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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
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S2-LPQTR S2-LPQTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Kind of module: RF
Receiver sensitivity: -130dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Transmitter output power: 10dBm
Transfer rate: 500kbps
Interface: SPI; UART
Band: 1GHz
Kind of modulation: ASK; OOK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
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SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT018H65G3AG STMicroelectronics SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
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SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 398W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Case: H2PAK7
Mounting: SMD
Gate charge: 39.5nC
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 63mΩ
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT040W120G3AG STMicroelectronics SCT040W120G3AG THT N channel transistors
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SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf SCT070HU120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf SCT10N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf SCT10N120AG THT N channel transistors
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SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
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SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE560D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=d74d56ba33c2810db028615111d6f97d220b91da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.16 EUR
10+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C5D0E96F8745&compId=SCT30N120.pdf?ci_sign=4a7f272aed9925d83ae2b1ecf65397f7500a7e8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.97 EUR
30+25.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120H STMicroelectronics sct30n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SCT50N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+50.26 EUR
30+48.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 95A; Idm: 260A; 360W; H2PAK7
Mounting: SMD
Case: H2PAK7
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 162nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 360W
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics scth40n120g2v7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics scth60n120g2-7.pdf SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7 STMicroelectronics scth70n120g2v-7.pdf SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: PowerFLAT 8x8
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Power dissipation: 417W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL90N65G2V STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW100N65G2AG STMicroelectronics sctw100n65g2ag.pdf SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SCTW35N65G2V THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics sctw35n65g2vag.pdf SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
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SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2 STMicroelectronics en.DM00789088.pdf SCTW60N120G2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2V STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf SCTW90N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120 STMicroelectronics sctwa10n120.pdf SCTWA10N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120 SCTWA20N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2B90D2940D2&compId=sctwa20n120.pdf?ci_sign=e4dc17963292b770b108a3980b08ae7039d441ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
120+13.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120 SCTWA30N120 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2B90D2A80D2&compId=sctwa30n120.pdf?ci_sign=c99521a050e3fd7adee761ec3395b3ee1aa99d85 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
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SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics en.DM00753411.pdf SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
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SCTWA40N120G2V STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTWA50N120 STMicroelectronics sctwa50n120.pdf SCTWA50N120 THT N channel transistors
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SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics sctwa60n120g2-4.pdf SCTWA60N120G2-4 THT N channel transistors
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SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics sctwa70n120g2v-4.pdf SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors
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SCTWA90N65G2V STMicroelectronics sctwa90n65g2v.pdf SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
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SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics sctwa90n65g2v-4.pdf SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
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SD2932W SD2932W STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D312D5BD0745&compId=SD2932.pdf?ci_sign=b6d13ff4f1195ae0376437b77f28cf1c230503d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Type of transistor: N-MOSFET
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Open-loop gain: 16dB
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±40V
Efficiency: 60%
Drain-source voltage: 125V
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Frequency: 175MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SD2942W SD2942W STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D5AB03E06745&compId=SD2942.pdf?ci_sign=48782c3ac601d20a7e5ede73690022674c46e2ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RBO40-40G-TR en.CD00001320.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
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S2-LPQTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c
S2-LPQTR
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Kind of module: RF
Receiver sensitivity: -130dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Transmitter output power: 10dBm
Transfer rate: 500kbps
Interface: SPI; UART
Band: 1GHz
Kind of modulation: ASK; OOK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT012H90G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
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SCT015W120G3-4AG sct015w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT018H65G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
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SCT018W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 398W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT027W65G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W; HIP247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 39.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT040H65G3AG sct040h65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Case: H2PAK7
Mounting: SMD
Gate charge: 39.5nC
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 63mΩ
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AG sct040hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT040W120G3-4AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT040W120G3AG
Hersteller: STMicroelectronics
SCT040W120G3AG THT N channel transistors
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SCT055HU65G3AG sct055hu65g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
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SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT070HU120G3AG SMD N channel transistors
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SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
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SCT1000N170 sct1000n170.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120 sct10n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120 THT N channel transistors
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SCT10N120AG sct10n120ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120AG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT10N120H sct10n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C43E685F0745&compId=SCT20N120.pdf?ci_sign=9451617e1d1c1ad7c40e318f4a61c05dd8092ceb
SCT20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE560D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=d74d56ba33c2810db028615111d6f97d220b91da
SCT20N120AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.16 EUR
10+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT20N120H sct20n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C5D0E96F8745&compId=SCT30N120.pdf?ci_sign=4a7f272aed9925d83ae2b1ecf65397f7500a7e8c
SCT30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120H sct30n120h.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT50N120 sct50n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+50.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AG scth100n65g2-7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 95A; Idm: 260A; 360W; H2PAK7
Mounting: SMD
Case: H2PAK7
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 162nC
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 360W
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AG scth35n65g2v-7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AG scth40n120g2v7ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7 scth60n120g2-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7 scth70n120g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH90N65G2V-7 scth90n65g2v-7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: PowerFLAT 8x8
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Power dissipation: 417W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTL90N65G2V sctl90n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW100N65G2AG sctw100n65g2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW35N65G2VAG sctw35n65g2vag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
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SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2 en.DM00789088.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
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SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 91A
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2V sctw90n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
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SCTWA10N120 sctwa10n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA10N120 THT N channel transistors
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SCTWA20N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2B90D2940D2&compId=sctwa20n120.pdf?ci_sign=e4dc17963292b770b108a3980b08ae7039d441ab
SCTWA20N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
120+13.14 EUR
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SCTWA30N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2B90D2A80D2&compId=sctwa30n120.pdf?ci_sign=c99521a050e3fd7adee761ec3395b3ee1aa99d85
SCTWA30N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V sctwa35n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
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SCTWA35N65G2V-4 en.DM00753411.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
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SCTWA40N120G2V
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120 sctwa50n120.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA50N120 THT N channel transistors
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SCTWA60N120G2-4 sctwa60n120g2-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA60N120G2-4 THT N channel transistors
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SCTWA70N120G2V-4 sctwa70n120g2v-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V sctwa90n65g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA90N65G2V-4 sctwa90n65g2v-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD2932W pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D312D5BD0745&compId=SD2932.pdf?ci_sign=b6d13ff4f1195ae0376437b77f28cf1c230503d7
SD2932W
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Type of transistor: N-MOSFET
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Open-loop gain: 16dB
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±40V
Efficiency: 60%
Drain-source voltage: 125V
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Frequency: 175MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SD2942W pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D5AB03E06745&compId=SD2942.pdf?ci_sign=48782c3ac601d20a7e5ede73690022674c46e2ab
SD2942W
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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