Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (170059) > Seite 1151 nach 2835
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD5N52K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 2.77A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1264 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD5N52U | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD5N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD5N62K3 | STMicroelectronics |
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STD5N80K5 | STMicroelectronics |
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STD5N95K3 | STMicroelectronics |
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STD5N95K5 | STMicroelectronics |
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STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
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STD5NK40ZT4 | STMicroelectronics |
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STD5NK50ZT4 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD60NF06T4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD60NF55LT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD65N55F3 | STMicroelectronics |
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STD6N52K3 | STMicroelectronics |
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STD6N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD6N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD6N95K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD6NF10T4 | STMicroelectronics |
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STD7N52DK3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD7N52K3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 3.8A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD7N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD7N80K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD7N90K5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD7NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD7NM80 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.5A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD80N10F7 | STMicroelectronics |
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STD86N3LH5 | STMicroelectronics |
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STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD8NM50N | STMicroelectronics |
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STD95N2LH5 | STMicroelectronics |
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STD95N4F3 | STMicroelectronics |
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STD95N4LF3 | STMicroelectronics |
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STD95P3LLH6AG | STMicroelectronics |
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STD96N3LLH6 | STMicroelectronics |
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STD9N40M2 | STMicroelectronics |
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STD9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD9N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 76W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 13.4A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD9N65DM6AG | STMicroelectronics | STD9N65DM6AG SMD N channel transistors |
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STD9N65M2 | STMicroelectronics |
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STD9N80K5 | STMicroelectronics |
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STD9NM50N | STMicroelectronics |
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STD9NM60N | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 745mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.4nC Pulsed drain current: 26A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STDRIVE101 | STMicroelectronics |
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STDRIVE101TR | STMicroelectronics |
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STDRIVE601 | STMicroelectronics |
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STDRIVE601TR | STMicroelectronics |
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STDRIVEG600 | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO16; -6÷5.5A; Ch: 1 Mounting: SMD Case: SO16 Supply voltage: 4.75...20V Output current: -6...5.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 60ns Number of channels: 1 Kind of package: tube Kind of integrated circuit: gate driver Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STDRIVEG600TR | STMicroelectronics |
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STE145N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W Drain-source voltage: 650V Drain current: 90A On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 679W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 572A Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STE48NM50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 192A Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STE53NC50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 70mΩ Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 460W Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STE70NM60 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A Power dissipation: 600W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Kind of package: tube Type of module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 44A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STE88N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Power dissipation: 494W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Pulsed drain current: 352A Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STEF12H60MAPUR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: eFuse; 60A; SMD; QFN32; reel,tape; -40÷125°C Case: QFN32 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 5...18V DC On-state resistance: 0.85mΩ Output current: 60A Type of integrated circuit: eFuse Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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STEF4SPUR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: eFuse; Ch: 3; SMD; DFN3x3; reel,tape; -40÷80°C; 10V Type of integrated circuit: eFuse Mounting: SMD Number of channels: 3 Case: DFN3x3 Operating temperature: -40...80°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 10V On-state resistance: 70mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STEF512SRXCPUR | STMicroelectronics | STEF512SRXCPUR Power switches - integrated circuits |
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STD5N52K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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47+ | 1.53 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
5000+ | 0.44 EUR |
STD5N52U |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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53+ | 1.37 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
2500+ | 0.80 EUR |
STD5N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD5N62K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD5N62K3 SMD N channel transistors
STD5N62K3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STD5N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD5N80K5 SMD N channel transistors
STD5N80K5 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STD5N95K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD5N95K3 SMD N channel transistors
STD5N95K3 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
STD5N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD5N95K5 SMD N channel transistors
STD5N95K5 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD5NK40Z-1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STD5NK40ZT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD5NK40ZT4 SMD N channel transistors
STD5NK40ZT4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STD5NK50ZT4 | ![]() |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD5NK60ZT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD5NM60-1 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.07 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
STD5NM60T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD60NF06T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD60NF55LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.32 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
87+ | 0.82 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
STD65N55F3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD65N55F3 SMD N channel transistors
STD65N55F3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STD6N52K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD6N52K3 SMD N channel transistors
STD6N52K3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD6N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD6N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD6N95K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 9A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD6NF10T4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD6NF10T4 SMD N channel transistors
STD6NF10T4 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7N52DK3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
STD7N52K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7N90K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7NK40ZT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD7NM80 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD80N10F7 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD80N10F7 SMD N channel transistors
STD80N10F7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD86N3LH5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD86N3LH5 SMD N channel transistors
STD86N3LH5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD8N65M5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.90 EUR |
28+ | 2.57 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
STD8NM50N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD8NM50N SMD N channel transistors
STD8NM50N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD95N2LH5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD95N2LH5 SMD N channel transistors
STD95N2LH5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD95N4F3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD95N4F3 SMD N channel transistors
STD95N4F3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD95N4LF3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
STD95N4LF3 SMD N channel transistors
STD95N4LF3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STD95P3LLH6AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD95P3LLH6AG SMD P channel transistors
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STD96N3LLH6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD96N3LLH6 SMD N channel transistors
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STD9N40M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD9N40M2 SMD N channel transistors
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STD9N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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STD9N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STD9N65DM6AG |
Hersteller: STMicroelectronics
STD9N65DM6AG SMD N channel transistors
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STD9N65M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD9N65M2 SMD N channel transistors
STD9N65M2 SMD N channel transistors
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STD9N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD9N80K5 SMD N channel transistors
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STD9NM50N |
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Hersteller: STMicroelectronics
STD9NM50N SMD N channel transistors
STD9NM50N SMD N channel transistors
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STD9NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 745mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.4nC
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 745mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.4nC
Pulsed drain current: 26A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STDRIVE101 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STDRIVE101 MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE101 MOSFET/IGBT drivers
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STDRIVE101TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
STDRIVE101TR MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE101TR MOSFET/IGBT drivers
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STDRIVE601 |
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Hersteller: STMicroelectronics
STDRIVE601 MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE601 MOSFET/IGBT drivers
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STDRIVE601TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
STDRIVE601TR MOSFET/IGBT drivers
STDRIVE601TR MOSFET/IGBT drivers
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STDRIVEG600 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO16; -6÷5.5A; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 4.75...20V
Output current: -6...5.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 60ns
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO16; -6÷5.5A; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 4.75...20V
Output current: -6...5.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 60ns
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STDRIVEG600TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
STDRIVEG600TR MOSFET/IGBT drivers
STDRIVEG600TR MOSFET/IGBT drivers
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STE145N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 679W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 572A
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 679W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 572A
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STE48NM50 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 192A
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 192A; 450W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 192A
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STE53NC50 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.66 EUR |
STE70NM60 | ![]() |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Kind of package: tube
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 70A; ISOTOP; screw; Idm: 44A; 600W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Kind of package: tube
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STE88N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55.7A
Power dissipation: 494W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 352A
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55.7A
Power dissipation: 494W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 352A
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STEF12H60MAPUR |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; 60A; SMD; QFN32; reel,tape; -40÷125°C
Case: QFN32
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 5...18V DC
On-state resistance: 0.85mΩ
Output current: 60A
Type of integrated circuit: eFuse
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; 60A; SMD; QFN32; reel,tape; -40÷125°C
Case: QFN32
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 5...18V DC
On-state resistance: 0.85mΩ
Output current: 60A
Type of integrated circuit: eFuse
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STEF4SPUR |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; Ch: 3; SMD; DFN3x3; reel,tape; -40÷80°C; 10V
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Case: DFN3x3
Operating temperature: -40...80°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10V
On-state resistance: 70mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: eFuse; Ch: 3; SMD; DFN3x3; reel,tape; -40÷80°C; 10V
Type of integrated circuit: eFuse
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Case: DFN3x3
Operating temperature: -40...80°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10V
On-state resistance: 70mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STEF512SRXCPUR |
Hersteller: STMicroelectronics
STEF512SRXCPUR Power switches - integrated circuits
STEF512SRXCPUR Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH