Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (276647) > Seite 1569 nach 4611
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| MSMBJ5364BE3 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSMBG5364B | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSMBG5364BE3 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSMBJ5364BE3/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSMBJ5364B | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSMBJ5364B/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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CD5364B | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 33V 5W DIECurrent - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25.1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Power - Max: 5 W Supplier Device Package: Die Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 167 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANS2N5151L | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5 Qualification: MIL-PRF-19500/545 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANSF2N5151L | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/545 Grade: Military |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| JANTX2N5151L | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/545 Grade: Military |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| JANTXV2N5151L | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5Qualification: MIL-PRF-19500/545 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| JAN2N5151L | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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JANSM2N5151L | Microchip Technology |
Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANSP2N5151L | Microchip Technology |
Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANSR2N5151L | Microchip Technology |
Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANSL2N5151L | Microchip Technology |
Description: RH POWER BJT Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANSD2N5151L | Microchip Technology |
Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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2N5151L | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5AAQualification: MIL-PRF-19500/545 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| DSC2311KE2-R0090T | Microchip Technology | Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT |
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DSC2311KI1-R0051T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KL1-R0054 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KI2-R0057T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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| DSC2311KI1-R0040 | Microchip Technology | Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT |
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DSC2311KI1-R0053T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KM1-R0002 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD |
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DSC2311KI1-R0054 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KL1-R0054T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KI2-R0055T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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| DSC2311KI1-R0040T | Microchip Technology | Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT |
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DSC2311KE2-R0016T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD |
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DSC2311KI2-R0016 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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| DSC2311KL2-R0091T | Microchip Technology | Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT |
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DSC2311KL2-R0048T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KM2-R0050 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KL1-R0002T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD |
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DSC2311KE1-R0047 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KI2-R0008T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD |
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DSC2311KL2-R0048 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KM2-R0002 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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DSC2311KL2-R0002T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD |
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DSC2311KI1-R0054T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN |
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DSC2311KI1-R0059T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD |
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MSMCJ30A/TR | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMCJQualification: MIL-PRF-19500 Grade: Military Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: SMCJ (DO-214AB) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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DSC6001JI1B-460K800 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC ULP LVCMOS -40C-85C 50P |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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DSC6001JI1B-460K800T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC ULP LVCMOS -40C-85C 50P |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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1N4759AP/TR8 | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO204ALCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Power - Max: 1 W Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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1N4759AG/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V |
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Mindestbestellmenge: 285 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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1N4759UR-1 | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO213ABPackaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Power - Max: 1 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V |
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Mindestbestellmenge: 272 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| AX500-PQ208I | Microchip Technology |
Description: IC FPGA 115 I/O 208QFP |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| AX500-1PQ208I | Microchip Technology |
Description: IC FPGA 115 I/O 208QFP |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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MNS1N5819UR-1 | Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213ABPackaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/586 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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MNS1N5819UR-1/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/586 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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1N5913B/TR | Microchip Technology |
Description: VOLTAGE REGULATOR Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Power - Max: 1.25 W Part Status: Active Supplier Device Package: DO-41 Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 295 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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1N5913BUR-1/TR | Microchip Technology |
Description: VOLTAGE REGULATOR Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Power - Max: 1.25 W Part Status: Active Supplier Device Package: DO-213AB Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 223 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| MSCSM120TAM31T3AG | Microchip Technology |
Description: SIC 6N-CH 1200V 89ATechnology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Power - Max: 395W (Tc) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSCSM70HM19T3AG | Microchip Technology |
Description: MOSFET 4N-CH 700V 124APart Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Power - Max: 365W (Tc) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MSCSM120AM08T3AG | Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 337APackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1409W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 160A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 12mA Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSCSM120AM02T6LIAG | Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 947APackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 3.75kW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 947A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36200pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 480A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2784nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36mA Part Status: Active |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSCSM120HM50T3AG | Microchip Technology |
Description: PM-MOSFET-SIC-SP3FPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 245W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| MSCSM120AM16T1AG | Microchip Technology |
Description: SIC 2N-CH 1200V 173APackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 745W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 464nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSMBJ5364BE3 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Description: VOLTAGE REGULATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMBG5364B |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Description: VOLTAGE REGULATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMBG5364BE3 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Description: VOLTAGE REGULATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMBJ5364BE3/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Description: VOLTAGE REGULATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMBJ5364B |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Description: VOLTAGE REGULATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMBJ5364B/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Description: VOLTAGE REGULATOR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CD5364B |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 33V 5W DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Supplier Device Package: Die
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ZENER 33V 5W DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Supplier Device Package: Die
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANS2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANSF2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5151L |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5151L |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5151L |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANSM2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANSP2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANSR2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANSL2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: RH POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANSD2N5151L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Description: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5151L |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
Description: TRANS PNP 80V 2A TO5AA
Qualification: MIL-PRF-19500/545
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KE2-R0090T |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0051T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL1-R0054 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI2-R0057T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0040 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0053T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KM1-R0002 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0054 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL1-R0054T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI2-R0055T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0040T |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KE2-R0016T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI2-R0016 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL2-R0091T |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Description: MEMS CLOCK GEN DUAL OUTPUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL2-R0048T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KM2-R0050 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL1-R0002T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KE1-R0047 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI2-R0008T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL2-R0048 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KM2-R0002 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC2311KL2-R0002T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
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Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0054T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6VDFN
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Stück im Wert von UAH
| DSC2311KI1-R0059T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
Description: MEMS OSC XO 2.25V-3.6V 6SMD
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Stück im Wert von UAH
| MSMCJ30A/TR |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMCJ
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMCJ (DO-214AB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMCJ
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMCJ (DO-214AB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| DSC6001JI1B-460K800 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC ULP LVCMOS -40C-85C 50P
Description: MEMS OSC ULP LVCMOS -40C-85C 50P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC6001JI1B-460K800T |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC ULP LVCMOS -40C-85C 50P
Description: MEMS OSC ULP LVCMOS -40C-85C 50P
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| 1N4759AP/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N4759AG/TR |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N4759UR-1 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
Description: DIODE ZENER 62V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 47.1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AX500-PQ208I |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC FPGA 115 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 115 I/O 208QFP
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| AX500-1PQ208I |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC FPGA 115 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 115 I/O 208QFP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| MNS1N5819UR-1 |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/586
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/586
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MNS1N5819UR-1/TR |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/586
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/586
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5913B/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-41
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: VOLTAGE REGULATOR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-41
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5913BUR-1/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VOLTAGE REGULATOR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: VOLTAGE REGULATOR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSCSM120TAM31T3AG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: SIC 6N-CH 1200V 89A
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 395W (Tc)
Description: SIC 6N-CH 1200V 89A
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 395W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSCSM70HM19T3AG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Power - Max: 365W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Power - Max: 365W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 341.05 EUR |
| MSCSM120AM08T3AG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 337A
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1409W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 160A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 12mA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 337A
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1409W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 160A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 12mA
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSCSM120AM02T6LIAG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 947A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 3.75kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 947A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36200pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 480A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2784nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36mA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 947A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 3.75kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 947A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36200pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 480A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2784nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36mA
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSCSM120HM50T3AG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SP3F
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 245W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Part Status: Active
Description: PM-MOSFET-SIC-SP3F
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 245W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSCSM120AM16T1AG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: SIC 2N-CH 1200V 173A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 745W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 464nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
Part Status: Active
Description: SIC 2N-CH 1200V 173A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 745W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 464nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH






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