Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170124) > Seite 1149 nach 2836
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STB18NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.19A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STB19NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 90W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB20N95K5 | STMicroelectronics |
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STB21N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11.6A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11.6A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB23NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB24N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB26NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STB28N65M2 | STMicroelectronics |
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STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
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STB32N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 119mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB32NM50N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 62.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STB40N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB40NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; Idm: 160A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STB42N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB43N65M5 | STMicroelectronics |
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STB45N60DM2AG | STMicroelectronics |
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STB45N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Case: D2PAK On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 140A Drain current: 22A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STB55NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB57N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1251 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB75NF20 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A Case: D2PAK On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 190W Technology: STripFET™ II Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB75NF75LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Gate charge: 160nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 557 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB80N20M5 | STMicroelectronics |
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STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB9NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.5A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STBB1-APUR | STMicroelectronics |
![]() Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: DC/DC converter Input voltage: 2...5.5V DC Output voltage: 1.2...5.5V DC Output current: 1.6A Case: VFDFN10 Mounting: SMD Frequency: 1.5MHz Topology: buck-boost Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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STBR3012G2-TR | STMicroelectronics |
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STBR3012G2Y-TR | STMicroelectronics |
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STBR3012W | STMicroelectronics |
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STBR3012WY | STMicroelectronics |
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STBR6012W | STMicroelectronics |
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STBR6012WY | STMicroelectronics |
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STC3100IST | STMicroelectronics |
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STC3115AIJT | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion/Polymer; CSP10; 2.7÷4.5VDC Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery monitor Integrated circuit features: Li-Ion/Polymer Mounting: SMD Case: CSP10 Supply voltage: 2.7...4.5V DC Operating temperature: -40...85°C Interface: I2C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STC4054GR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery charging controller Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Output current: 0.8A Output voltage: 4.2V Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.25...6.5V DC Operating temperature: -40...85°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STCC2540IQTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: USB switch Case: VFQFPN16 Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 65mΩ Output current: 2.8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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STCN75DS2F | STMicroelectronics |
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STCS05DR | STMicroelectronics |
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STCS1APHR | STMicroelectronics |
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STCS1APUR | STMicroelectronics |
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STCS1PHR | STMicroelectronics |
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STCS1PUR | STMicroelectronics |
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STCS2ASPR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: PowerSO10 Integrated circuit features: PWM Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: 2A Number of channels: 1 Input voltage: 4.5...40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STCS2SPR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: PowerSO10 Integrated circuit features: PWM Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Kind of package: reel; tape Output current: 2A Number of channels: 1 Input voltage: 4.5...40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD100N10F7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 320A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 120W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD10N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2324 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2345 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD10NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD10NM60ND | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD10P6F6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD11NM60ND | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STB18NM60ND |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STB19NF20 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB20N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STB20N95K5 SMD N channel transistors
STB20N95K5 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STB21N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11.6A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11.6A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STB23NM50N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STB24N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.62 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
STB26NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STB28N65M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STB28N65M2 SMD N channel transistors
STB28N65M2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB30NF10T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STB32N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB32NM50N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB38N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB40N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 5.02 EUR |
17+ | 4.28 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
250+ | 4.00 EUR |
500+ | 3.88 EUR |
STB40NF10LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
35+ | 2.06 EUR |
80+ | 0.90 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
STB40NF20 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; Idm: 160A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; Idm: 160A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB42N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB43N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STB43N65M5 SMD N channel transistors
STB43N65M5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB45N60DM2AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STB45N60DM2AG SMD N channel transistors
STB45N60DM2AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB45N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 140A
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 140A
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB55NF06LT4 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.75 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
250+ | 1.22 EUR |
500+ | 1.20 EUR |
STB55NF06T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
STB57N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB60NF06LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB60NF06T4 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 1.99 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
250+ | 1.37 EUR |
STB6NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.53 EUR |
37+ | 1.97 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
STB75NF20 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 75A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: STripFET™ II
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STB75NF75LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.13 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
32+ | 2.27 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
250+ | 2.07 EUR |
STB75NF75T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STB7NK80ZT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.53 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
STB80N20M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STB80N20M5 SMD N channel transistors
STB80N20M5 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STB80NF10T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
16+ | 4.46 EUR |
100+ | 2.69 EUR |
STB9NK50ZT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STB9NK60ZT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STBB1-APUR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2...5.5V DC
Output voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 1.6A
Case: VFDFN10
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck-boost
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2÷5.5VDC; Uout: 1.2÷5.5VDC; 1.6A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 2...5.5V DC
Output voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 1.6A
Case: VFDFN10
Mounting: SMD
Frequency: 1.5MHz
Topology: buck-boost
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STBR3012G2-TR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STBR3012G2-TR SMD universal diodes
STBR3012G2-TR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STBR3012G2Y-TR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STBR3012G2Y-TR SMD universal diodes
STBR3012G2Y-TR SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STBR3012W |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STBR3012W THT universal diodes
STBR3012W THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STBR3012WY |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STBR3012WY THT universal diodes
STBR3012WY THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STBR6012W |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STBR6012W THT universal diodes
STBR6012W THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STBR6012WY |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STBR6012WY THT universal diodes
STBR6012WY THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STC3100IST |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STC3100IST Battery and battery cells controllers
STC3100IST Battery and battery cells controllers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STC3115AIJT |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion/Polymer; CSP10; 2.7÷4.5VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery monitor
Integrated circuit features: Li-Ion/Polymer
Mounting: SMD
Case: CSP10
Supply voltage: 2.7...4.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Interface: I2C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery monitor; Li-Ion/Polymer; CSP10; 2.7÷4.5VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery monitor
Integrated circuit features: Li-Ion/Polymer
Mounting: SMD
Case: CSP10
Supply voltage: 2.7...4.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Interface: I2C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STC4054GR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.49 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.50 EUR |
250+ | 1.44 EUR |
STCC2540IQTR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: VFQFPN16
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: power switch; USB switch; VFQFPN16; reel,tape; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: VFQFPN16
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCN75DS2F |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STCN75DS2F Temperature transducers
STCN75DS2F Temperature transducers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCS05DR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STCS05DR LED drivers
STCS05DR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCS1APHR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STCS1APHR LED drivers
STCS1APHR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCS1APUR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STCS1APUR LED drivers
STCS1APUR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCS1PHR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STCS1PHR LED drivers
STCS1PHR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCS1PUR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STCS1PUR LED drivers
STCS1PUR LED drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STCS2ASPR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PowerSO10
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 2A
Number of channels: 1
Input voltage: 4.5...40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PowerSO10
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 2A
Number of channels: 1
Input voltage: 4.5...40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.66 EUR |
22+ | 3.39 EUR |
25+ | 2.92 EUR |
26+ | 2.76 EUR |
100+ | 2.72 EUR |
250+ | 2.66 EUR |
STCS2SPR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PowerSO10
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 2A
Number of channels: 1
Input voltage: 4.5...40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PowerSO10
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Output current: 2A
Number of channels: 1
Input voltage: 4.5...40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.43 EUR |
22+ | 3.26 EUR |
25+ | 2.90 EUR |
27+ | 2.73 EUR |
100+ | 2.67 EUR |
STD100N10F7 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 320A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 320A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD10N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.63 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
500+ | 1.09 EUR |
STD10NF10T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.80 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
178+ | 0.40 EUR |
189+ | 0.38 EUR |
STD10NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
90+ | 0.80 EUR |
STD10NM60ND |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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STD10P6F6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD10P6F6 SMD P channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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60+ | 1.21 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
STD11NM60ND |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD11NM60ND SMD N channel transistors
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