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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.45 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
9000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED DMG4511SK4.pdf DMG4511SK4-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
116+0.62 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
233+0.31 EUR
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
235+0.3 EUR
360+0.2 EUR
432+0.17 EUR
625+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
246+0.29 EUR
382+0.19 EUR
463+0.15 EUR
685+0.1 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
226+0.32 EUR
317+0.23 EUR
365+0.2 EUR
506+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf DMG6968U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 DIODES INCORPORATED ds31758.pdf DMG6968UDM-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
111+0.65 EUR
329+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DMG7430LFG-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82326CD4B98BF&compId=DMG7430LFG.pdf?ci_sign=46a2dbeca1b150f07f6094f0e0e434e8cf49cb4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
266+0.27 EUR
304+0.24 EUR
323+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 6/-4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
80+0.89 EUR
108+0.66 EUR
123+0.58 EUR
250+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F DMMT3904W-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
258+0.28 EUR
374+0.19 EUR
443+0.16 EUR
633+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5401.pdf DMMT5401-7-F PNP SMD transistors
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
575+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
214+0.33 EUR
311+0.23 EUR
368+0.19 EUR
521+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
1500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.98 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
242+0.3 EUR
281+0.25 EUR
304+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
137+0.52 EUR
241+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LQ-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
220+0.33 EUR
256+0.28 EUR
477+0.15 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 DMN2004K-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
205+0.34 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED ds30836.pdf DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
596+0.12 EUR
926+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 596
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31946.pdf DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
128+0.56 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 DIODES INCORPORATED DMN2028USS.pdf DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 DIODES INCORPORATED ds31941.pdf DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.86 EUR
321+0.22 EUR
341+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2046U-7 DIODES INCORPORATED DMN2046U.pdf DMN2046U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
182+0.39 EUR
1035+0.069 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7 DMN2056U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF3BB87C4EA18BF&compId=DMN2056U.pdf?ci_sign=02858e5a2ae901756f0aa55529d040dd315a3492 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf DMN2058U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
147+0.49 EUR
319+0.23 EUR
444+0.16 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7 DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9090ED1CDD8BF&compId=DMN2230U.pdf?ci_sign=925c8ebe97ee64d169ed4cefa8663301a8dcaecc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
350+0.21 EUR
435+0.17 EUR
490+0.15 EUR
520+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 350
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9103799AD78BF&compId=DMN2230UQ.pdf?ci_sign=3e06f057d16521d57eebbb63003e460e2d9558d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
247+0.29 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 DIODES INCORPORATED DMN2400UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
215+0.33 EUR
311+0.23 EUR
365+0.2 EUR
511+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
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DMN24H11DS-7 DIODES INCORPORATED DMN24H11DS.pdf DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
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DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED ds31854.pdf DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
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DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3018SSD-13 DMN3018SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94696681B38BF&compId=DMN3018SSD.pdf?ci_sign=3ddd7e76af5e043c2c7d197228109906ddb60d02 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf DMN3023L-7 SMD N channel transistors
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DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C952E40FC658BF&compId=DMN3024LSD.pdf?ci_sign=7f34657f21f8fb2a6a393880a7b83fa9361c5ebe Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN3033LDM-7 DMN3033LDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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49+1.46 EUR
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DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C96C3E7BCDD8BF&compId=DMN3033LSN.pdf?ci_sign=9e4635916e6ae54c16f8302a149f284d14897fdb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMN3042L-7 DMN3042L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C970B7E97238BF&compId=DMN3042L.pdf?ci_sign=dc29de961bbfa8e5d871beaa03a4027b9ae91cc1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
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DMN3053L-7 DIODES INCORPORATED DMN3053L.pdf DMN3053L-7 SMD N channel transistors
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DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED90BB128E54A18&compId=DMN3065LW.pdf?ci_sign=64395f49275f7994814ea379c2493f36ffcd24f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
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DMN3067LW-7 DMN3067LW-7 DIODES INCORPORATED DMN3067LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
268+0.27 EUR
376+0.19 EUR
435+0.16 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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DMN3150L-7 DIODES INCORPORATED ds31126.pdf DMN3150L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.47 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 151
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN3190LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
413+0.17 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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DMN3200U-7 DIODES INCORPORATED ds31188.pdf DMN3200U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 145
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DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 DIODES INCORPORATED ds31238.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
236+0.3 EUR
347+0.21 EUR
412+0.17 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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DMN3404L-7 DIODES INCORPORATED DMN3404L.pdf DMN3404L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8049 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
227+0.32 EUR
1071+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
21000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 227
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DMN3730U-7 DIODES INCORPORATED DMN3730U_Mar2022.pdf DMN3730U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
156+0.46 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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DMN53D0L-7 DMN53D0L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9AD34656698BF&compId=DMN53D0L.pdf?ci_sign=a5bc724b5c2f003f711d67caeb34294946a167c9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
374+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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DMN53D0LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW.pdf DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
406+0.18 EUR
895+0.08 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 406
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DMN53D0LQ-7 DMN53D0LQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9BD84B95D78BF&compId=DMN53D0LQ.pdf?ci_sign=460e06506c3fa2bfda1daa81a277914786d84f33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.076 EUR
1500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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DMN601K-7 DMN601K-7 DIODES INCORPORATED DMN601K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
405+0.17 EUR
500+0.14 EUR
3000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 405
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DMN6040SFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN6040SFDE.pdf DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
272+0.26 EUR
286+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMN6040SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SK3.pdf DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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DMN6040SSD-13 DMN6040SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA282298BF8748&compId=DMN6040SSD.pdf?ci_sign=cf649a4e662276bf99a4f263dde1ed28a03c3d0d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
129+0.55 EUR
148+0.48 EUR
215+0.33 EUR
247+0.29 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMN6040SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN6040SSS.pdf DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
256+0.28 EUR
319+0.22 EUR
336+0.21 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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DMN6040SVT-7 DMN6040SVT-7 DIODES INCORPORATED DMN6040SVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5A
Gate charge: 22.4nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
125+0.57 EUR
156+0.46 EUR
205+0.35 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED918C1080B4A18&compId=DMN6068SE.pdf?ci_sign=e86aeda139c972219309697d9f30d93b466730f8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
138+0.52 EUR
179+0.4 EUR
200+0.36 EUR
250+0.31 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.45 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
9000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD.pdf
DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
116+0.62 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
233+0.31 EUR
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7.pdf
DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
235+0.3 EUR
360+0.2 EUR
432+0.17 EUR
625+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7.pdf
DMG6602SVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
246+0.29 EUR
382+0.19 EUR
463+0.15 EUR
685+0.1 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf
DMG6602SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
226+0.32 EUR
317+0.23 EUR
365+0.2 EUR
506+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 ds31758.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
111+0.65 EUR
329+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82326CD4B98BF&compId=DMG7430LFG.pdf?ci_sign=46a2dbeca1b150f07f6094f0e0e434e8cf49cb4f
DMG7430LFG-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
266+0.27 EUR
304+0.24 EUR
323+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD.pdf
DMHC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 6/-4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
80+0.89 EUR
108+0.66 EUR
123+0.58 EUR
250+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F DMMT3904W.pdf
DMMT3904W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
258+0.28 EUR
374+0.19 EUR
443+0.16 EUR
633+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F DMMT5401.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMMT5401-7-F PNP SMD transistors
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
575+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F DMMT5551.pdf
DMMT5551-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
214+0.33 EUR
311+0.23 EUR
368+0.19 EUR
521+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
1500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.98 EUR
241+0.3 EUR
256+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7
DMN1025UFDB-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
242+0.3 EUR
281+0.25 EUR
304+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
DMN10H220LK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
137+0.52 EUR
241+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7.pdf
DMN10H220LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
220+0.33 EUR
256+0.28 EUR
477+0.15 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a
DMN2004K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
205+0.34 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 ds30836.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
596+0.12 EUR
926+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 596
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 ds31946.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
128+0.56 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 DMN2028USS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.86 EUR
321+0.22 EUR
341+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2046U-7 DMN2046U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
182+0.39 EUR
1035+0.069 EUR
9000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF3BB87C4EA18BF&compId=DMN2056U.pdf?ci_sign=02858e5a2ae901756f0aa55529d040dd315a3492
DMN2056U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 DMN2058U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
319+0.23 EUR
444+0.16 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9090ED1CDD8BF&compId=DMN2230U.pdf?ci_sign=925c8ebe97ee64d169ed4cefa8663301a8dcaecc
DMN2230U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
350+0.21 EUR
435+0.17 EUR
490+0.15 EUR
520+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 350
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9103799AD78BF&compId=DMN2230UQ.pdf?ci_sign=3e06f057d16521d57eebbb63003e460e2d9558d7
DMN2230UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
172+0.42 EUR
247+0.29 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7 DMN2400UV.pdf
DMN2400UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
215+0.33 EUR
311+0.23 EUR
365+0.2 EUR
511+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
135+0.53 EUR
400+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7 ds31854.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 150 Stücke:
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Anzahl Preis
150+0.47 EUR
343+0.21 EUR
944+0.076 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3.pdf
DMN3009SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
131+0.55 EUR
191+0.37 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94696681B38BF&compId=DMN3018SSD.pdf?ci_sign=3ddd7e76af5e043c2c7d197228109906ddb60d02
DMN3018SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
142+0.51 EUR
214+0.33 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-7 DMN3023L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3023L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C952E40FC658BF&compId=DMN3024LSD.pdf?ci_sign=7f34657f21f8fb2a6a393880a7b83fa9361c5ebe
DMN3024LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
118+0.61 EUR
211+0.34 EUR
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024SFG-13 DMN3024SFG.pdf
DMN3024SFG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2038 Stücke:
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Anzahl Preis
152+0.47 EUR
174+0.41 EUR
224+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LE-13 DMN3032LE.pdf
DMN3032LE-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
123+0.58 EUR
182+0.39 EUR
250+0.34 EUR
500+0.3 EUR
600+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126
DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
100+0.72 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LSN-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C96C3E7BCDD8BF&compId=DMN3033LSN.pdf?ci_sign=9e4635916e6ae54c16f8302a149f284d14897fdb
DMN3033LSN-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
146+0.49 EUR
168+0.43 EUR
280+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3042L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C970B7E97238BF&compId=DMN3042L.pdf?ci_sign=dc29de961bbfa8e5d871beaa03a4027b9ae91cc1
DMN3042L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
424+0.17 EUR
500+0.14 EUR
747+0.096 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3053L-7 DMN3053L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3053L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3065LW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED90BB128E54A18&compId=DMN3065LW.pdf?ci_sign=64395f49275f7994814ea379c2493f36ffcd24f2
DMN3065LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
327+0.22 EUR
382+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
1500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3067LW-7 DMN3067LW.pdf
DMN3067LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
268+0.27 EUR
376+0.19 EUR
435+0.16 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3150L-7 ds31126.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.47 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW.pdf
DMN3190LDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
413+0.17 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3200U-7 ds31188.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3200U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.49 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
236+0.3 EUR
347+0.21 EUR
412+0.17 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3404L-7 DMN3404L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3404L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8049 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
227+0.32 EUR
1071+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
21000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 227
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3730U-7 DMN3730U_Mar2022.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN3730U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.46 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9AD34656698BF&compId=DMN53D0L.pdf?ci_sign=a5bc724b5c2f003f711d67caeb34294946a167c9
DMN53D0L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
374+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
406+0.18 EUR
895+0.08 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 406
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9BD84B95D78BF&compId=DMN53D0LQ.pdf?ci_sign=460e06506c3fa2bfda1daa81a277914786d84f33
DMN53D0LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.076 EUR
1500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601K-7 DMN601K.pdf
DMN601K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
405+0.17 EUR
500+0.14 EUR
3000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7 DMN6040SFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
272+0.26 EUR
286+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13 DMN6040SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA282298BF8748&compId=DMN6040SSD.pdf?ci_sign=cf649a4e662276bf99a4f263dde1ed28a03c3d0d
DMN6040SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
129+0.55 EUR
148+0.48 EUR
215+0.33 EUR
247+0.29 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
256+0.28 EUR
319+0.22 EUR
336+0.21 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SVT-7 DMN6040SVT.pdf
DMN6040SVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5A
Gate charge: 22.4nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
125+0.57 EUR
156+0.46 EUR
205+0.35 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6068SE-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED918C1080B4A18&compId=DMN6068SE.pdf?ci_sign=e86aeda139c972219309697d9f30d93b466730f8
DMN6068SE-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
138+0.52 EUR
179+0.4 EUR
200+0.36 EUR
250+0.31 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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