Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (171193) > Seite 1148 nach 2854
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SCT30N120H | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 230W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCT50N120 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCTH100N65G2-7AG | STMicroelectronics |
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SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: H2PAK7 On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 73nC Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 90A Drain current: 45A Power dissipation: 208W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: H2PAK7 On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 73nC Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 90A Drain current: 45A Power dissipation: 208W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 238W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 33A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 250W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics |
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SCTH70N120G2V-7 | STMicroelectronics |
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SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics |
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SCTL35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: PowerFLAT 8x8 On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 73nC Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 160A Drain current: 40A Power dissipation: 417W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTL90N65G2V | STMicroelectronics |
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SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics |
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SCTW35N65G2V | STMicroelectronics |
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SCTW35N65G2VAG | STMicroelectronics |
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SCTW40N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTW40N120G2VAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 290W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Technology: SiC Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTW60N120G2 | STMicroelectronics |
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SCTW70N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 91A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 547W Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTW90N65G2V | STMicroelectronics |
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SCTWA10N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTWA20N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCTWA30N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCTWA35N65G2V | STMicroelectronics |
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SCTWA35N65G2V-4 | STMicroelectronics |
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SCTWA40N120G2V | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTWA40N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 107A Power dissipation: 277W Case: HIP247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SCTWA50N120 | STMicroelectronics |
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SCTWA60N120G2-4 | STMicroelectronics |
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SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
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SCTWA90N65G2V | STMicroelectronics |
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SCTWA90N65G2V-4 | STMicroelectronics |
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SD2932W | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SD2942W | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W Case: M244 Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 130V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 17dB Output power: 350W Power dissipation: 500W Efficiency: 61% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SERC816 | STMicroelectronics |
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SG2525AN | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Case: DIP16 Output current: 0.5A Output voltage: 0.2...5.6V Number of channels: 2 Mounting: THT Supply voltage: 8...35V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SG2525AP | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 0.2...5.6V Number of channels: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 8...35V Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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SG3524N | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SG3524P | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Topology: flyback; push-pull Kind of integrated circuit: PWM controller Case: SO16 Output current: 0.1A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Application: SMPS Frequency: 0.45MHz Kind of package: tube Supply voltage: 8...40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SGT120R65AL | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 192W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SLVU2.8-4A1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 4; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Max. forward impulse current: 30A Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: SMD Case: SO8 Max. off-state voltage: 2.8V Kind of package: reel; tape Version: ESD Number of channels: 4 Leakage current: 0.2µA Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SLVU2.8-8A1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 8; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Max. forward impulse current: 30A Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: SMD Case: SO8 Max. off-state voltage: 2.8V Kind of package: reel; tape Version: ESD Number of channels: 8 Leakage current: 0.2µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T100A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: SMD Case: SMC Max. off-state voltage: 85.5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 11A Breakdown voltage: 100V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1339 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T100CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: SMD Case: SMC Max. off-state voltage: 85.5V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 11A Breakdown voltage: 100V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T12A | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T12CA | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SM15T150CA | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T15A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 71A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T15CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; bidirectional; SMC; reel,tape Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Case: SMC Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: SMD Max. off-state voltage: 12.8V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 71A Breakdown voltage: 15V Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SM15T18A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 15.3V Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 59.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T18CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 15.3V Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 59.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T200A | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2514 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T200CA | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SM15T220A | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2393 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T220CA | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SM15T22A | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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SM15T22CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 22V; 4.6A; bidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 18.8V Breakdown voltage: 22V Max. forward impulse current: 4.6A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3905 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SM15T24A | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SM15T24CA | STMicroelectronics |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SM15T27A | STMicroelectronics |
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SCT30N120H |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCT50N120 |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
SCT50N120 THT N channel transistors
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 50.26 EUR |
30+ | 48.33 EUR |
SCTH100N65G2-7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTH35N65G2V-7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTH35N65G2V-7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: H2PAK7
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTH40N120G2V-7 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
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SCTH40N120G2V7AG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTH60N120G2-7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
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SCTH70N120G2V-7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
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SCTH90N65G2V-7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SCTL35N65G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: PowerFLAT 8x8
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Power dissipation: 417W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: PowerFLAT 8x8
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73nC
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Power dissipation: 417W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SCTL90N65G2V |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
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SCTW100N65G2AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
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SCTW35N65G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
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SCTW35N65G2VAG |
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Hersteller: STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
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SCTW40N120G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SCTW40N120G2VAG |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SCTW60N120G2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTW70N120G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTW90N65G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA10N120 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA20N120 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
4+ | 17.88 EUR |
120+ | 13.14 EUR |
SCTWA30N120 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
2+ | 35.75 EUR |
SCTWA35N65G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA35N65G2V-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA40N120G2V |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA40N120G2V-4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA50N120 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA50N120 THT N channel transistors
SCTWA50N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA60N120G2-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA60N120G2-4 THT N channel transistors
SCTWA60N120G2-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA90N65G2V |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SCTWA90N65G2V-4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SD2932W |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 125V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16dB
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 60%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 125V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16dB
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 60%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SD2942W |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SERC816 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SERC816 Interfaces others - integrated circuits
SERC816 Interfaces others - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SG2525AN |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Supply voltage: 8...35V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Supply voltage: 8...35V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
SG2525AP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...35V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...35V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SG3524N |
![]() ![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SG3524N-ST Voltage regulators - PWM circuits
SG3524N-ST Voltage regulators - PWM circuits
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.42 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
SG3524P |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.8 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
48+ | 1.5 EUR |
SGT120R65AL |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 192W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 192W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SLVU2.8-4A1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Max. forward impulse current: 30A
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: SMD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 2.8V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 4
Leakage current: 0.2µA
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Max. forward impulse current: 30A
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: SMD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 2.8V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 4
Leakage current: 0.2µA
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SLVU2.8-8A1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Max. forward impulse current: 30A
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: SMD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 2.8V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 8
Leakage current: 0.2µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Max. forward impulse current: 30A
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: SMD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 2.8V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Number of channels: 8
Leakage current: 0.2µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.2 EUR |
63+ | 1.15 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
142+ | 0.5 EUR |
2500+ | 0.49 EUR |
SM15T100A |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.17 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
5000+ | 0.33 EUR |
SM15T100CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.2 EUR |
73+ | 0.98 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
181+ | 0.4 EUR |
SM15T12A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T12A Unidirectional TVS SMD diodes
SM15T12A Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.17 EUR |
226+ | 0.32 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
SM15T12CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T12CA Bidirectional TVS SMD diodes
SM15T12CA Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T150CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T150CA Bidirectional TVS SMD diodes
SM15T150CA Bidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.59 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
186+ | 0.39 EUR |
SM15T15A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
248+ | 0.29 EUR |
262+ | 0.27 EUR |
SM15T15CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; bidirectional; SMC; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Case: SMC
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 12.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 71A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; bidirectional; SMC; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Case: SMC
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 12.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 71A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T18A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
113+ | 0.63 EUR |
288+ | 0.25 EUR |
305+ | 0.23 EUR |
SM15T18CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
57+ | 1.27 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
229+ | 0.31 EUR |
242+ | 0.3 EUR |
SM15T200A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T200A Unidirectional TVS SMD diodes
SM15T200A Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.32 EUR |
212+ | 0.34 EUR |
225+ | 0.32 EUR |
SM15T200CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T200CA Bidirectional TVS SMD diodes
SM15T200CA Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T220A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T220A Unidirectional TVS SMD diodes
SM15T220A Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
207+ | 0.35 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
SM15T220CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T220CA-ST Bidirectional TVS SMD diodes
SM15T220CA-ST Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T22A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T22A Unidirectional TVS SMD diodes
SM15T22A Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T22CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 22V; 4.6A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 18.8V
Breakdown voltage: 22V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 22V; 4.6A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 18.8V
Breakdown voltage: 22V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
262+ | 0.27 EUR |
277+ | 0.26 EUR |
5000+ | 0.25 EUR |
SM15T24A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T24A-ST Unidirectional TVS SMD diodes
SM15T24A-ST Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T24CA |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T24CA Bidirectional TVS SMD diodes
SM15T24CA Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SM15T27A |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
SM15T27A Unidirectional TVS SMD diodes
SM15T27A Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH