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ES1ALHMTG ES1ALHMTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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ES1ALHRQG ES1ALHRQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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ES1ALHRUG ES1ALHRUG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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ES1AL RQG ES1AL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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1N5263B A0G 1N5263B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5221B%20SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
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BZW04-78 R1G BZW04-78 R1G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_J2104.pdf Description: TVS DIODE 78VWM 125VC DO204AL
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SRS10100H SRS10100H Taiwan Semiconductor Corporation SRS1020H SERIES_A2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SRS10150H SRS10150H Taiwan Semiconductor Corporation SRS1020H SERIES_A2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MBRS10150CTH MBRS10150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035CTH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MBRS10100H MBRS10100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035H SERIES_A2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SMF58AH SMF58AH Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0AH SERIES_A2103.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 95VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 95V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BZD27C47PW BZD27C47PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47PW BZD27C47PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47PWH BZD27C47PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47PWH BZD27C47PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47P MQG BZD27C47P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P MHG BZD27C47P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RTG BZD27C47P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P R3G BZD27C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RQG BZD27C47P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P M2G BZD27C47P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RUG BZD27C47P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RFG BZD27C47P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RHG BZD27C47P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P MTG BZD27C47P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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TESDL5V0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECT
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TESDL5V0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECT
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TESDL12V RWG Taiwan Semiconductor Corporation TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTEC
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TESDL12V RWG Taiwan Semiconductor Corporation TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTEC
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TESDL24V RWG TESDL24V RWG Taiwan Semiconductor Corporation TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf Description: 1005, 24V, 47W, 10PF, ESD PROTEC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 47W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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TESDL24V RWG TESDL24V RWG Taiwan Semiconductor Corporation TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf Description: 1005, 24V, 47W, 10PF, ESD PROTEC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 47W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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SF18G B0G SF18G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18G R0G SF18G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18G R1G SF18G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHR0G SF18GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHA0G SF18GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHR1G SF18GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHB0G SF18GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SMA4S30AH SMA4S30AH Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SMA4S30AH Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SOD-128
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
31+ 0.57 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.2 EUR
5000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
P6KE8.2AH P6KE8.2AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS 600W 8.2V 5% DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 52A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.02V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.79V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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SK810CH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB
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SK810C R6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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SK810C R6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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SK810C R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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SK810C M6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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P4KE27CA R0G P4KE27CA R0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL
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P4KE27A B0G P4KE27A B0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
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P4KE27CAHA0G P4KE27CAHA0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL
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P6SMB16A R5G P6SMB16A R5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO214AA
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P6SMB16AHR5G P6SMB16AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO214AA
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P6SMB16AHM4G P6SMB16AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO214AA
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RS2A R5G RS2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
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RS2A M4G RS2A M4G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
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RS2AA M2G RS2AA M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_H2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
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RS2A RS2A Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
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RS2AAHM2G RS2AAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_H2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
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TS10K60-A D3G TS10K60-A D3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10K40-A SERIES_C1907.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A TS4K
auf Bestellung 9193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
14+ 1.3 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.57 EUR
5000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TS10K60HD3G TS10K60HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10K40%20SERIES_F2101.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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UF4001H UF4001H Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MBR20H200CT MBR20H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H100CT SERIES_I2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
50+ 1.7 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9
ES1ALHMTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1ALHMTG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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ES1ALHRQG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1ALHRQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
ES1ALHRUG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1ALHRUG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
ES1AL RQG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1AL RQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
1N5263B A0G 1N5221B%20SERIES_G1804.pdf
1N5263B A0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
BZW04-78 R1G BZW04%20SERIES_J2104.pdf
BZW04-78 R1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 78VWM 125VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
SRS10100H SRS1020H SERIES_A2103.pdf
SRS10100H
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
SRS10150H SRS1020H SERIES_A2103.pdf
SRS10150H
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
MBRS10150CTH MBRS1035CTH SERIES_A2103.pdf
MBRS10150CTH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 150V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
MBRS10100H MBRS1035H SERIES_A2103.pdf
MBRS10100H
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
SMF58AH SMF5.0AH SERIES_A2103.pdf
SMF58AH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 95VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 95V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BZD27C47PW BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf
BZD27C47PW
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47PW BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf
BZD27C47PW
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47PWH BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf
BZD27C47PWH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47PWH BZD27C11PW%20SERIES_D2203.pdf
BZD27C47PWH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SOD123W
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BZD27C47P MQG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P MQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P MHG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RTG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P RTG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P R3G BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RQG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P RQG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P M2G BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RUG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P RUG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RFG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P RHG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P RHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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BZD27C47P MTG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C47P MTG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1W SUB SMA
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TESDL5V0 RWG TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECT
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TESDL5V0 RWG TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 5V, 75W, 15PF, ESD PROTECT
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TESDL12V RWG TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTEC
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TESDL12V RWG TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 12V, 25W, 12PF, ESD PROTEC
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TESDL24V RWG TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf
TESDL24V RWG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 24V, 47W, 10PF, ESD PROTEC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 47W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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TESDL24V RWG TESDL5V0%20SERIES_E15.pdf
TESDL24V RWG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1005, 24V, 47W, 10PF, ESD PROTEC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1005 (2512 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 1005
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 47W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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SF18G B0G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18G B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18G R0G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18G R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18G R1G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18G R1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHR0G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18GHR0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHA0G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18GHA0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
SF18GHR1G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18GHR1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SF18GHB0G SF11G%20SERIES_H2104.pdf
SF18GHB0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
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SMA4S30AH pdf.php?pn=SMA4S30AH
SMA4S30AH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SOD-128
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.74 EUR
31+ 0.57 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.2 EUR
5000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
P6KE8.2AH
P6KE8.2AH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 600W 8.2V 5% DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 52A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.02V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.79V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.1V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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SK810CH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB
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SK810C R6
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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SK810C R6G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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SK810C R7
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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SK810C M6
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY DO214AB
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P4KE27CA R0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE27CA R0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL
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P4KE27A B0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE27A B0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
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P4KE27CAHA0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE27CAHA0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO204AL
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P6SMB16A R5G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB16A R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO214AA
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P6SMB16AHR5G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB16AHR5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
P6SMB16AHM4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB16AHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
RS2A R5G RS2A%20SERIES_K2102.pdf
RS2A R5G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
RS2A M4G RS2A%20SERIES_K2102.pdf
RS2A M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
RS2AA M2G RS2AA%20SERIES_H2102.pdf
RS2AA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
RS2A
RS2A
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
RS2AAHM2G RS2AA%20SERIES_H2102.pdf
RS2AAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
TS10K60-A D3G TS10K40-A SERIES_C1907.pdf
TS10K60-A D3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A TS4K
auf Bestellung 9193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+1.48 EUR
14+ 1.3 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.57 EUR
5000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TS10K60HD3G TS10K40%20SERIES_F2101.pdf
TS10K60HD3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A TS4K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS4K
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
UF4001H
UF4001H
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
MBR20H200CT MBR20H100CT SERIES_I2104.pdf
MBR20H200CT
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.13 EUR
50+ 1.7 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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