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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P6KE18CA P6KE18CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
200+0.36 EUR
224+0.32 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE200A P6KE200A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
148+0.48 EUR
319+0.22 EUR
336+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE200CA P6KE200CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
119+0.6 EUR
127+0.56 EUR
196+0.37 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE27A P6KE27A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 27V; 16A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
184+0.39 EUR
200+0.36 EUR
268+0.27 EUR
399+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE27CA P6KE27CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
177+0.41 EUR
193+0.37 EUR
235+0.3 EUR
257+0.28 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE300A P6KE300A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 256V
Breakdown voltage: 300V
Max. forward impulse current: 1.45A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
130+0.55 EUR
148+0.48 EUR
312+0.23 EUR
330+0.22 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE30A P6KE30A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
153+0.47 EUR
175+0.41 EUR
244+0.29 EUR
427+0.17 EUR
452+0.16 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE30CA P6KE30CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
302+0.24 EUR
345+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE33CA P6KE33CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
244+0.29 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36A P6KE36A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
194+0.37 EUR
210+0.34 EUR
252+0.28 EUR
271+0.26 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36CA P6KE36CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
177+0.41 EUR
348+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39A P6KE39A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
125+0.57 EUR
137+0.52 EUR
158+0.45 EUR
203+0.35 EUR
447+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39CA P6KE39CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400A P6KE400A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400CA P6KE400CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440A STMicroelectronics en.CD00000720.pdf P6KE440A-ST Unidirectional TVS THT diodes
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440CA P6KE440CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 376V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 440V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
125+0.58 EUR
137+0.52 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
2000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE47CA P6KE47CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8A P6KE6V8A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
145+0.49 EUR
164+0.44 EUR
246+0.29 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8CA P6KE6V8CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
153+0.47 EUR
171+0.42 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PB137ACV STMicroelectronics en.CD00001634.pdf PB137ACV Unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD54008L-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B320D2&compId=pd54008l-e.pdf?ci_sign=f2ba85e715433271e2a9f6aac46348547ff7ab73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55003-E STMicroelectronics en.CD00103337.pdf PD55003-E SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.45 EUR
7+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015-E PD55015-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D9807F44E745&compId=PD55015-E.pdf?ci_sign=034875dd0bb54e8104f0129eeaf23bf0285fb3df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
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PD55015S-E STMicroelectronics en.CD00128612.pdf PD55015S-E SMD N channel transistors
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PD55025S-E STMicroelectronics en.CD00108676.pdf PD55025S-E SMD N channel transistors
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PD57018-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
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PD57030S-E STMicroelectronics en.CD00128988.pdf PD57030S-E SMD N channel transistors
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PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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PKC-136 PKC-136 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6B522F0C5C7611C&compId=pkc-136-dte.pdf?ci_sign=b83f534c72d4ed5ec0f9b285a161b47c06d32fe3 Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
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PM8841D STMicroelectronics en.DM00141527.pdf PM8841D MOSFET/IGBT drivers
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POWERSTEP01 STMicroelectronics en.DM00090983.pdf POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
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RBO08-40G STMicroelectronics en.CD00001319.pdf RBO08-40G Protection diodes - arrays
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RBO40-40G STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G Protection diodes - arrays
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RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
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S2-LPQTR S2-LPQTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
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SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
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SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT018H65G3AG STMicroelectronics SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
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SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 398W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
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SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
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SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT040W120G3AG STMicroelectronics SCT040W120G3AG THT N channel transistors
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SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf SCT070HU120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120AG SCT10N120AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE420D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=9e6b651dc9cea5d990c08c1210f8841b6b2b3ec0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
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SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE560D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=d74d56ba33c2810db028615111d6f97d220b91da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.16 EUR
10+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C5D0E96F8745&compId=SCT30N120.pdf?ci_sign=4a7f272aed9925d83ae2b1ecf65397f7500a7e8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.97 EUR
30+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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P6KE18CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE18CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
200+0.36 EUR
224+0.32 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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P6KE200A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE200A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
125+0.57 EUR
133+0.54 EUR
148+0.48 EUR
319+0.22 EUR
336+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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P6KE200CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE200CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
119+0.6 EUR
127+0.56 EUR
196+0.37 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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P6KE27A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE27A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 27V; 16A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
184+0.39 EUR
200+0.36 EUR
268+0.27 EUR
399+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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P6KE27CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE27CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
177+0.41 EUR
193+0.37 EUR
235+0.3 EUR
257+0.28 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE300A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE300A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 256V
Breakdown voltage: 300V
Max. forward impulse current: 1.45A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
130+0.55 EUR
148+0.48 EUR
312+0.23 EUR
330+0.22 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE30A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE30A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
153+0.47 EUR
175+0.41 EUR
244+0.29 EUR
427+0.17 EUR
452+0.16 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE30CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE30CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
302+0.24 EUR
345+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE33CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE33CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
244+0.29 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE36A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
194+0.37 EUR
210+0.34 EUR
252+0.28 EUR
271+0.26 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE36CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
177+0.41 EUR
348+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE39A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
125+0.57 EUR
137+0.52 EUR
158+0.45 EUR
203+0.35 EUR
447+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE39CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE400A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE400CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440A en.CD00000720.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
P6KE440A-ST Unidirectional TVS THT diodes
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE440CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 376V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 440V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
125+0.58 EUR
137+0.52 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
2000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE47CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE47CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE6V8A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
145+0.49 EUR
164+0.44 EUR
246+0.29 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE6V8CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
153+0.47 EUR
171+0.42 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PB137ACV en.CD00001634.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PB137ACV Unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD54008L-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B320D2&compId=pd54008l-e.pdf?ci_sign=f2ba85e715433271e2a9f6aac46348547ff7ab73
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55003-E en.CD00103337.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55003-E SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.45 EUR
7+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D9807F44E745&compId=PD55015-E.pdf?ci_sign=034875dd0bb54e8104f0129eeaf23bf0285fb3df
PD55015-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E en.CD00128612.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55025S-E en.CD00108676.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57018-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57030S-E en.CD00128988.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57060-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f
PD57060-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6B522F0C5C7611C&compId=pkc-136-dte.pdf?ci_sign=b83f534c72d4ed5ec0f9b285a161b47c06d32fe3
PKC-136
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
250+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D en.DM00141527.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 en.DM00090983.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G en.CD00001319.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G en.CD00001320.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 576 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
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S2-LPQTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c
S2-LPQTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT012H90G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
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SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT018H65G3AG
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SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
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SCT018W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 398W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
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SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT027W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
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SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
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SCT040W120G3-4AG
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SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT040W120G3AG
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SCT040W120G3AG THT N channel transistors
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SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
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SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
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SCT070HU120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
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SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT1000N170 sct1000n170.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120 sct10n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE420D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=9e6b651dc9cea5d990c08c1210f8841b6b2b3ec0
SCT10N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120H sct10n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
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SCT20N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb
SCT20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE560D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=d74d56ba33c2810db028615111d6f97d220b91da
SCT20N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT20N120H sct20n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C5D0E96F8745&compId=SCT30N120.pdf?ci_sign=4a7f272aed9925d83ae2b1ecf65397f7500a7e8c
SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
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