Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (4485) > Seite 41 nach 75
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AONH36328 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A Semiconductor structure: asymmetric Case: DFN3x3A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Gate charge: 11nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 9.2W Gate-source voltage: 16V Drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Polarisation: unipolar |
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AONH36328 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A Semiconductor structure: asymmetric Case: DFN3x3A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Gate charge: 11nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 9.2W Gate-source voltage: 16V Drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONP36336 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONP36336 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AONR20485 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21117 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21117 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONR21117 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 26.5A; 5W; DFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 26.5A Power dissipation: 5W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement |
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AONR21117 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 26.5A; 5W; DFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 26.5A Power dissipation: 5W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR21305C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21305C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -34A; Idm: -210A; 16W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -34A Power dissipation: 16W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -210A Kind of package: reel; tape |
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AONR21305C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21305C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -34A; Idm: -210A; 16W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -34A Power dissipation: 16W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -210A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21307 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21307 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -24A Power dissipation: 11W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement |
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AONR21307 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -24A Power dissipation: 11W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR21311C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -48A; 4.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 4.5W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -48A Kind of package: reel; tape |
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AONR21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -48A; 4.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 4.5W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -48A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 9.6W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement |
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AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21321 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AONR21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 9.6W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -32.5A Power dissipation: 12W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement |
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AONR21357 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -32.5A Power dissipation: 12W Case: DFN3x3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR21357_201 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR26309A | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR32314 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR32314 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR32314 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Power dissipation: 9.6W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Dimensions: 3x3mm |
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AONR32314 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Power dissipation: 9.6W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Dimensions: 3x3mm Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR32318 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR32318 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 200A; 22W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 22W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A Kind of package: reel; tape |
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AONR32318 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 200A; 22W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 22W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AONR32320C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 36A; 4.5W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 4.5W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Kind of package: reel; tape |
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AONR32320C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR32320C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR32320C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 36A; 4.5W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 4.5W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR34332C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 22W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Kind of package: reel; tape |
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AONR34332C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR34332C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 22W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AONR36326C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR36326C | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR36326C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 8W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Kind of package: reel; tape |
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AONR36326C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 8W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR36328 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 70A; 9.6W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 9.6W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A Kind of package: reel; tape |
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AONR36328 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 70A; 9.6W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 9.6W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR36366 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR36366 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR36366 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 11W; DFN8; 3x3mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 11W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Dimensions: 3x3mm |
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AONR36366 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 11W; DFN8; 3x3mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 11W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Dimensions: 3x3mm Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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AONR36368 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 9.6W; DFN8; 3x3mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 9.6W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Dimensions: 3x3mm |
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AONR36368 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
AONH36328 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN3x3A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 9.2W
Gate-source voltage: 16V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN3x3A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 9.2W
Gate-source voltage: 16V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONH36328 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN3x3A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 9.2W
Gate-source voltage: 16V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18A; Idm: 40A; 9.2W; DFN3x3A
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN3x3A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 9.2W
Gate-source voltage: 16V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONP36336 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 50A T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A T/R
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONP36336 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AONP36336 SMD N channel transistors
AONP36336 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR20485 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Medium Voltage MOSFETs
Medium Voltage MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21117 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin DFN-A EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21117 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 34A 8-Pin DFN-A EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 26.5A; 5W; DFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 5W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 26.5A; 5W; DFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 5W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 26.5A; 5W; DFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 5W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 26.5A; 5W; DFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 5W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -34A; Idm: -210A; 16W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -34A
Power dissipation: 16W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -210A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -34A; Idm: -210A; 16W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -34A
Power dissipation: 16W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -210A
Kind of package: reel; tape
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -34A; Idm: -210A; 16W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -210A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -34A; Idm: -210A; 16W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: DFN3x3 EP
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -24A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -24A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
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AONR21307 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -24A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -24A; 11W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -24A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
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Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V P Channel MOSFET
30V P Channel MOSFET
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AONR21311C |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -48A; 4.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -48A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -48A; 4.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -48A
Kind of package: reel; tape
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Stück im Wert von UAH
AONR21311C |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -48A; 4.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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Case: DFN3x3 EP
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Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -48A
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Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -48A; 4.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -48A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21321 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
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437+ | 0.33 EUR |
439+ | 0.32 EUR |
533+ | 0.25 EUR |
535+ | 0.24 EUR |
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AONR21321 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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374+ | 0.39 EUR |
436+ | 0.32 EUR |
437+ | 0.31 EUR |
439+ | 0.29 EUR |
533+ | 0.23 EUR |
535+ | 0.22 EUR |
621+ | 0.18 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
AONR21321 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
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AONR21321 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AONR21321 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 9.6W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21357 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21357 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21357 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32.5A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32.5A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AONR21357 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21357 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32.5A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32.5A; 12W; DFN3x3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -32.5A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR21357_201 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V P-Channel Mosfet
30V P-Channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR26309A |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Complementary MOSFET
30V Complementary MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32314 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32314 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
30V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32314 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32314 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; 9.6W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32318 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32318 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 200A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 200A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32318 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 200A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 200A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR32320C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 36A; 4.5W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 36A; 4.5W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AONR32320C |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 36A; 4.5W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 36A; 4.5W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 4.5W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Kind of package: reel; tape
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 22W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
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N-Channel MOSFET
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 8W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 8W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Kind of package: reel; tape
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AONR36326C |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 8W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 48A; 8W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 8W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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AONR36328 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 70A; 9.6W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 70A; 9.6W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Kind of package: reel; tape
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AONR36328 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 70A; 9.6W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 70A; 9.6W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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AONR36366 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN EP T/R
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 11W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 11W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
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Stück im Wert von UAH
AONR36366 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 11W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 11W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 9.6W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 9.6W; DFN8; 3x3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 9.6W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3x3mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AONR36368 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH