Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (4485) > Seite 46 nach 75
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AONV180A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONV180A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AONV180A60 SMD N channel transistors |
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AONV210A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONV210A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 208W Case: DFN8x8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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AONV210A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 208W Case: DFN8x8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3500 Stücke |
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AONV420A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONX38168 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONX38168 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONX38168 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AONX38168 Multi channel transistors |
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AONX38320 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONX38320 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AONY36302 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36302 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32/71A Power dissipation: 8.5/18W Case: DFN5x6D Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 8.6/2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
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AONY36302 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32/71A Power dissipation: 8.5/18W Case: DFN5x6D Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 8.6/2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AONY36304 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32/52A Power dissipation: 8.5/12.5W Case: DFN5x6D Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 8.6/3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
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AONY36304 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36304 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32/52A Power dissipation: 8.5/12.5W Case: DFN5x6D Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 8.6/3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AONY36352 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/72.5A Power dissipation: 8.5/18W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 5.3/2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONY36352 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36352 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36352 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/72.5A Power dissipation: 8.5/18W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 5.3/2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AONY36354 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36354 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36354 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AONY36356 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36356 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONY36356 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOP610 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOS296A001 | Alpha & Omega Semiconductor | AOD296A_001 |
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AOSD21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD21311C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Kind of channel: enhancement Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -5A Gate charge: 12.5nC On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
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AOSD21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Kind of channel: enhancement Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -5A Gate charge: 12.5nC On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AOSD21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8 Kind of channel: enhancement Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -23A Drain current: -5.7A Gate charge: 22nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
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AOSD21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8 Kind of channel: enhancement Case: SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -23A Drain current: -5.7A Gate charge: 22nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AOSD26313C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD26313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Drain-source voltage: -30/30V Gate charge: 33nC On-state resistance: 26/55mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 5.4/-4.4A Gate-source voltage: ±20V |
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AOSD26313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Drain-source voltage: -30/30V Gate charge: 33nC On-state resistance: 26/55mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 5.4/-4.4A Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AOSD32334C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD32334C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSD62666E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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AOSD62666E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AOSN21319C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSN21319C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSN32338C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOSP21307 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Gate charge: 17nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21307 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Gate charge: 17nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21311C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21313C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOSP21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -28A Drain current: -7A Gate charge: 22nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
AOSP21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -28A Drain current: -7A Gate charge: 22nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Gate charge: 18nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
AONV180A60 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONV180A60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONV180A60 SMD N channel transistors
AONV180A60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONV210A60 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONV210A60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 208W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 208W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONV210A60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 208W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 208W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONV420A60 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONX38168 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONX38168 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONX38168 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONX38168 Multi channel transistors
AONX38168 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONX38320 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AONX38320
AONX38320
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONX38320 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONX38320 Multi channel transistors
AONX38320 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36302 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Dual Asymmetric N Channel MOSFET
Dual Asymmetric N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36302 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36302 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/71A; 8.5/18W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/71A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AONY36304 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
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AONY36304 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Dual Asymmetric N Channel MOSFET
Dual Asymmetric N Channel MOSFET
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AONY36304 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32/52A; 8.5/12.5W; DFN5x6D
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32/52A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6D
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 8.6/3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AONY36352 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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64+ | 1.13 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
83+ | 0.86 EUR |
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AONY36352 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
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AONY36352 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2730 Stücke:
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64+ | 1.13 EUR |
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500+ | 0.75 EUR |
AONY36354 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
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AONY36354 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONY36354 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONY36354 Multi channel transistors
AONY36354 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AONY36356 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
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Stück im Wert von UAH
AONY36356 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
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Stück im Wert von UAH
AONY36356 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONY36356 SMD N channel transistors
AONY36356 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AOP610 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
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AOS296A001 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AOD296A_001
AOD296A_001
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Stück im Wert von UAH
AOSD21307 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual P-Channel MOSFET
30V Dual P-Channel MOSFET
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Stück im Wert von UAH
AOSD21311C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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AOSD21311C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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AOSD21311C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOSD21313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
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Stück im Wert von UAH
AOSD21313C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOSD26313C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Complementary MOSFET
30V Complementary MOSFET
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD26313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Drain-source voltage: -30/30V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 26/55mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4/-4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Drain-source voltage: -30/30V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 26/55mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4/-4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSD26313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Drain-source voltage: -30/30V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 26/55mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4/-4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Drain-source voltage: -30/30V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 26/55mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4/-4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOSD32334C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual N-Channel MOSFET
30V Dual N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD32334C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSD32334C Multi channel transistors
AOSD32334C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSD62666E |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSN21319C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSN21319C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSN21319C SMD P channel transistors
AOSN21319C SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSN32338C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOSN32338C SMD N channel transistors
AOSN32338C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
248+ | 0.29 EUR |
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
198+ | 0.36 EUR |
224+ | 0.32 EUR |
248+ | 0.29 EUR |
AOSP21307 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21311C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21313C |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOSP21313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOSP21313C |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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---|---|
3000+ | 0.2 EUR |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
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221+ | 0.32 EUR |
288+ | 0.25 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
397+ | 0.18 EUR |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
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