Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (4491) > Seite 46 nach 75
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AONY36352 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36352 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/72.5A Power dissipation: 8.5/18W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 5.3/2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONY36352 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/72.5A Power dissipation: 8.5/18W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 5.3/2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AONY36354 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36354 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36354 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AONY36356 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36356 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36356 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOP610 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOS296A001 | Alpha & Omega Semiconductor | AOD296A_001 |
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AOSD21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD21311C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD |
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AOSD21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AOSD21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -23A Mounting: SMD |
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AOSD21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -23A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AOSD26313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: -30/30V Drain current: 5.4/-4.4A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26/55mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 33nC |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSD26313C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD26313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: -30/30V Drain current: 5.4/-4.4A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26/55mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 33nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSD32334C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD32334C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD62666E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSD62666E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSN21319C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSN21319C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSN32338C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21307 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21307 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21311C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -28A |
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AOSP21313C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -28A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 2679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2679 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSP21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.5A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.5A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSP21357 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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AOSP21357 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP32314 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP32314 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
AOSP32314 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSP32320C | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP32320C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP32320C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP32368 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP32368 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP32368 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP32368 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSP36326C | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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AOSP36326C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONY36352 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36352 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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64+ | 1.13 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
83+ | 0.86 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.75 EUR |
AONY36352 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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64+ | 1.13 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
83+ | 0.86 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.75 EUR |
AONY36354 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36354 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36354 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONY36354 Multi channel transistors
AONY36354 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36356 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36356 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36356 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONY36356 SMD N channel transistors
AONY36356 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOP610 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOS296A001 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AOD296A_001
AOD296A_001
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD21307 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual P-Channel MOSFET
30V Dual P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD21311C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD21311C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
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AOSD21311C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
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Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOSD21313C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
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Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
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Type of transistor: P-MOSFET x2
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Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
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Stück im Wert von UAH
AOSD21313C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
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Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOSD26313C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 33nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
177+ | 0.4 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
AOSD26313C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Complementary MOSFET
30V Complementary MOSFET
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Stück im Wert von UAH
AOSD26313C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
177+ | 0.4 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
379+ | 0.19 EUR |
400+ | 0.18 EUR |
AOSD32334C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual N-Channel MOSFET
30V Dual N-Channel MOSFET
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Stück im Wert von UAH
AOSD32334C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSD32334C Multi channel transistors
AOSD32334C Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
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Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
139+ | 0.51 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
193+ | 0.37 EUR |
AOSD62666E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
139+ | 0.51 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
193+ | 0.37 EUR |
AOSN21319C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSN21319C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSN21319C SMD P channel transistors
AOSN21319C SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AOSN32338C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSN32338C SMD N channel transistors
AOSN32338C SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AOSP21307 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
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Stück im Wert von UAH
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
248+ | 0.29 EUR |
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
248+ | 0.29 EUR |
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
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AOSP21311C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
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Stück im Wert von UAH
AOSP21313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -28A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -28A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21313C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -28A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -28A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.2 EUR |
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
221+ | 0.32 EUR |
288+ | 0.25 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
397+ | 0.18 EUR |
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.2 EUR |
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21321 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
221+ | 0.32 EUR |
288+ | 0.25 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
397+ | 0.18 EUR |
AOSP21357 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
179+ | 0.4 EUR |
199+ | 0.36 EUR |
AOSP21357 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
179+ | 0.4 EUR |
199+ | 0.36 EUR |
AOSP21357 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21357 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP32314 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP32314 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP32314 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSP32314 SMD N channel transistors
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AOSP32320C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
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Stück im Wert von UAH
AOSP32320C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP32320C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP32368 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
30V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP32368 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
30V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP32368 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
191+ | 0.38 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
249+ | 0.29 EUR |
264+ | 0.27 EUR |
AOSP32368 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
191+ | 0.38 EUR |
216+ | 0.33 EUR |
249+ | 0.29 EUR |
264+ | 0.27 EUR |
AOSP36326C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP36326C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
268+ | 0.27 EUR |
314+ | 0.23 EUR |