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AONX38168 Alpha & Omega Semiconductor aonx38168.pdf 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
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AONX38168 Alpha & Omega Semiconductor aonx38168.pdf 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
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AONX38168 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONX38168 Multi channel transistors
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AONX38320 Alpha & Omega Semiconductor aonx38320.pdf AONX38320
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AONX38320 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONX38320.pdf AONX38320 Multi channel transistors
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AONY36302 Alpha & Omega Semiconductor aony36302.pdf Dual Asymmetric N Channel MOSFET
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AONY36302 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
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AONY36302 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AONY36304 Alpha & Omega Semiconductor aony36304.pdf Dual Asymmetric N Channel MOSFET
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AONY36304 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36304 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AONY36352 Alpha & Omega Semiconductor aony36352.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
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AONY36352 AONY36352 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD573820&compId=AONY36352.pdf?ci_sign=22e4c44c8ce1217706a625b807629663114e17fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Power dissipation: 8.5/18W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 31/72.5A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 11nC
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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AONY36352 Alpha & Omega Semiconductor aony36352.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
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AONY36352 AONY36352 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD573820&compId=AONY36352.pdf?ci_sign=22e4c44c8ce1217706a625b807629663114e17fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Power dissipation: 8.5/18W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 31/72.5A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36354 AONY36354 Alpha & Omega Semiconductor aony36354.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36354 Alpha & Omega Semiconductor AONY36354.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
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AONY36354 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONY36354.pdf AONY36354 Multi channel transistors
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AONY36356 AONY36356 Alpha & Omega Semiconductor aony36356.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36356 AONY36356 Alpha & Omega Semiconductor aony36356.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36356 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONY36356.pdf AONY36356 SMD N channel transistors
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AOP610 AOP610 Alpha & Omega Semiconductor aop610.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
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AOS296A001 Alpha & Omega Semiconductor AOD296A_001
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AOSD21307 AOSD21307 Alpha & Omega Semiconductor aosd21307.pdf 30V Dual P-Channel MOSFET
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AOSD21311C AOSD21311C Alpha & Omega Semiconductor aosd21311c.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
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AOSD21311C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD21311C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21311C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD21311C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD21313C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD21313C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD26313C AOSD26313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDDE0EC0DE2C0C7&compId=AOSD26313C.pdf?ci_sign=acdef2891089f6a95734e8f0e78aec83d67ff009 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
auf Bestellung 2962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.4 EUR
290+0.25 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD26313C Alpha & Omega Semiconductor aosd26313c.pdf 30V Complementary MOSFET
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AOSD26313C AOSD26313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDDE0EC0DE2C0C7&compId=AOSD26313C.pdf?ci_sign=acdef2891089f6a95734e8f0e78aec83d67ff009 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
290+0.25 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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AOSD32334C AOSD32334C Alpha & Omega Semiconductor aosd32334c.pdf 30V Dual N-Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD32334C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSD32334C.pdf AOSD32334C Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD62666E AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor 254aosd62666e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD62666E AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor aosd62666e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD62666E AOSD62666E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD59F820&compId=AOSD62666E.pdf?ci_sign=20c8d780849e9f14c8403c68a3c73cb5c8704632 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 6.5nC
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
139+0.51 EUR
160+0.45 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD62666E AOSD62666E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD59F820&compId=AOSD62666E.pdf?ci_sign=20c8d780849e9f14c8403c68a3c73cb5c8704632 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 6.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
139+0.51 EUR
160+0.45 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSN21319C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSN21319C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSN21319C Alpha & Omega Semiconductor aosn21319c.pdf P-Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSN21319C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSN21319C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSN32338C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSN32338C.pdf AOSN32338C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSP21307 AOSP21307 Alpha & Omega Semiconductor 5698641265880961aosp21307.pdf P-Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSP21307 AOSP21307 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD5B5820&compId=AOSP21307.pdf?ci_sign=7601c2aedb26d1b763dd3252b6312a840adbdda1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
198+0.36 EUR
224+0.32 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSP21307 AOSP21307 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD5B5820&compId=AOSP21307.pdf?ci_sign=7601c2aedb26d1b763dd3252b6312a840adbdda1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
198+0.36 EUR
224+0.32 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSP21307 AOSP21307 Alpha & Omega Semiconductor 5698641265880961aosp21307.pdf P-Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSP21311C Alpha & Omega Semiconductor aosp21311c.pdf P-Channel MOSFET
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AOSP21313C Alpha & Omega Semiconductor aosp21313c.pdf P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSP21313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP21313C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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AOSP21313C ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP21313C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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AOSP21321 AOSP21321 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FA090241A5B8BF&compId=AOSP21321.pdf?ci_sign=9dddaf157de2842dc47c4650e5ba3d73073f677a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AOSP21357 AOSP21357 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD5CB820&compId=AOSP21357.pdf?ci_sign=fd7c687ce17ba3ca5fd8875011f1b345cc891f1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
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AONX38168
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONX38168 Multi channel transistors
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AONX38320
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONX38320 Multi channel transistors
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Dual Asymmetric N Channel MOSFET
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AONY36302
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
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AONY36302
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AONY36304 aony36304.pdf
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Dual Asymmetric N Channel MOSFET
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AONY36304
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36304
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36352 aony36352.pdf
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
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AONY36352 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD573820&compId=AONY36352.pdf?ci_sign=22e4c44c8ce1217706a625b807629663114e17fd
AONY36352
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Power dissipation: 8.5/18W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 31/72.5A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 11nC
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Anzahl Preis
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
87+0.83 EUR
93+0.77 EUR
500+0.75 EUR
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
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AONY36352 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD573820&compId=AONY36352.pdf?ci_sign=22e4c44c8ce1217706a625b807629663114e17fd
AONY36352
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Power dissipation: 8.5/18W
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 31/72.5A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 11nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2639 Stücke:
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64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
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AONY36354
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36354 AONY36354.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONY36354 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36356 aony36356.pdf
AONY36356
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36356 aony36356.pdf
AONY36356
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AONY36356 AONY36356.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONY36356 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOP610 aop610.pdf
AOP610
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOS296A001
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AOD296A_001
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AOSD21307 aosd21307.pdf
AOSD21307
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual P-Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21311C aosd21311c.pdf
AOSD21311C
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21311C AOSD21311C.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21311C AOSD21311C.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21313C AOSD21313C.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD21313C AOSD21313C.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD26313C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDDE0EC0DE2C0C7&compId=AOSD26313C.pdf?ci_sign=acdef2891089f6a95734e8f0e78aec83d67ff009
AOSD26313C
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
auf Bestellung 2962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
290+0.25 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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AOSD26313C aosd26313c.pdf
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Complementary MOSFET
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AOSD26313C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDDE0EC0DE2C0C7&compId=AOSD26313C.pdf?ci_sign=acdef2891089f6a95734e8f0e78aec83d67ff009
AOSD26313C
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
290+0.25 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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AOSD32334C aosd32334c.pdf
AOSD32334C
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD32334C AOSD32334C.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSD32334C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOSD62666E 254aosd62666e.pdf
AOSD62666E
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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AOSD62666E aosd62666e.pdf
AOSD62666E
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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AOSD62666E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD59F820&compId=AOSD62666E.pdf?ci_sign=20c8d780849e9f14c8403c68a3c73cb5c8704632
AOSD62666E
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 6.5nC
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
139+0.51 EUR
160+0.45 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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AOSD62666E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1C114FD59F820&compId=AOSD62666E.pdf?ci_sign=20c8d780849e9f14c8403c68a3c73cb5c8704632
AOSD62666E
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 6.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
139+0.51 EUR
160+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 76
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AOSN21319C AOSN21319C.pdf
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSN32338C SMD N channel transistors
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AOSP21307
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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AOSP21307
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
198+0.36 EUR
224+0.32 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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AOSP21307
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
198+0.36 EUR
224+0.32 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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AOSP21307
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AOSP21321
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.32 EUR
288+0.25 EUR
376+0.19 EUR
397+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 221
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AOSP21321
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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AOSP21321
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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AOSP21321
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AOSP21321
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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AOSP21321
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.32 EUR
288+0.25 EUR
376+0.19 EUR
397+0.18 EUR
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AOSP21357
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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AOSP21357
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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AOSP21357
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
161+0.44 EUR
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