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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMNH6042SPS-13 DMNH6042SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
165+1.42 EUR
253+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13 DMNH6042SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
165+1.42 EUR
253+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011397089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
119+1.81 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UPS-13 DMP26M1UPS-13 DIODES INC. 3204158.pdf Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 5000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.76W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 DIODES INC. 3177136.pdf Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 DIODES INC. 3177139.pdf Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSWQ-13 DMTH8028LPSWQ-13 DIODES INC. 3204176.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6002LPSWQ-13 DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INC. DMTH6002LPSWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.13W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 5858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.69 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13 DMTH10H072LPS-13 DIODES INC. 3204166.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
206+1.13 EUR
233+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH47M2LPSWQ-13 DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC. 3204172.pdf Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
148+1.57 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH12H007SPS-13 DMTH12H007SPS-13 DIODES INC. 3204167.pdf Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13 DMTH10H072LPS-13 DIODES INC. 3204166.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
206+1.13 EUR
233+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT32M4LPSW-13 DMT32M4LPSW-13 DIODES INC. DMT32M4LPSW.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT20U100SLP-13 SBRT20U100SLP-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
104+2.25 EUR
128+1.69 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
136+1.71 EUR
193+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
157+1.49 EUR
235+0.92 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
71+3.27 EUR
115+1.87 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
136+1.71 EUR
193+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT25U60SLP-13 SBRT25U60SLP-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000785539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBRT25U60SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 25 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 220A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
139+1.68 EUR
165+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT20U100SLP-13 SBRT20U100SLP-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
104+2.25 EUR
128+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
159+1.46 EUR
234+0.92 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
115+1.87 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F BSS138-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F BSS138-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PAM2301CAAB120 PAM2301CAAB120 DIODES INC. DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
210+1.11 EUR
281+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PAM2301CAAB120 PAM2301CAAB120 DIODES INC. DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
210+1.11 EUR
281+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13 2N7002AQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.43 EUR
827+0.29 EUR
1839+0.12 EUR
2381+0.09 EUR
2674+0.08 EUR
5000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
506+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1096+0.19 EUR
1232+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
506+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1096+0.19 EUR
1232+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13 2N7002AQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.43 EUR
827+0.29 EUR
1839+0.12 EUR
2381+0.09 EUR
2674+0.08 EUR
5000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002TQ-7-F 2N7002TQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+1.23 EUR
295+0.79 EUR
466+0.46 EUR
741+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002TQ-7-F 2N7002TQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+1.23 EUR
295+0.79 EUR
466+0.46 EUR
741+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZT953 FZT953 DIODES INC. DIODS12225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT953 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
125+1.87 EUR
149+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVN2106ASTZ ZVN2106ASTZ DIODES INC. ZVN2106A.pdf Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
165+1.42 EUR
251+0.86 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54WT-7 BAT54WT-7 DIODES INC. DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
513+0.49 EUR
841+0.27 EUR
1336+0.15 EUR
1835+0.12 EUR
2101+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54WT-7 BAT54WT-7 DIODES INC. DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
513+0.49 EUR
841+0.27 EUR
1336+0.15 EUR
1835+0.12 EUR
2101+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ78A-13-F SMBJ78A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0003133144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SMBJ78A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 78 V, 126 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 86.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 99.7V
isCanonical: N
Sperrspannung: 78V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 126V
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.82 EUR
405+0.57 EUR
629+0.35 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2090UFDB-7 DMP2090UFDB-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
289+0.81 EUR
316+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2090UFDB-7 DMP2090UFDB-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
289+0.81 EUR
316+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2110UFDB-7 DMP2110UFDB-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2110UFDB-7 DMP2110UFDB-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6250SFDF-13 DMP6250SFDF-13 DIODES INC. DMP6250SFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
146+1.59 EUR
187+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6250SFDF-13 DMP6250SFDF-13 DIODES INC. DMP6250SFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
146+1.59 EUR
187+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1378+0.15 EUR
1905+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 DIODES INC. DMN1045UFR4.pdf Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
363+0.64 EUR
572+0.38 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13 DXT2012P5-13 DIODES INC. ds32070.pdf Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
177+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13 DXT2012P5-13 DIODES INC. ds32070.pdf Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
177+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DMN65D9L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1378+0.15 EUR
1905+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP03200BP5-13 DXTP03200BP5-13 DIODES INC. ds32068.pdf Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
117+2 EUR
179+1.2 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP03200BP5-13 DXTP03200BP5-13 DIODES INC. ds32068.pdf Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
117+2 EUR
179+1.2 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 DIODES INC. DMN1045UFR4.pdf Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
363+0.64 EUR
572+0.38 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DFLS1100-7 DFLS1100-7 DIODES INC. 3630653.pdf Description: DIODES INC. - DFLS1100-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, POWERDI®, 100 V, 1 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 770 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 770mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 291939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
419+0.56 EUR
614+0.35 EUR
720+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INC. DMG3402L.pdf Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.95 EUR
390+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INC. DMG3402L.pdf Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.95 EUR
390+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2024UQ-7 DMN2024UQ-7 DIODES INC. 3168380.pdf Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
280+0.83 EUR
445+0.48 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 DIODES INC. DIODS13782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+1.27 EUR
267+0.87 EUR
424+0.5 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2024UFDF-7 DMN2024UFDF-7 DIODES INC. DMN2024UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2024UQ-7 DMN2024UQ-7 DIODES INC. 3168380.pdf Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
280+0.83 EUR
445+0.48 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000570642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
316+0.74 EUR
323+0.67 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000570642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
316+0.74 EUR
323+0.67 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13 DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6042SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.38 EUR
165+1.42 EUR
253+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6042SPS-13 DIOD-S-A0002497812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6042SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6042SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.034 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.38 EUR
165+1.42 EUR
253+0.84 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H015LPS-13 DIOD-S-A0011397089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH10H015LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.03 EUR
119+1.81 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP26M1UPS-13 3204158.pdf
DMP26M1UPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 5000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.76W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.43 EUR
117+1.99 EUR
166+1.3 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT61M5SPSW-13 3177136.pdf
DMT61M5SPSW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH61M8LPS-13 3177139.pdf
DMTH61M8LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.94 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8028LPSWQ-13 3204176.pdf
DMTH8028LPSWQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8028LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.99 EUR
189+1.24 EUR
281+0.76 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6002LPSWQ-13 DMTH6002LPSWQ.pdf
DMTH6002LPSWQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.13W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 5858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.69 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13 3204166.pdf
DMTH10H072LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
206+1.13 EUR
233+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH47M2LPSWQ-13 3204172.pdf
DMTH47M2LPSWQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
148+1.57 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH12H007SPS-13 3204167.pdf
DMTH12H007SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH10H072LPS-13 3204166.pdf
DMTH10H072LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H072LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
206+1.13 EUR
233+0.93 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT32M4LPSW-13 DMT32M4LPSW.pdf
DMT32M4LPSW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT20U100SLP-13 DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBRT20U100SLP-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.7 EUR
104+2.25 EUR
128+1.69 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3028LPSQ-13 DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3028LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
136+1.71 EUR
193+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13 DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6021SPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
157+1.49 EUR
235+0.92 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH32M5LPSQ-13 DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH32M5LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.45 EUR
71+3.27 EUR
115+1.87 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3028LPSQ-13 DIOD-S-A0004145086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3028LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
136+1.71 EUR
193+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT25U60SLP-13 DIOD-S-A0000785539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBRT25U60SLP-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT25U60SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 25 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 220A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.32 EUR
139+1.68 EUR
165+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBRT20U100SLP-13 DIOD-S-A0000446156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBRT20U100SLP-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT20U100SLP-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, PowerDI 5060, 8 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 5060
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
104+2.25 EUR
128+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6021SPSQ-13 DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6021SPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
159+1.46 EUR
234+0.92 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH32M5LPSQ-13 DIOD-S-A0005045143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH32M5LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH32M5LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
115+1.87 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F DIOD-S-A0013396810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PAM2301CAAB120 DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PAM2301CAAB120
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
210+1.11 EUR
281+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PAM2301CAAB120 DIOD-S-A0009865543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PAM2301CAAB120
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PAM2301CAAB120 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Vout, 2.5 bis 5.5Vin, 1.2V/800mA, TSOT-25-5
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-25
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
210+1.11 EUR
281+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13 DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002AQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
579+0.43 EUR
827+0.29 EUR
1839+0.12 EUR
2381+0.09 EUR
2674+0.08 EUR
5000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002Q-7-F DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002Q-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.81 EUR
506+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1096+0.19 EUR
1232+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002Q-7-F DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002Q-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.81 EUR
506+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1096+0.19 EUR
1232+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002AQ-13 DIOD-S-A0011098141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002AQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
579+0.43 EUR
827+0.29 EUR
1839+0.12 EUR
2381+0.09 EUR
2674+0.08 EUR
5000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002TQ-7-F DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002TQ-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
205+1.23 EUR
295+0.79 EUR
466+0.46 EUR
741+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002TQ-7-F DIOD-S-A0012994294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002TQ-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002TQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 4.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
205+1.23 EUR
295+0.79 EUR
466+0.46 EUR
741+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZT953 DIODS12225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZT953
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT953 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
125+1.87 EUR
149+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVN2106ASTZ ZVN2106A.pdf
ZVN2106ASTZ
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.42 EUR
165+1.42 EUR
251+0.86 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54WT-7 DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54WT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
513+0.49 EUR
841+0.27 EUR
1336+0.15 EUR
1835+0.12 EUR
2101+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54WT-7 DIODS12185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54WT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT54WT-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 200 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
513+0.49 EUR
841+0.27 EUR
1336+0.15 EUR
1835+0.12 EUR
2101+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ78A-13-F DIOD-S-A0003133144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBJ78A-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ78A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Unidirektional, 78 V, 126 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 86.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 99.7V
isCanonical: N
Sperrspannung: 78V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 126V
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
304+0.82 EUR
405+0.57 EUR
629+0.35 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2090UFDB-7
DMP2090UFDB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
289+0.81 EUR
316+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2090UFDB-7
DMP2090UFDB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
289+0.81 EUR
316+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2110UFDB-7 DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2110UFDB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2110UFDB-7 DIOD-S-A0012956122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2110UFDB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6250SFDF-13 DMP6250SFDF.pdf
DMP6250SFDF-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.75 EUR
146+1.59 EUR
187+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6250SFDF-13 DMP6250SFDF.pdf
DMP6250SFDF-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.75 EUR
146+1.59 EUR
187+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D9L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
524+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1378+0.15 EUR
1905+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4.pdf
DMN1045UFR4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+1.12 EUR
363+0.64 EUR
572+0.38 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13 ds32070.pdf
DXT2012P5-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
177+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13 ds32070.pdf
DXT2012P5-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
177+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7 DIOD-S-A0012955653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D9L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
524+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1378+0.15 EUR
1905+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP03200BP5-13 ds32068.pdf
DXTP03200BP5-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.45 EUR
117+2 EUR
179+1.2 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXTP03200BP5-13 ds32068.pdf
DXTP03200BP5-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.45 EUR
117+2 EUR
179+1.2 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4.pdf
DMN1045UFR4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+1.12 EUR
363+0.64 EUR
572+0.38 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DFLS1100-7 3630653.pdf
DFLS1100-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DFLS1100-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, POWERDI®, 100 V, 1 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 770 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 770mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 291939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.77 EUR
419+0.56 EUR
614+0.35 EUR
720+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L.pdf
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.95 EUR
390+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L.pdf
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.95 EUR
390+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2024UQ-7 3168380.pdf
DMN2024UQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
206+1.21 EUR
280+0.83 EUR
445+0.48 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 DIODS13782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2020LSN-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+1.27 EUR
267+0.87 EUR
424+0.5 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2024UFDF-7 DMN2024UFDF.pdf
DMN2024UFDF-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
262+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2024UQ-7 3168380.pdf
DMN2024UQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
206+1.21 EUR
280+0.83 EUR
445+0.48 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 DIOD-S-A0000570642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028USS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+1.2 EUR
316+0.74 EUR
323+0.67 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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DMN2028USS-13 DIOD-S-A0000570642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028USS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+1.2 EUR
316+0.74 EUR
323+0.67 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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