8A.pdf
P6KE440CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P6KE47CA P6KE6V8A.pdf
P6KE47CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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P6KE6V8A P6KE6V8A.pdf
P6KE6V8A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
129+0.56 EUR
157+0.46 EUR
180+0.40 EUR
250+0.29 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8CA P6KE6V8A.pdf
P6KE6V8CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO15
Semiconductor structure: bidirectional
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Max. forward impulse current: 57A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3887 Stücke:
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Anzahl Preis
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
463+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PB137ACV pb137.pdf
PB137ACV
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
58+1.24 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD54008L-E pd54008l-e.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55003-E PD55003-E.pdf
PD55003-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.57 EUR
7+10.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015-E PD55015-E.pdf
PD55015-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E en.CD00128612.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55025S-E en.CD00108676.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57018-E en.CD00098308.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD57018-E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57030S-E en.CD00128988.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57060-E PD57060-E.pdf
PD57060-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 pkc-136-dte.pdf
PKC-136
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
79+0.91 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D en.DM00141527.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 en.DM00090983.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G en.CD00001319.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G RBO40-40.pdf
RBO40-40G
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
28+2.65 EUR
29+2.50 EUR
100+2.49 EUR
200+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR en.CD00001320.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2-LPQTR s2-lp.pdf
S2-LPQTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT012H90G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG sct015w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018H65G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AG sct040h65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AG sct040hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040W120G3AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AG sct055hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
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Hersteller: STMicroelectronics
SCT1000N170 THT N channel transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
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SCT20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SCT20N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.16 EUR
25+18.15 EUR
30+18.05 EUR
510+17.46 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
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SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AG scth100n65g2-7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
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SCTH35N65G2V-7AG scth35n65g2v-7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AG scth40n120g2v7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7 scth60n120g2-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7 scth70n120g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH90N65G2V-7 scth90n65g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
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SCTL90N65G2V sctl90n65g2v.pdf
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SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 420W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Gate charge: 162nC
Pulsed drain current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTW35N65G2V THT N channel transistors
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