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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
R60Copper Mountain TechnologiesDescription: NETWORK ANALYZER 1-PORT 6 GHZ
Packaging: Box
Features: 1 Port
Style: Bench
Frequency Range: 1MHz ~ 6GHz
Part Status: Active
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R60-050 (FRX050-60F)
Produktcode: 170731		Sicherungen > Rückstellbare Sicherungen
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R60-10JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #3/8
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 3/8 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R60-10 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030917-00
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R60-10(NJ)JST CorporationR60-10(NJ)
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.34 EUR
73+ 2.07 EUR
100+ 1.62 EUR
200+ 1.46 EUR
800+ 1.4 EUR
1600+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 67
R60-3001002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 10MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.787" (20.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.394" (10.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001102Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 11MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.827" (21.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.433" (11.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001202Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001202Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 12MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.472" (12.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001302Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 13MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.906" (23.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.512" (13.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001402Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 14MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.551" (14.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 15MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.984" (25.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.591" (15.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001502Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3001602Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 16MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.024" (26.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.630" (16.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
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R60-3001802Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 18MM
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R60-3002002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 20MM
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R60-3002002Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
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R60-3002502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 25MM
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R60-3002502Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
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R60-3003002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 30MM
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R60-3003002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
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R60-3003502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 35MM
Produkt ist nicht verfügbar
R60-3004002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
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R60-3004002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 40MM
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R60-8JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #5/16
Features: Brazed Seam
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 5/16 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
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R60-8 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030907-00
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R600-000-000Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases HI TEMP GASKE
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R600-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R600-000-001Hammond2.5mm X 1M Std Rolec Gasket
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R600-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R600-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket
Produkt ist nicht verfügbar
R600-000-002HammondRolec Gasket 3.0mm X 1M
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R600-000-003Hammond3.5mm X 1M Std Rolec Gasket
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R600-000-003Hammond ManufacturingDescription: GASKET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R600-000-003Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket, Rolec 3.5mm x 1M
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R600-008-080Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket for R583.080 BUF14-11032T
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R6000
auf Bestellung 7457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6000TE ConnectivityTE Connectivity
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R6000Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2.36" x 984'
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+237.78 EUR
10+ 221.92 EUR
R6000W.H. BradyLabels Thermal Transfer Printable Label Resin Black 59.95x299923mm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+244.65 EUR
2+ 233.89 EUR
3+ 218.85 EUR
5+ 202.78 EUR
10+ 193.38 EUR
R6000625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
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R6000825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-
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R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
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R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6000ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 0.5A, SOP8, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+ 1.16 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.62 EUR
2500+ 0.59 EUR
5000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
16+ 1.17 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 13
R6001REED InstrumentsDescription: TEMP AND HUMIDITY MONITOR
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6001
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6001-KITREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Calibration Kit
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
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R6001-NISTREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
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R6001030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,FWD,STD,RO
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6001225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6001NLiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tube
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.7 EUR
10+ 28.85 EUR
25+ 27.88 EUR
50+ 25 EUR
100+ 24.04 EUR
R6001NLTiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R6002BRADYDescription: BRADY - R6002 - THERMAL TRANSFER PRINTER RIBBON, BLACK, 3.27IN W
tariffCode: 39191080
Art des Zubehörs: Printer Ribbon
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+280.4 EUR
2+ 260.69 EUR
3+ 243.13 EUR
5+ 227.29 EUR
R6002Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIBBON 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 3.27" x 984'
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+305.8 EUR
10+ 294.88 EUR
25+ 290.51 EUR
R6002025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9
Produkt ist nicht verfügbar
R6002030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9
Produkt ist nicht verfügbar
R6002225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+ 1.42 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.76 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.58 EUR
295+ 0.51 EUR
304+ 0.48 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 271
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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164+0.96 EUR
250+ 0.89 EUR
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1000+ 0.76 EUR
2500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 164
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+0.96 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 164
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
13+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002ENDTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
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R6002ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
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R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
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10+1.9 EUR
12+ 1.55 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1.02 EUR
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R6002ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
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100+ 1.2 EUR
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1000+ 0.86 EUR
2500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
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R6002JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintaini
auf Bestellung 3980 Stücke:
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3+1.33 EUR
10+ 1.18 EUR
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2000+ 0.52 EUR
4000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
15+ 1.19 EUR
25+ 1.11 EUR
100+ 0.91 EUR
250+ 0.84 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.26 EUR
255+ 0.59 EUR
279+ 0.52 EUR
280+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 125
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6002PCBrady CorporationDescription: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984
Packaging: Bulk
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R6003-00HarwinStandoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
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R6003-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM
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R60030-1COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-1PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-1PRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-1SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-1SRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-2COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-2CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-2PRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-2PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-2SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-2SRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-3COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60030-3PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
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R60030-3PRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
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R60030-3SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
13+ 1.36 EUR
25+ 1.27 EUR
100+ 1.04 EUR
250+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
R6003JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1.3A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6003JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintai
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+ 1.34 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.59 EUR
4000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 44W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+ 2.65 EUR
100+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+ 2.06 EUR
100+ 1.75 EUR
250+ 1.61 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.27 EUR
2500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6003KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
R6004CNDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
auf Bestellung 4226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
auf Bestellung 4226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
10+ 2.1 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2370 Stücke:
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243+0.64 EUR
252+ 0.6 EUR
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1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 243
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Power MOSFET. Power MOSFET R6004END3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+ 1.95 EUR
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250+ 1.52 EUR
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1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.14 EUR
5000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 59
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004END4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 3951 Stücke:
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2+1.56 EUR
10+ 1.28 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.69 EUR
2000+ 0.65 EUR
4000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
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12+1.57 EUR
13+ 1.39 EUR
25+ 1.32 EUR
100+ 1.09 EUR
250+ 1.02 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
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138+1.14 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 138
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004ENDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2404 Stücke:
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2+2.41 EUR
10+ 2.16 EUR
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500+ 1.39 EUR
1000+ 1.09 EUR
2500+ 1.02 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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138+1.14 EUR
250+ 1.05 EUR
500+ 0.98 EUR
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2500+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 138
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.47 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.23 EUR
250+ 1.14 EUR
500+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 128
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+ 1.94 EUR
100+ 1.56 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.08 EUR
2000+ 1.01 EUR
5000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENXROHMDescription: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
10+ 2.18 EUR
100+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.43 EUR
115+ 1.32 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 109
R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.98 EUR
10+ 3.33 EUR
100+ 2.62 EUR
250+ 2.59 EUR
500+ 2.22 EUR
1000+ 1.88 EUR
2500+ 1.83 EUR
R6004ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.94 EUR
50+ 3.18 EUR
100+ 2.62 EUR
500+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+ 2.63 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+ 2.78 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.52 EUR
2500+ 1.42 EUR
5000+ 1.36 EUR
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
10+ 3.14 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6004JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
R6004JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6004JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+ 3.1 EUR
100+ 2.53 EUR
250+ 2.34 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.7 EUR
5000+ 1.68 EUR
R6004JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.14 EUR
10+ 3.43 EUR
100+ 2.73 EUR
500+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6004KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+ 3.61 EUR
25+ 3.41 EUR
100+ 2.9 EUR
R6004KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+ 2.76 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.8 EUR
R6004KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6004KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+ 2.85 EUR
100+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6004KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.29 EUR
250+ 2.11 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.63 EUR
2000+ 1.56 EUR
R6004KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.52 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.33 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6004KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.68 EUR
10+ 3.93 EUR
100+ 3.18 EUR
500+ 2.82 EUR
1000+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6004PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 600V 4A TO-252, Automotive Power MOSFET
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+ 4.35 EUR
100+ 3.56 EUR
500+ 3.03 EUR
1000+ 2.57 EUR
2500+ 2.43 EUR
5000+ 2.41 EUR
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6004RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.77 EUR
10000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
11+ 1.67 EUR
25+ 1.59 EUR
100+ 1.31 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R6005Brady CorporationDescription: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500'
Produkt ist nicht verfügbar
R6006W.H. BradyPrinter Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+166.61 EUR
2+ 159.26 EUR
3+ 149 EUR
5+ 138.01 EUR
R6006Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984'
Part Status: Active
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+160.86 EUR
10+ 150.14 EUR
R6006-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.547" (13.90mm)
Between Board Height: 0.248" (6.30mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
44+ 0.4 EUR
53+ 0.34 EUR
56+ 0.32 EUR
59+ 0.3 EUR
100+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6006-00HARWINDescription: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm
tariffCode: 39269097
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 6.3mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006-00HarwinStandoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.26 EUR
200+ 0.25 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R60060-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HOLDER
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1PRBussmann / EatonFuse Holder RPLCD BY R60060-1CR
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-1SRBussmann / EatonFuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 2
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60060-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.7 EUR
10+ 3.32 EUR
100+ 2.67 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6006ANDTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6006ANDTLROHM SemiconductorMOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6006ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6006ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.45 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 2.08 EUR
500+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 64
R6006ANXFU7
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+ 3.17 EUR
100+ 2.59 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.87 EUR
2500+ 1.75 EUR
5000+ 1.72 EUR
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 97
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.39 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.39 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+ 3.53 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
10+ 3.96 EUR
100+ 3.15 EUR
500+ 2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6006JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.15 EUR
100+ 1.98 EUR
250+ 1.83 EUR
500+ 1.69 EUR
1000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 73
R6006JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.68 EUR
10+ 3.77 EUR
100+ 3.1 EUR
250+ 2.85 EUR
500+ 2.59 EUR
1000+ 2.08 EUR
5000+ 2.04 EUR
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.57 EUR
105+ 1.44 EUR
250+ 1.33 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+ 2.73 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 2.08 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.62 EUR
2500+ 1.54 EUR
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.3 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.94 EUR
165+ 0.91 EUR
180+ 0.81 EUR
200+ 0.77 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 81
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
12+ 1.47 EUR
25+ 1.39 EUR
100+ 1.14 EUR
250+ 1.07 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+ 1.36 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.73 EUR
2000+ 0.69 EUR
4000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.68 EUR
100+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 94
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.4 EUR
10+ 3.65 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+ 3.59 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.76 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 2.04 EUR
2500+ 1.94 EUR
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
100+ 1.55 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+ 3.78 EUR
100+ 3.01 EUR
250+ 2.78 EUR
500+ 2.52 EUR
1000+ 2.29 EUR
2500+ 1.99 EUR
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.52 EUR
10+ 3.75 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.52 EUR
1000+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.63 EUR
50+ 3.37 EUR
100+ 3.13 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 44
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+419.41 EUR
10+ 404.42 EUR
25+ 398.43 EUR
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
10+ 3.13 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.1 EUR
1000+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
Produkt ist nicht verfügbar
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.26 EUR
127+ 1.19 EUR
133+ 1.09 EUR
200+ 1.04 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTL
Produktcode: 190145		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+ 2.73 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.54 EUR
5000+ 1.51 EUR
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
100+ 1.74 EUR
250+ 1.61 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 83
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.26 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.35 EUR
500+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
auf Bestellung 146 Stücke:
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5+4.08 EUR
10+ 3.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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1+4.07 EUR
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500+ 2.39 EUR
1000+ 1.99 EUR
2500+ 1.85 EUR
5000+ 1.8 EUR
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
50+ 3.69 EUR
100+ 3.03 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 4998 Stücke:
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1+4.61 EUR
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100+ 3.04 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.08 EUR
5000+ 2.02 EUR
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
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R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6007JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 2430 Stücke:
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1+3.01 EUR
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250+ 1.83 EUR
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1000+ 1.43 EUR
2500+ 1.36 EUR
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 94 Stücke:
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R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
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4+4.79 EUR
10+ 4.3 EUR
100+ 3.45 EUR
500+ 2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Produkt ist nicht verfügbar
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
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1000+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6007JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
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4+4.96 EUR
10+ 4.45 EUR
100+ 3.65 EUR
500+ 3.1 EUR
1000+ 2.62 EUR
2000+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 2322 Stücke:
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1+4.56 EUR
10+ 4.22 EUR
50+ 3.63 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.62 EUR
1000+ 2.24 EUR
R6007JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 7A TO-252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+ 2.06 EUR
100+ 1.65 EUR
250+ 1.53 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.36 EUR
2500+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.33 EUR
10+ 2.99 EUR
100+ 2.4 EUR
500+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6007KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6007KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6007KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+ 3.85 EUR
100+ 3.04 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.2 EUR
2500+ 2.08 EUR
R6007KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.7 EUR
10+ 3.91 EUR
100+ 3.11 EUR
500+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.52 EUR
105+ 1.44 EUR
110+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
10+ 2.27 EUR
25+ 2.14 EUR
100+ 1.83 EUR
250+ 1.71 EUR
500+ 1.5 EUR
1000+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6007RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.13 EUR
10000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6008-00HarwinStandoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6008-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
Produkt ist nicht verfügbar
R6008ANJ
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008ANJTL
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.31 EUR
100+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 68
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
10+ 4.29 EUR
100+ 3.45 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6008ANXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.39 EUR
10+ 4.84 EUR
100+ 3.98 EUR
500+ 3.38 EUR
1000+ 2.83 EUR
2500+ 2.69 EUR
5000+ 2.6 EUR
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6008FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+ 5.91 EUR
100+ 4.82 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.45 EUR
5000+ 3.4 EUR
10000+ 3.34 EUR
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6008FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6009W.H. BradyPrinter Ribbon Black Side Out
Produkt ist nicht verfügbar
R6009Brady CorporationDescription: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500'
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R6009-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.681" (17.30mm)
Between Board Height: 0.374" (9.50mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
31+ 0.58 EUR
37+ 0.48 EUR
39+ 0.46 EUR
50+ 0.44 EUR
100+ 0.39 EUR
250+ 0.37 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 26
R6009-00HarwinStandoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.54 EUR
100+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.58 EUR
104+ 1.46 EUR
250+ 1.35 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.16 EUR
2500+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 99
R6009END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Power MOSFET. Power MOSFET R6009END3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+ 3.08 EUR
100+ 2.62 EUR
250+ 2.5 EUR
500+ 2.22 EUR
1000+ 1.88 EUR
2500+ 1.74 EUR
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 5016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.01 EUR
10+ 3.34 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 2.25 EUR
1000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.89 EUR
85+ 1.79 EUR
530+ 0.27 EUR
534+ 0.26 EUR
538+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 83
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.56 EUR
100+ 2.36 EUR
250+ 2.18 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62
R6009ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+ 3.98 EUR
100+ 3.31 EUR
500+ 2.9 EUR
1000+ 2.38 EUR
2000+ 2.31 EUR
5000+ 2.2 EUR
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.02 EUR
10+ 5.4 EUR
100+ 4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6009ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+ 5.3 EUR
100+ 4.33 EUR
500+ 3.68 EUR
1000+ 2.94 EUR
5000+ 2.83 EUR
10000+ 2.78 EUR
R6009ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
50+ 3.48 EUR
100+ 2.97 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.13 EUR
R6009ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6009ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.35 EUR
50+ 3.45 EUR
100+ 2.96 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.56 EUR
10+ 4.09 EUR
100+ 3.29 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.34 EUR
120+ 1.27 EUR
530+ 0.27 EUR
541+ 0.26 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 117
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6009JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+ 3.4 EUR
100+ 2.69 EUR
250+ 2.64 EUR
500+ 2.27 EUR
1000+ 1.95 EUR
2500+ 1.83 EUR
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.51 EUR
100+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.51 EUR
10+ 3.79 EUR
100+ 3.06 EUR
500+ 2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+ 3.85 EUR
25+ 3.66 EUR
100+ 3.13 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.29 EUR
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.74 EUR
60+ 2.54 EUR
100+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 58
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 96
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.74 EUR
60+ 2.54 EUR
100+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 58
R6009JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.84 EUR
88+ 1.72 EUR
100+ 1.53 EUR
200+ 1.43 EUR
1000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85
R6009JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
50+ 4.19 EUR
100+ 3.6 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+ 3.31 EUR
50+ 2.59 EUR
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+ 2.22 EUR
100+ 1.76 EUR
250+ 1.62 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.46 EUR
2500+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6009KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.48 EUR
5000+ 1.43 EUR
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KNJTLROHMDescription: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.45 EUR
10+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6009KNJTLROHMDescription: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 81
R6009KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 71
R6009KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+ 2.97 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.51 EUR
5000+ 1.45 EUR
10000+ 1.42 EUR
R6009KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+ 3.15 EUR
100+ 2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+ 4.01 EUR
50+ 3.48 EUR
100+ 2.97 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.2 EUR
R6009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.47 EUR
10+ 3.75 EUR
100+ 3.03 EUR
500+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.35 EUR
118+ 1.28 EUR
123+ 1.18 EUR
200+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 116
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.98 EUR
87+ 1.74 EUR
107+ 1.37 EUR
200+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 79
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.13 EUR
100+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 74
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+ 2.35 EUR
25+ 2.22 EUR
100+ 1.89 EUR
250+ 1.78 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R6009RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.17 EUR
10000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R600CH08
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH10
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH12
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH14
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20C2G0
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20C2H0
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH20D2H0
Produktcode: 108459		WestcodeTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
R600CH20FY0
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R600CH25
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R601-000-000Hammond ManufacturingDescription: GASKET
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-000Hammond2.5mm X 1M Silicone Gasket
Produkt ist nicht verfügbar
R601-000-001Hammond3mm X 1M Silicone Gasket
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R601-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
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R601-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
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R601-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Silicone Gasket 3.5mm x 1M
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R601-000-002Hammond3.5mm X 1M Silicone Gasket
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R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
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Mindestbestellmenge: 2
R6010BRADYDescription: BRADY - R6010 - PRINTER RIBBON, BLACK, 22.9M
Art des Zubehörs: Farbband für Drucker
Zur Verwendung mit: Drucker der Produktreihen TLS 2200 & TLS PC Link von Brady
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
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R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
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R6010Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIB BK 1=75'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TLS-PC LINK™ Thermal Labeling System, TLS 2200® Thermal Labeling System
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2" x 75'
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1+109.89 EUR
10+ 99.6 EUR
R6010-00HarwinStandoffs & Spacers 10.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
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10+ 0.54 EUR
100+ 0.46 EUR
200+ 0.44 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6010-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM
auf Bestellung 424 Stücke:
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R6010-00HARWINDescription: HARWIN - R6010-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 10.5mm x 4mm
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
Höhe: 10.5
Außenbreite: 4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 143 Stücke:
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R6010...BRADYDescription: BRADY - R6010... - LABEL PRINTER RIBBON, 2IN W, 75FT L, BLACK
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Bandbreite: 0
Beschriftungsband: Thermal Transfer
euEccn: NLR
Länge des Bands: 0
Klebebandmaterial: Polyester
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Farbe des Beschriftungsbands: Black
Zur Verwendung mit: 0
usEccn: EAR99
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R60100-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-1CREaton ElectricalFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
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R60100-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-1STREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
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R60100-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
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R60100-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-3CREatonFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
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R60100-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3CRQBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
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R60100-3CRQEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R60100-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
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R60100-3SREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
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R601001 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 3.28'
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R601001 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
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R601002 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
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R601002 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 6.56'
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R601003 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables Belden Wire & Cable
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R601003 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 9.84'
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R601005 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
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R601005 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 16.4'
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R6010225XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010230XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
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R6010430XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
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R6010630XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010830XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
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R6010ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
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R6010ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 10A MOSFET
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R6010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.8 EUR
50+ 3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6010F00Harwin0
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6010F00HARWINCategory: Plastic Standoffs
Description: PCB distance
Type of spacer: PCB distance
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 212
R6010F00HARWINCategory: Plastic Standoffs
Description: PCB distance
Type of spacer: PCB distance
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
212+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 212
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.92 EUR
100+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.92 EUR
90+ 1.69 EUR
110+ 1.32 EUR
200+ 1.19 EUR
500+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 82
R6010YND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+ 2.6 EUR
100+ 2.08 EUR
250+ 1.92 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.49 EUR
2500+ 1.42 EUR
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
R6010YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+ 3.4 EUR
100+ 2.69 EUR
250+ 2.48 EUR
500+ 2.25 EUR
1000+ 1.94 EUR
3000+ 1.83 EUR
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.5 EUR
69+ 2.18 EUR
100+ 1.72 EUR
200+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.95 EUR
88+ 1.73 EUR
108+ 1.35 EUR
200+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 80
R6010YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+ 2.85 EUR
100+ 2.27 EUR
250+ 2.09 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.63 EUR
3000+ 1.55 EUR
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.96 EUR
100+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 80
R6011030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,REV,STD,RO
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6011225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
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R6011230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
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R6011425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
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R6011430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
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R6011625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
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R6011630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
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R6011825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
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R6011830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
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R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6011END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011END3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
10+ 4 EUR
100+ 3.17 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.27 EUR
2500+ 2.16 EUR
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
10+ 4.81 EUR
100+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.23 EUR
10+ 5.61 EUR
100+ 4.59 EUR
500+ 3.91 EUR
1000+ 3.29 EUR
2000+ 3.13 EUR
5000+ 3.01 EUR
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.27 EUR
10+ 5.62 EUR
100+ 4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6011ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6011ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+ 4.52 EUR
100+ 3.71 EUR
500+ 3.15 EUR
1000+ 2.64 EUR
2500+ 2.52 EUR
5000+ 2.41 EUR
R6011ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.12 EUR
50+ 4.06 EUR
100+ 3.48 EUR
500+ 3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+ 4.86 EUR
100+ 4 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 2.87 EUR
2000+ 2.71 EUR
5000+ 2.62 EUR
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 11
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6011KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply.
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+ 4.54 EUR
100+ 3.64 EUR
500+ 3.06 EUR
1000+ 2.53 EUR
2500+ 2.32 EUR
5000+ 2.31 EUR
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.89 EUR
10+ 4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+ 3.5 EUR
100+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6011KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.33 EUR
10+ 2.76 EUR
100+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6011KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+ 2.9 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.59 EUR
2500+ 1.48 EUR
5000+ 1.43 EUR
R6011KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R6011KNXROHMDescription: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
R6011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.79 EUR
10+ 5.2 EUR
100+ 4.26 EUR
500+ 3.63 EUR
1000+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.44 EUR
10+ 4.88 EUR
100+ 4 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.87 EUR
2000+ 2.73 EUR
5000+ 2.62 EUR
R6012025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6012625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
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R6012ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
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R6012ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.37 EUR
50+ 4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6012ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.38 EUR
50+ 4.07 EUR
100+ 3.78 EUR
250+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6012ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6012ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6012ANXFU7C7
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.11 EUR
50+ 3.81 EUR
100+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39
R6012FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNXROHMDescription: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 71
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.73 EUR
50+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.19 EUR
50+ 3.77 EUR
100+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.33 EUR
10+ 4.49 EUR
100+ 3.63 EUR
500+ 3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 160W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6012JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.44 EUR
10+ 4.56 EUR
25+ 4.33 EUR
100+ 3.7 EUR
250+ 3.5 EUR
500+ 3.29 EUR
1000+ 2.71 EUR
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6012JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.99 EUR
86+ 1.77 EUR
100+ 1.66 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 79
R6012JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.3 EUR
10+ 5.28 EUR
50+ 4.98 EUR
100+ 4.28 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.06 EUR
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6013W.H. BradyBlack 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+187.06 EUR
R6013Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON .5" DI BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242'
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+172.22 EUR
R6013-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.5 EUR
200+ 0.48 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.43 EUR
2000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6013-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Between Board Height: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
23+ 0.77 EUR
28+ 0.64 EUR
30+ 0.6 EUR
50+ 0.58 EUR
100+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.87 EUR
88+ 1.72 EUR
100+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 84
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
10+ 4.26 EUR
25+ 4.02 EUR
100+ 3.42 EUR
250+ 3.21 EUR
500+ 2.81 EUR
1000+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6013VND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A TO-252 POWER MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6013VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 8A TO-220FM POWER MOSFET
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+ 4.66 EUR
50+ 3.94 EUR
100+ 3.59 EUR
250+ 3.4 EUR
500+ 3.19 EUR
1000+ 2.73 EUR
R6013VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.33 EUR
10+ 4.79 EUR
50+ 4.53 EUR
100+ 3.92 EUR
250+ 3.72 EUR
500+ 3.34 EUR
1000+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.29 EUR
72+ 2.09 EUR
100+ 1.76 EUR
200+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 69
R6014YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+ 4.91 EUR
25+ 4.63 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.75 EUR
500+ 3.56 EUR
1000+ 3.01 EUR
R6014YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.215 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6014YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 9AR MOSFET
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+ 4.75 EUR
50+ 4.01 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.45 EUR
500+ 3.24 EUR
1000+ 2.78 EUR
R6014YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
50+ 4.24 EUR
100+ 3.63 EUR
500+ 3.23 EUR
1000+ 2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6015REED InstrumentsDescription: WOOD MOISTURE METER
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6015ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.96 EUR
28+ 5.5 EUR
50+ 5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 27
R6015ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.7 EUR
10+ 8.15 EUR
100+ 6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6015ANXROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANX
Produktcode: 105991		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.48 EUR
26+ 5.98 EUR
50+ 5.54 EUR
100+ 5.14 EUR
250+ 4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6015ANZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 84
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+ 5.28 EUR
25+ 4.98 EUR
100+ 4.28 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.24 EUR
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.28 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.64 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 48
R6015ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
10+ 5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.79 EUR
25+ 6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6015ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENXROHMDescription: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.35 EUR
50+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 47
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.35 EUR
50+ 3.1 EUR
100+ 2.89 EUR
250+ 2.69 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 47
R6015ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.04 EUR
10+ 5.86 EUR
50+ 4.79 EUR
100+ 4.1 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 2.92 EUR
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.55 EUR
45+ 3.41 EUR
55+ 2.65 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29
R6015ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6 EUR
50+ 4.75 EUR
100+ 4.07 EUR
500+ 3.62 EUR
1000+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+ 6.58 EUR
25+ 6.39 EUR
100+ 5.32 EUR
300+ 5.16 EUR
600+ 4.72 EUR
1200+ 3.8 EUR
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.89 EUR
28+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
R6015ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.78 EUR
30+ 6.16 EUR
120+ 5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6015ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+ 4.53 EUR
100+ 3.66 EUR
500+ 3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6015FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Power MOSFET
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+ 5.9 EUR
100+ 4.82 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.45 EUR
2000+ 3.29 EUR
5000+ 3.17 EUR
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.62 EUR
50+ 4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.26 EUR
10+ 7.78 EUR
100+ 6.29 EUR
500+ 5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.63 EUR
30+ 5.19 EUR
50+ 4.81 EUR
100+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.26 EUR
10+ 10.12 EUR
100+ 8.31 EUR
500+ 7.04 EUR
1000+ 5.95 EUR
2500+ 5.65 EUR
5000+ 5.44 EUR
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.14 EUR
2000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.48 EUR
67+ 2.28 EUR
100+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 63
R6015KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.54 EUR
10+ 3.77 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.76 EUR
500+ 2.5 EUR
1000+ 2.06 EUR
2000+ 2.01 EUR
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.36 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 3982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.52 EUR
10+ 3.75 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.03 EUR
81+ 1.87 EUR
100+ 1.77 EUR
200+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 77
R6015KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+ 2.85 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 2.24 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.54 EUR
5000+ 1.49 EUR
R6015KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.45 EUR
10+ 2.86 EUR
100+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R6015KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6 EUR
50+ 4.75 EUR
100+ 4.07 EUR
500+ 3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.87 EUR
50+ 3.59 EUR
100+ 3.34 EUR
250+ 3.11 EUR
500+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 41
R6015KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.04 EUR
10+ 5.07 EUR
50+ 4.98 EUR
100+ 4.1 EUR
250+ 4.01 EUR
500+ 3.63 EUR
1000+ 3.12 EUR
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+ 6.58 EUR
25+ 6.39 EUR
100+ 5.32 EUR
300+ 5.16 EUR
600+ 4.72 EUR
1200+ 3.8 EUR
R6015KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.78 EUR
30+ 6.16 EUR
120+ 5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6015KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6015KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6018REED InstrumentsDescription: DUAL MOISTURE METER
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6018ANJTLROHM SemiconductorMOSFET NCH MOSFET T/R 10V DRIVE
Produkt ist nicht verfügbar
R6018ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
R6018JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.69 EUR
10+ 5.63 EUR
25+ 5.35 EUR
100+ 4.56 EUR
250+ 4.29 EUR
500+ 4.05 EUR
1000+ 3.26 EUR
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.67 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.52 EUR
500+ 4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6018JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 3154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
50+ 6.28 EUR
100+ 5.38 EUR
500+ 4.79 EUR
1000+ 4.1 EUR
2000+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6018JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.97 EUR
10+ 7.52 EUR
50+ 6.32 EUR
100+ 5.42 EUR
250+ 5.33 EUR
500+ 4.8 EUR
1000+ 3.87 EUR
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A INTEGRATED HIGH-SPEE
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.61 EUR
10+ 4.93 EUR
50+ 4.17 EUR
100+ 3.8 EUR
250+ 3.59 EUR
500+ 3.38 EUR
1000+ 2.9 EUR
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 61
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
50+ 4.47 EUR
100+ 3.83 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R601F3150AA6AJKEMETR601F3150AA6AJ
Produkt ist nicht verfügbar
R602-10-4
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020PHILIPS04+
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+174.24 EUR
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+658.24 EUR
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
Produkt ist nicht verfügbar
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
Produkt ist nicht verfügbar
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9
Produkt ist nicht verfügbar
R6020235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 400V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.29 EUR
25+ 6.73 EUR
50+ 6.23 EUR
100+ 5.79 EUR
250+ 5.39 EUR
500+ 5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6020ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
10+ 9.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANX
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020ANZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZ
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6020ANZ8U7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.52 EUR
26+ 6.01 EUR
50+ 5.57 EUR
100+ 5.18 EUR
250+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.25 EUR
2000+ 2.12 EUR
5000+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.34 EUR
50+ 4.03 EUR
100+ 3.75 EUR
250+ 3.5 EUR
500+ 3.26 EUR
1000+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6020ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+ 3.82 EUR
25+ 3.8 EUR
100+ 3.1 EUR
250+ 3.01 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.27 EUR
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 9061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.35 EUR
10+ 3.66 EUR
100+ 2.96 EUR
500+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.34 EUR
50+ 4.03 EUR
100+ 3.75 EUR
250+ 3.5 EUR
500+ 3.26 EUR
1000+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6020ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+ 4.77 EUR
25+ 4.49 EUR
100+ 3.85 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 2.75 EUR
R6020ENXROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.61 EUR
10+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.7 EUR
50+ 4.36 EUR
100+ 4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.36 EUR
50+ 6.61 EUR
100+ 5.67 EUR
500+ 5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.7 EUR
50+ 4.36 EUR
100+ 4.05 EUR
250+ 3.78 EUR
500+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 5986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.41 EUR
10+ 7.08 EUR
50+ 6.92 EUR
100+ 5.7 EUR
250+ 5.6 EUR
500+ 5.07 EUR
1000+ 4.33 EUR
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.16 EUR
50+ 3.25 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.29 EUR
10+ 7.81 EUR
100+ 6.32 EUR
500+ 5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+ 7.66 EUR
30+ 6.2 EUR
270+ 5.49 EUR
510+ 4.7 EUR
1020+ 4.44 EUR
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.27 EUR
25+ 6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.55 EUR
25+ 6.05 EUR
50+ 5.6 EUR
100+ 5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.91 EUR
10+ 8.32 EUR
100+ 6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+ 8.17 EUR
25+ 7.92 EUR
100+ 6.6 EUR
300+ 6.39 EUR
600+ 5.86 EUR
1200+ 4.73 EUR
R6020ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6020ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.39 EUR
10+ 5.73 EUR
100+ 4.7 EUR
500+ 4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 304
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+ 8.08 EUR
100+ 6.62 EUR
500+ 5.65 EUR
1000+ 4.75 EUR
2000+ 4.51 EUR
5000+ 4.33 EUR
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.57 EUR
25+ 6.06 EUR
50+ 5.62 EUR
100+ 5.22 EUR
250+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 304
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 304
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNXROHMDescription: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
R6020FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.8 EUR
10+ 10.96 EUR
100+ 9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.57 EUR
50+ 3.23 EUR
200+ 3.07 EUR
500+ 2.85 EUR
1000+ 2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.01 EUR
25+ 7.39 EUR
50+ 6.85 EUR
100+ 6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.57 EUR
10+ 6.36 EUR
100+ 5.14 EUR
500+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.01 EUR
25+ 7.39 EUR
50+ 6.85 EUR
100+ 6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 252W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.98 EUR
10+ 5.44 EUR
100+ 4.88 EUR
500+ 4.61 EUR
1000+ 3.98 EUR
2000+ 3.75 EUR
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R6020JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.43 EUR
10+ 7.92 EUR
100+ 6.41 EUR
500+ 5.69 EUR
1000+ 4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.66 EUR
25+ 6.14 EUR
50+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6020JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+ 8.17 EUR
50+ 7.13 EUR
100+ 6.28 EUR
250+ 6.16 EUR
500+ 5.51 EUR
1000+ 4.51 EUR
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.39 EUR
69+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 66
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.57 EUR
10+ 11.63 EUR
100+ 9.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.29 EUR
10+ 11.65 EUR
25+ 10.12 EUR
100+ 9.49 EUR
250+ 8.38 EUR
600+ 7.55 EUR
1200+ 7.18 EUR
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.9 EUR
82+ 1.86 EUR
100+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41
R6020JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.45 EUR
10+ 8.78 EUR
100+ 7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.01 EUR
25+ 6.47 EUR
50+ 6 EUR
100+ 5.57 EUR
250+ 5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6020JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.67 EUR
10+ 8.98 EUR
25+ 8.82 EUR
100+ 8.01 EUR
300+ 6.85 EUR
600+ 6.37 EUR
1200+ 5.19 EUR
R6020JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 76
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.79 EUR
25+ 7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.79 EUR
25+ 7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.81 EUR
10+ 10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+ 4.61 EUR
25+ 4.59 EUR
100+ 3.73 EUR
500+ 3.33 EUR
1000+ 2.83 EUR
2000+ 2.68 EUR
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.22 EUR
32+ 4.81 EUR
50+ 4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.61 EUR
10+ 4.7 EUR
100+ 3.81 EUR
500+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNX
Produktcode: 181658		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.56 EUR
10+ 3.83 EUR
100+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+ 3.78 EUR
25+ 3.71 EUR
100+ 3.06 EUR
250+ 3.01 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.18 EUR
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.68 EUR
50+ 4.34 EUR
100+ 4.04 EUR
250+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+ 6.61 EUR
100+ 5.35 EUR
500+ 4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.73 EUR
10+ 6.48 EUR
50+ 6.35 EUR
100+ 5.24 EUR
250+ 5.14 EUR
500+ 4.65 EUR
1000+ 3.98 EUR
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.32 EUR
26+ 5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.31 EUR
25+ 6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.72 EUR
10+ 10.9 EUR
100+ 9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET. R6020KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.36 EUR
10+ 7.86 EUR
100+ 6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.19 EUR
10+ 7.71 EUR
25+ 7.48 EUR
100+ 6.21 EUR
300+ 6.04 EUR
600+ 5.53 EUR
1200+ 4.47 EUR
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.8 EUR
25+ 6.28 EUR
50+ 5.81 EUR
100+ 5.4 EUR
250+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.19 EUR
10+ 8.76 EUR
25+ 7.94 EUR
100+ 7.3 EUR
250+ 6.86 EUR
500+ 6.42 EUR
1000+ 5.74 EUR
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.4 EUR
10+ 8.92 EUR
100+ 7.43 EUR
500+ 6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.74 EUR
50+ 3.47 EUR
100+ 3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.34 EUR
10+ 6.59 EUR
100+ 5.4 EUR
500+ 4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.59 EUR
52+ 2.92 EUR
100+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 44
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+ 5.76 EUR
25+ 5.44 EUR
100+ 4.66 EUR
250+ 4.4 EUR
500+ 4.19 EUR
1000+ 3.56 EUR
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.26 EUR
50+ 3.03 EUR
100+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 48
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 12A MOSFET
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+ 5 EUR
50+ 4.22 EUR
100+ 3.85 EUR
250+ 3.63 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.92 EUR
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.77 EUR
10+ 4.85 EUR
100+ 3.93 EUR
500+ 3.49 EUR
1000+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.26 EUR
10+ 8.61 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 6.97 EUR
250+ 6.58 EUR
600+ 6.2 EUR
1200+ 5.07 EUR
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.46 EUR
50+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.45 EUR
10+ 8.78 EUR
100+ 7.1 EUR
500+ 6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.6 EUR
25+ 6.09 EUR
50+ 5.64 EUR
100+ 5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
Produkt ist nicht verfügbar
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.98 EUR
10+ 4.17 EUR
25+ 3.94 EUR
100+ 3.4 EUR
250+ 3.19 EUR
500+ 3.01 EUR
1000+ 2.55 EUR
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.53 EUR
50+ 4.2 EUR
100+ 3.91 EUR
250+ 3.65 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.98 EUR
10+ 5.03 EUR
25+ 4.77 EUR
100+ 4.08 EUR
250+ 3.85 EUR
500+ 3.63 EUR
1000+ 3.15 EUR
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.09 EUR
10+ 5.12 EUR
100+ 4.15 EUR
500+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
10+ 5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.98 EUR
10+ 5.03 EUR
25+ 4.77 EUR
100+ 4.08 EUR
250+ 3.85 EUR
500+ 3.68 EUR
1000+ 2.99 EUR
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.64 EUR
50+ 4.3 EUR
100+ 4 EUR
250+ 3.73 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34
R6024ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.78 EUR
10+ 7.37 EUR
50+ 7.29 EUR
100+ 5.97 EUR
250+ 5.9 EUR
500+ 5.3 EUR
1000+ 4.54 EUR
R6024ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
50+ 6.91 EUR
100+ 5.93 EUR
500+ 5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.33 EUR
26+ 5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.83 EUR
24+ 6.4 EUR
50+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.65 EUR
29+ 5.22 EUR
50+ 4.83 EUR
100+ 4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28
R6024ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 24A TO-247
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.94 EUR
10+ 8.34 EUR
25+ 7.87 EUR
100+ 6.74 EUR
250+ 6.37 EUR
600+ 5.98 EUR
1200+ 5.14 EUR
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.12 EUR
10+ 8.5 EUR
100+ 6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+ 8.43 EUR
25+ 8.17 EUR
100+ 6.81 EUR
300+ 6.6 EUR
600+ 6.05 EUR
1200+ 4.88 EUR
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.68 EUR
30+ 5.17 EUR
50+ 4.57 EUR
200+ 4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28
R6024ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.21 EUR
10+ 8.57 EUR
100+ 6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.25 EUR
25+ 6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6024ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6024ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLROHMDescription: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+ 5.3 EUR
25+ 4.79 EUR
100+ 4.29 EUR
250+ 4.05 EUR
500+ 3.82 EUR
1000+ 3.24 EUR
R6024KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.47 EUR
30+ 5.05 EUR
50+ 4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+ 3.73 EUR
100+ 2.97 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.5 EUR
1000+ 2.01 EUR
5000+ 1.95 EUR
R6024KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 80 Stücke:
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36+4.34 EUR
50+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 36
R6024KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.52 EUR
10+ 3.75 EUR
100+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R6024KNXROHMDescription: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
50+ 6.91 EUR
100+ 5.93 EUR
500+ 5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.78 EUR
10+ 7.37 EUR
50+ 7.29 EUR
100+ 5.97 EUR
250+ 5.9 EUR
500+ 5.3 EUR
1000+ 4.54 EUR
R6024KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.97 EUR
56+ 2.73 EUR
100+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53
R6024KNZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 313 Stücke:
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R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
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23+6.85 EUR
25+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
10+ 9.23 EUR
100+ 7.69 EUR
500+ 6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24AHIGH-SWITCH MOSFET
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+ 9.06 EUR
50+ 8.98 EUR
100+ 7.55 EUR
250+ 7.5 EUR
500+ 6.67 EUR
1000+ 5.98 EUR
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.87 EUR
25+ 9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 16
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.66 EUR
25+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
R6024KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+ 8.43 EUR
25+ 8.17 EUR
100+ 6.81 EUR
300+ 6.6 EUR
600+ 6.05 EUR
1200+ 4.88 EUR
R6024KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.21 EUR
10+ 8.57 EUR
100+ 6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
Produkt ist nicht verfügbar
R6024KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.94 EUR
50+ 7.09 EUR
100+ 6.08 EUR
500+ 5.4 EUR
1000+ 4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 69
R6024VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A HIGH-SPEED DIODE
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.89 EUR
10+ 7.83 EUR
50+ 6.64 EUR
100+ 6.02 EUR
250+ 5.7 EUR
500+ 5.35 EUR
1000+ 4.58 EUR
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.76 EUR
50+ 3.49 EUR
100+ 3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42
R6024VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A INTEGRATED HIGH-SPEE
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+ 6.86 EUR
50+ 5.81 EUR
100+ 5.28 EUR
250+ 5 EUR
500+ 4.7 EUR
1000+ 4.03 EUR
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6024VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
50+ 6.22 EUR
100+ 5.33 EUR
500+ 4.74 EUR
1000+ 4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.3 EUR
50+ 3.06 EUR
100+ 2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48
R6024VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.127 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025ANZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.21 EUR
25+ 9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
R6025ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZC8
Produktcode: 131473		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZ1C9
Produktcode: 118196		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6025FNZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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R6025FNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
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R6025JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 1982 Stücke:
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1+10.91 EUR
10+ 9.17 EUR
50+ 8.66 EUR
100+ 7.41 EUR
250+ 7 EUR
500+ 6.6 EUR
1000+ 5.32 EUR
R6025JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.16 EUR
10+ 9.36 EUR
100+ 7.57 EUR
500+ 6.73 EUR
1000+ 5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
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17+9.37 EUR
25+ 8.65 EUR
50+ 8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6025JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.37 EUR
25+ 8.65 EUR
50+ 8.01 EUR
100+ 7.44 EUR
250+ 6.93 EUR
500+ 6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.87 EUR
57+ 2.65 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.33 EUR
1000+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 55
R6025JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.98 EUR
25+ 7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6025JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
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R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.28 EUR
10+ 13.09 EUR
100+ 10.91 EUR
500+ 9.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.33 EUR
10+ 9.73 EUR
25+ 9.59 EUR
100+ 9.12 EUR
300+ 7.62 EUR
600+ 7.13 EUR
1200+ 6.12 EUR
R6025JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.12 EUR
10+ 9.53 EUR
100+ 7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.9 EUR
25+ 7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
R6025JNZC17ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.77 EUR
25+ 8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 18
R6025JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6025JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 25A POWER
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.27 EUR
10+ 11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6027YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.8 EUR
10+ 7.39 EUR
25+ 6.99 EUR
100+ 5.98 EUR
250+ 5.67 EUR
500+ 5.33 EUR
1000+ 4.54 EUR
R6027YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+ 7.67 EUR
25+ 7.23 EUR
100+ 6.2 EUR
250+ 5.86 EUR
500+ 5.53 EUR
1000+ 4.68 EUR
R6027YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.31 EUR
10+ 7.81 EUR
100+ 6.32 EUR
500+ 5.62 EUR
1000+ 4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6027YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.96 EUR
10+ 8.36 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 6.78 EUR
250+ 6.41 EUR
600+ 5.44 EUR
1200+ 4.95 EUR
R602A-US915NetvoxDescription: R602A LORAWAN SIREN SENSOR
Packaging: Bulk
Function: Sensor
Frequency: 915MHz
Modulation or Protocol: LoRaWAN
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+240.86 EUR
R603-000-001HammondR603-000-001
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.81 EUR
100+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
R6030PHIQFN
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6030REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+279.84 EUR
R6030PHILIPS04+
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R6030-NISTREED InstrumentsDescription: TEMP./HUMIDITY DATA LOGGER W/CER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+763.84 EUR
R6030222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.56 EUR
10+ 5.37 EUR
25+ 5.1 EUR
100+ 5.03 EUR
250+ 4.96 EUR
500+ 4.59 EUR
5000+ 4.51 EUR
R6030ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.82 EUR
25+ 6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.61 EUR
25+ 6.1 EUR
50+ 5.65 EUR
100+ 5.25 EUR
250+ 4.89 EUR
500+ 4.56 EUR
1000+ 4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 24
R6030ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.26 EUR
50+ 8.19 EUR
100+ 7.33 EUR
500+ 6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+ 8.87 EUR
50+ 8.59 EUR
100+ 7.37 EUR
250+ 7.23 EUR
500+ 6.49 EUR
1000+ 5.86 EUR
R6030ENZ1C9
Produktcode: 169489		Transistoren > MOSFET N-CH
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R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
auf Bestellung 93 Stücke:
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R6030ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 258 Stücke:
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R6030ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.14 EUR
10+ 12.97 EUR
30+ 11.77 EUR
120+ 11.04 EUR
270+ 10.17 EUR
510+ 9.52 EUR
1020+ 8.18 EUR
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.37 EUR
25+ 12.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.44 EUR
10+ 13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.4 EUR
25+ 6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6030ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
10+ 9.21 EUR
100+ 7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.96 EUR
10+ 9.42 EUR
25+ 8.92 EUR
100+ 7.83 EUR
300+ 7.57 EUR
600+ 6.9 EUR
1200+ 5.93 EUR
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.94 EUR
50+ 4.26 EUR
200+ 4 EUR
Mindestbestellmenge: 32
R6030ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Produkt ist nicht verfügbar
R6030ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.02 EUR
50+ 3.65 EUR
200+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 39
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.2 EUR
25+ 6.64 EUR
50+ 6.15 EUR
100+ 5.72 EUR
250+ 5.32 EUR
500+ 4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.53 EUR
10+ 11.33 EUR
25+ 10.8 EUR
100+ 9.38 EUR
250+ 8.95 EUR
500+ 8.16 EUR
1000+ 7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R6030JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.28 EUR
10+ 10.52 EUR
50+ 9.54 EUR
100+ 8.76 EUR
250+ 8.25 EUR
500+ 7.74 EUR
1000+ 6.95 EUR
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
10+ 7.15 EUR
100+ 5.79 EUR
500+ 5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.19 EUR
25+ 8.49 EUR
50+ 7.86 EUR
100+ 7.3 EUR
250+ 6.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6030JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.43 EUR
10+ 11.55 EUR
25+ 9.8 EUR
100+ 9.33 EUR
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
Produkt ist nicht verfügbar
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.19 EUR
25+ 8.49 EUR
50+ 7.86 EUR
100+ 7.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
R6030JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R6030JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.92 EUR
10+ 10.21 EUR
25+ 9.94 EUR
100+ 9.26 EUR
300+ 8.01 EUR
600+ 7.43 EUR
1200+ 6.46 EUR
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.1 EUR
25+ 8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.9 EUR
100+ 4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32