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Preis
PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 PKC-136 STMicroelectronics pkc-136-dte.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
79+0.91 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D STMicroelectronics en.DM00141527.pdf PM8841D MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 STMicroelectronics en.DM00090983.pdf POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G STMicroelectronics en.CD00001319.pdf RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G RBO40-40G STMicroelectronics RBO40-40.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
28+2.65 EUR
29+2.50 EUR
100+2.49 EUR
200+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2-LPQTR S2-LPQTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018H65G3AG STMicroelectronics Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf SCT1000N170 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120AG SCT10N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics SCT20N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.16 EUR
25+18.15 EUR
30+18.05 EUR
510+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.03 EUR
30+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120H STMicroelectronics sct30n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SCT50N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+50.26 EUR
30+48.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics scth40n120g2v7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics scth60n120g2-7.pdf SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7 STMicroelectronics scth70n120g2v-7.pdf SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL90N65G2V STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW100N65G2AG STMicroelectronics sctw100n65g2ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 420W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Gate charge: 162nC
Pulsed drain current: 280A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SCTW35N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics sctw35n65g2vag.pdf SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2 STMicroelectronics en.DM00789088.pdf SCTW60N120G2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2V STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf SCTW90N65G2V THT N channel transistors
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SCTWA10N120 STMicroelectronics sctwa10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120 SCTWA20N120 STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120 SCTWA30N120 STMicroelectronics sctwa30n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics en.DM00753411.pdf SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120 STMicroelectronics sctwa50n120.pdf SCTWA50N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57060-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f
PD57060-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 pkc-136-dte.pdf
PKC-136
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
79+0.91 EUR
123+0.58 EUR
130+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D en.DM00141527.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 en.DM00090983.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G en.CD00001319.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G RBO40-40.pdf
RBO40-40G
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
28+2.65 EUR
29+2.50 EUR
100+2.49 EUR
200+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR en.CD00001320.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2-LPQTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c
S2-LPQTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT012H90G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG sct015w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018H65G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AG sct040h65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AG sct040hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AG sct055hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170 sct1000n170.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT1000N170 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120 sct10n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120AG sct10n120ag.pdf
SCT10N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120H sct10n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120 SCT20N120.pdf
SCT20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG sct10n120ag.pdf
SCT20N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.16 EUR
25+18.15 EUR
30+18.05 EUR
510+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H sct20n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
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SCT50N120 THT N channel transistors
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SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
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SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
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SCTW100N65G2AG sctw100n65g2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 420W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Gate charge: 162nC
Pulsed drain current: 280A
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SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
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SCTW35N65G2VAG sctw35n65g2vag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
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SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SCTW40N120G2VAG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: SiC
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SCTW60N120G2 en.DM00789088.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
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SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2V sctw90n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120 sctwa10n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTWA20N120 sctwa20n120.pdf
SCTWA20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
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SCTWA30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
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SCTWA40N120G2V
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
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SCTWA40N120G2V-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SCTWA50N120 THT N channel transistors
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