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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P6KE30CA P6KE30CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
302+0.24 EUR
345+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE33CA P6KE33CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
244+0.29 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36A P6KE36A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
172+0.42 EUR
206+0.35 EUR
224+0.32 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36CA P6KE36CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
177+0.41 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39A P6KE39A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
161+0.45 EUR
184+0.39 EUR
257+0.28 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39CA P6KE39CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400A P6KE400A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400CA P6KE400CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440A STMicroelectronics en.CD00000720.pdf P6KE440A-ST Unidirectional TVS THT diodes
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440CA P6KE440CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
121+0.59 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
10000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE47CA P6KE47CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8A P6KE6V8A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Case: DO15
Max. off-state voltage: 5.8V
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. forward impulse current: 57A
Leakage current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
161+0.44 EUR
223+0.32 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8CA P6KE6V8CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PB137ACV STMicroelectronics en.CD00001634.pdf PB137ACV Unregulated voltage regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD54008L-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B320D2&compId=pd54008l-e.pdf?ci_sign=f2ba85e715433271e2a9f6aac46348547ff7ab73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55003-E STMicroelectronics en.CD00103337.pdf PD55003-E SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.45 EUR
7+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015-E PD55015-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D9807F44E745&compId=PD55015-E.pdf?ci_sign=034875dd0bb54e8104f0129eeaf23bf0285fb3df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E STMicroelectronics en.CD00128612.pdf PD55015S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55025S-E STMicroelectronics en.CD00108676.pdf PD55025S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57018-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57030S-E STMicroelectronics en.CD00128988.pdf PD57030S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 PKC-136 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6B522F0C5C7611C&compId=pkc-136-dte.pdf?ci_sign=b83f534c72d4ed5ec0f9b285a161b47c06d32fe3 Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Max. off-state voltage: 700V
Breakdown voltage: 160V
Leakage current: 10µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS+FRD
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Mounting: THT
Case: DO15
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
79+0.91 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D STMicroelectronics en.DM00141527.pdf PM8841D MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 STMicroelectronics en.DM00090983.pdf POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G STMicroelectronics en.CD00001319.pdf RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.8 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.03 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2-LPQTR S2-LPQTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018H65G3AG STMicroelectronics Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 398W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
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SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
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SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
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SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
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SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
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SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SCT10N120AG SCT10N120AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE420D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=9e6b651dc9cea5d990c08c1210f8841b6b2b3ec0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
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SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE560D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=d74d56ba33c2810db028615111d6f97d220b91da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
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auf Bestellung 4 Stücke:
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4+18.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C5D0E96F8745&compId=SCT30N120.pdf?ci_sign=4a7f272aed9925d83ae2b1ecf65397f7500a7e8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Technology: SiC; SiCFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.03 EUR
30+25.02 EUR
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SCT30N120H STMicroelectronics sct30n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SCT50N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
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2+50.26 EUR
30+48.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics scth40n120g2v7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE30CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE30CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
302+0.24 EUR
345+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE33CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE33CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
244+0.29 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE36A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
172+0.42 EUR
206+0.35 EUR
224+0.32 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE36CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE36CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
177+0.41 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE39A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
161+0.45 EUR
184+0.39 EUR
257+0.28 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE39CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE39CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE400A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE400CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE400CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440A en.CD00000720.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
P6KE440A-ST Unidirectional TVS THT diodes
auf Bestellung 1526 Stücke:
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83+0.87 EUR
295+0.24 EUR
311+0.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE440CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE440CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
121+0.59 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
10000+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE47CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE47CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE6V8A
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Case: DO15
Max. off-state voltage: 5.8V
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. forward impulse current: 57A
Leakage current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
161+0.44 EUR
223+0.32 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE6V8CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59B9DEA3C5BBD611C&compId=P6KE6V8A.pdf?ci_sign=0c4449646bb3548cb5f39bb74af6a4bc7e880390
P6KE6V8CA
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3687 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PB137ACV en.CD00001634.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PB137ACV Unregulated voltage regulators
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD54008L-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B320D2&compId=pd54008l-e.pdf?ci_sign=f2ba85e715433271e2a9f6aac46348547ff7ab73
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55003-E en.CD00103337.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55003-E SMD N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.45 EUR
7+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D9807F44E745&compId=PD55015-E.pdf?ci_sign=034875dd0bb54e8104f0129eeaf23bf0285fb3df
PD55015-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E en.CD00128612.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55025S-E en.CD00108676.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57018-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57030S-E en.CD00128988.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD57060-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f
PD57060-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PKC-136 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6B522F0C5C7611C&compId=pkc-136-dte.pdf?ci_sign=b83f534c72d4ed5ec0f9b285a161b47c06d32fe3
PKC-136
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Max. off-state voltage: 700V
Breakdown voltage: 160V
Leakage current: 10µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS+FRD
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Mounting: THT
Case: DO15
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
79+0.91 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PM8841D en.DM00141527.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
POWERSTEP01 en.DM00090983.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO08-40G en.CD00001319.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G en.CD00001320.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G Protection diodes - arrays
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.03 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR en.CD00001320.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2-LPQTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c
S2-LPQTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT012H90G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT015W120G3-4AG sct015w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018H65G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT018W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 398W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AG sct040h65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AG sct040hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040W120G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT055HU65G3AG sct055hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT1000N170 sct1000n170.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120 sct10n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE420D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=9e6b651dc9cea5d990c08c1210f8841b6b2b3ec0
SCT10N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120H sct10n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb
SCT20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE560D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=d74d56ba33c2810db028615111d6f97d220b91da
SCT20N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.16 EUR
25+18.15 EUR
30+18.05 EUR
510+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H sct20n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C5D0E96F8745&compId=SCT30N120.pdf?ci_sign=4a7f272aed9925d83ae2b1ecf65397f7500a7e8c
SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Technology: SiC; SiCFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.03 EUR
30+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120H sct30n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT50N120 sct50n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+50.26 EUR
30+48.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AG scth100n65g2-7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AG scth35n65g2v-7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AG scth40n120g2v7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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