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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
WSLP1206R0150FEA.	VISHAY	Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1% tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.635mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric] Widerstandstechnologie: Metal Strip hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstand: 0.015ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: WSLP Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 1.6mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHA22N60EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MAL215299705E3	VISHAY	Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V tariffCode: 85322200 Produkthöhe: 22mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD Polarität: Polarisiert rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: AEC-Q200 usEccn: EAR99 Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C Betriebstemperatur, min.: -40°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): - Produktlänge: - euEccn: NLR Kapazität: 15µF Spannung (DC): 450V Rippelstrom: 110mA Produktpalette: 152 CME Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: 16mm Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse Betriebstemperatur, max.: 105°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTCS0805E3104SMT	VISHAY	Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012] tariffCode: 85334010 Thermistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX Thermistor: NTC Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Fühlerdurchmesser: - Qualifikation: - Widerstand (25°C): 100kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Thermische Zeitkonstante (in Luft): - Anschlusslänge: - NTC-Montage: Oberflächenmontage euEccn: NLR B-Konstante: 3590K Toleranz B-Konstante: ±1% NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012] Produktpalette: NTCS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Widerstandstoleranz (25°C): ±1% Fühlermaterial: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 8458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ1812Y474KXAAT	VISHAY	Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.58mm euEccn: NLR Kapazität: 0.47µF Spannung (DC): 50V Produktpalette: VJ Commercial Series productTraceability: No Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA99DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR680LDP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 17895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA00DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR638DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR680DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 7180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR580DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHD3N50D-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)	auf Bestellung 2664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR872ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)	auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA20DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA90DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 13477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR668DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 15112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR668ADP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 13339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR570DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR668ADP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 13339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA99DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR580DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR680DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 7180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR638DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA80DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHD5N50D-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 1261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHD3N50D-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)	auf Bestellung 2664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR510DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 8856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR510DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 8856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR570DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR680LDP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 17895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR872ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)	auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA20DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR668DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 15112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIRA00DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ0603A5R6CXACW1BC	VISHAY	Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0 tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 5.6pF Spannung (DC): 50V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ0603D5R6CXPAJ	VISHAY	Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0 tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 0.25pF Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 5.6pF Spannung (DC): 250V Produktpalette: VJ HIFREQ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ1206A100JXGAT5Z	VISHAY	Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0 tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 5% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Kapazität: 10pF Spannung (DC): 1kV Produktpalette: VJ HVArc Guard Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW20101K00JNEF-DEL	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010 tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 0 Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 0 usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: 0 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K Produktlänge: 0 euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Produktbreite: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW20102R00JNEF	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010 tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 750mW Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 2ohm usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: 200ppm/K Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 3905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ0603Y564KXQCW1BC	VISHAY	Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 0.56µF Spannung (DC): 10V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ0603Y473JXQPW1BC	VISHAY	Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 5% Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 0.047µF Spannung (DC): 10V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 17909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ0603Y564KXQCW1BC	VISHAY	Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 0.56µF Spannung (DC): 10V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI4497DY-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI4497DY-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ1206A470KXBPW1BC	VISHAY	Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0 tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 10% Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Kapazität: 47pF Spannung (DC): 100V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 8172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1.5KE18A-E3/54.	VISHAY	Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 18.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15.3V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 25.2V SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI7949DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIZ342ADT-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 3808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIZ998BDT-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI3552DV-T1-E3	VISHAY	Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI1539CDL-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQ1539EH-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW04022R20FKED	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW04022R20FKED - DICKSCHICHTWIDERSTAND 2R2 1% 0.063W 0402 tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 62.5mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 31958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW12062R20FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 31846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW08052R20FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 12591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW08052R20FKEAHP	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEAHP - WIDERSTAND AEC-Q200 2R2 1% 0.5W 0805 tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-HP e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 5335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW12062R20FKEAHP	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEAHP - DICKSCHICHTWIDERSTAND 2R2 1% 0.75W 1206 tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 750mW Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 3.1mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-HP e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 16296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW12062R20FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW08052R20FKEAHP	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung Widerstand: 2.2ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-HP e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 5395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WSLP1206R0150FEA.

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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