| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MT62F768M64D4CZ-023 AIT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT62F768M64D4CZ-023 AIT:C - LPDDR5 48GBIT 64 561-570 TFBGA 4 IT tariffCode: 85423239 MSL: MSL 3 - 168 Stunden productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F1G64D4EK-023 WT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT62F1G64D4EK-023 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.05V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 441Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT35XU01GBBA2G12-0SIT | MICRON |
Description: MICRON - MT35XU01GBBA2G12-0SIT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT60B2G8RZ-64B AAT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT60B2G8RZ-64B AAT:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 3.2 GHz, VFBGA, 78 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 3.2GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2EK-023 FAAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 441Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2EK-023 AIT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 441Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT60B1G16HD-64B AAT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT60B1G16HD-64B AAT:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 3.2 GHz, VFBGA, 102 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 3.2GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 102Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MT62F512M32D1DS-023 AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2EK-023 AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 441Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M32D1DS-020 AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.8GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2CZ-023 AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 561Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2EK-020 AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-020 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.8GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 441Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M32D1DS-020AUT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.8GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E768M32D2ZW-046 WT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT53E768M32D2ZW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 24Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 768M x 32 Bit |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A | MICRON |
Description: MICRON - MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A - Flash-Speicher, SLC-NAND, 256 Gbit, 32G x 8 Bit, Parallel, LBGA, 100 Pin(s)tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Speicherdichte: 256Gbit Zugriffszeit: 20ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 100MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M32D1DS-023 AIT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M32D1DS-023 FAAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M32D1DS-023 AUT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2CZ-023 FAAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 561Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2CZ-023 AIT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 561Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s) tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 30ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E1G32D2FW-046 WT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit |
auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT29F16G08ABACAWP-AAT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT29F16G08ABACAWP-AAT:C - Flash-Speicher, SLC-NAND, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 16Gbit Zugriffszeit: 20ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit |
auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFC32GBCAQTC-AAT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC32GBCAQTC-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 32 GB, 32G x 8 Bit, eMMC 5.1, LFBGA, 153 Pin(s)tariffCode: 85423219 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: eMMC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA Speicherdichte: 32GB usEccn: EAR99 Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 153Pin(s) Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: eMMC 5.1 Betriebstemperatur, max.: 115°C Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1516 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT41K64M16TW-107 XIT:J | MICRON |
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 XIT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit |
auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT41K64M16TW-107 AIT:J | MICRON |
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 AIT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit |
auf Bestellung 1216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit Zugriffszeit: 20ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E1G32D2FW-046 IT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit |
auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT47H32M16NF-25E:H | MICRON |
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E:H - DRAM, 32M X 16BIT, 0 TO 85DEG CtariffCode: 85423261 MSL: MSL 3 - 168 hours productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 84Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT48LC16M16A2B4-7E IT:G | MICRON |
Description: MICRON - MT48LC16M16A2B4-7E IT:G - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 133 MHz, VFBGA, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
auf Bestellung 1537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT35XU02GCBA1G12-0AAT | MICRON |
Description: MICRON - MT35XU02GCBA1G12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFDKEL128THE-1BM15ATYY | MICRON |
Description: MICRON - MTFDKEL128THE-1BM15ATYY - SSD, PCIe SSD, PCIe, NVMe, 128 GB, TLC NANDtariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verschlüsselung: - Sequentielle Lesegeschwindigkeit: - Random-Lesegeschwindigkeit bis: - Flash-Speicher: TLC NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Speicherkapazität: 128GB isCanonical: Y Random-Schreibgeschwindigkeit bis: - Versorgungsspannung, nom.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Formfaktor: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Sequentielle Schreibgeschwindigkeit: - Produktpalette: 4100AT Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Laufwerktyp: PCIe SSD Schnittstellen: PCIe, NVMe Betriebstemperatur, max.: 105°C |
auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFC1TBGBCTD-AAT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC1TBGBCTD-AAT - UFS 8TBIT 153/196 TFBGA ATtariffCode: 85423290 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFC128GBGBCTD-AAT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC128GBGBCTD-AAT - UFS 1TBIT 153/196 TFBGA AT tariffCode: 85423290 productTraceability: No SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories |
auf Bestellung 1512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53B128M32D1DT-053 AUT:A | MICRON |
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 AUT:A - DRAM, AEC-Q100, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53B128M32D1DT-053 IT:A | MICRON |
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 IT:A - DRAM, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s) tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 30ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT47H128M8SH-25E:M. | MICRON |
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M. - DRAM, 128M X 8BIT, 0 TO 85DEG CtariffCode: 85423239 MSL: MSL 3 - 168 hours productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 60Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFC32GBCAQTC-WT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC32GBCAQTC-WT - Flash-Speicher, TLC NAND, 32 GB, 32G x 8 Bit, LFBGA, 153 Pin(s) tariffCode: 85423275 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: TLC NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA Speicherdichte: 32GB MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 153Pin(s) Produktpalette: 1.8V eMMC TLC NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit |
auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT40A1G8AG-062E AUT:R | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AUT:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E2G64D8TN-046 AAT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT53E2G64D8TN-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64 Bit, 2.133 GHz, LFBGA, 556 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA Speicherdichte: 128Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 64 Bit |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFDKEL256THE-1BM15ATYY | MICRON |
Description: MICRON - MTFDKEL256THE-1BM15ATYY - USSD 2TBIT 291/414 LFBGA AT tariffCode: 85423290 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53B128M32D1DT-053 AAT:A | MICRON |
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 AAT:A - DRAM, AEC-Q100, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFC256GBGBCTD-AAT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC256GBGBCTD-AAT - UFS 2TBIT 153/196 TFBGA AT tariffCode: 85423290 MSL: MSL 3 - 168 Stunden productTraceability: No SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTFC512GBGBCTD-AAT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC512GBGBCTD-AAT - Flash-Speicher, UFS-NAND, 512 GB, 512G x 8 Bit, TFBGA, 153 Pin(s)tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: UFS-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512GB MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 153Pin(s) Produktpalette: 1.2V UFS NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512G x 8 Bit |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTC20F1045S1RC64BD2 | MICRON |
Description: MICRON - MTC20F1045S1RC64BD2 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 3.2 GHz, DDR5-RDIMM, Server-RDIMM, 4G x 4 Bit tariffCode: 84733020 Speicheranwendung: Server-RDIMM Modul-Formfaktor: DDR5-RDIMM rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulspeicher: - Speicherdichte: 32GB usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 95°C Speichergeschwindigkeit: 3.2GHz Speicherkonfiguration: 4G x 4 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTC16C2085S1SC56BD1 | MICRON |
Description: MICRON - MTC16C2085S1SC56BD1 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 2.8 GHz, PC5-5600, DDR5 SO-DIMM, Notebook-SODIMM, 2G x 8 Bit tariffCode: 84733020 Speicheranwendung: Notebook-SODIMM euEccn: NLR Modul-Formfaktor: DDR5 SO-DIMM rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulspeicher: PC5-5600 isCanonical: Y Speicherdichte: 32GB Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 95°C Speichergeschwindigkeit: 2.8GHz Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MTC20F2085S1RC64BD2 | MICRON |
Description: MICRON - MTC20F2085S1RC64BD2 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 3.2 GHz, DDR5-RDIMM, Server-RDIMM, 2G x 8 Bit tariffCode: 84733020 Speicheranwendung: Server-RDIMM euEccn: NLR Modul-Formfaktor: DDR5-RDIMM rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulspeicher: - isCanonical: Y Speicherdichte: 32GB Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 95°C Speichergeschwindigkeit: 3.2GHz Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2EK-023 AUT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 441Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2CZ-023 AUT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 561Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGAtariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E256M16D1DS-046 WT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT52L256M64D2LZ-107 WT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT52L256M64D2LZ-107 WT:B - DRAM, LPDDR3, 16 Gbit, 256M x 64 Bit, 933 MHz, WFBGA, 216 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: LPDDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -30°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 216Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 64 Bit |
auf Bestellung 1016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT60B2G8RZ-56B:D | MICRON |
Description: MICRON - MT60B2G8RZ-56B:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 2.8 GHz, VFBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.8GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit |
auf Bestellung 3002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s) tariffCode: 85423275 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit Zugriffszeit: 22ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit |
auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT29F2G01ABAGD12-AAT:G | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G01ABAGD12-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 2G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423275 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 2Gbit Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 1 Bit |
auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT40A1G8AG-062E AAT:R | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AAT:R - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT62F512M64D2CZ-023 WT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 WT:E - DRAM, Mobile LPDDR5, 4 GB, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 4GB Versorgungsspannung, nom.: 1.05V Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 561Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT62F768M64D4CZ-023 AIT:C |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F768M64D4CZ-023 AIT:C - LPDDR5 48GBIT 64 561-570 TFBGA 4 IT
tariffCode: 85423239
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: MICRON - MT62F768M64D4CZ-023 AIT:C - LPDDR5 48GBIT 64 561-570 TFBGA 4 IT
tariffCode: 85423239
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1001.19 EUR |
| MT62F1G64D4EK-023 WT:C |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F1G64D4EK-023 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F1G64D4EK-023 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1066.45 EUR |
| MT35XU01GBBA2G12-0SIT |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT35XU01GBBA2G12-0SIT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: MICRON - MT35XU01GBBA2G12-0SIT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 242.02 EUR |
| MT60B2G8RZ-64B AAT:D |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT60B2G8RZ-64B AAT:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 3.2 GHz, VFBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 3.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
Description: MICRON - MT60B2G8RZ-64B AAT:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 3.2 GHz, VFBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 3.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 659.86 EUR |
| MT62F512M64D2EK-023 FAAT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2215.71 EUR |
| MT62F512M64D2EK-023 AIT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1831.15 EUR |
| MT60B1G16HD-64B AAT:D |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT60B1G16HD-64B AAT:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 3.2 GHz, VFBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 3.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: MICRON - MT60B1G16HD-64B AAT:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 3.2 GHz, VFBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 3.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT62F512M32D1DS-023 AAT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 52.84 EUR |
| 10+ | 46.33 EUR |
| MT62F512M64D2EK-023 AAT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2014.31 EUR |
| MT62F512M32D1DS-020 AAT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1292.51 EUR |
| MT62F512M64D2CZ-023 AAT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1955.62 EUR |
| MT62F512M64D2EK-020 AAT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-020 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-020 AAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2215.71 EUR |
| MT62F512M32D1DS-020AUT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-020AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.8 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1486.43 EUR |
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1412.48 EUR |
| MT53E768M32D2ZW-046 WT:C |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E768M32D2ZW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 24Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 768M x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E768M32D2ZW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 24Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 768M x 32 Bit
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 587.15 EUR |
| MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A - Flash-Speicher, SLC-NAND, 256 Gbit, 32G x 8 Bit, Parallel, LBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Speicherdichte: 256Gbit
Zugriffszeit: 20ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A - Flash-Speicher, SLC-NAND, 256 Gbit, 32G x 8 Bit, Parallel, LBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Speicherdichte: 256Gbit
Zugriffszeit: 20ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1892.54 EUR |
| MT62F512M32D1DS-023 AIT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1068.17 EUR |
| MT62F512M32D1DS-023 FAAT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1292.51 EUR |
| MT62F512M32D1DS-023 AUT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT62F512M32D1DS-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 62.97 EUR |
| 5+ | 54.03 EUR |
| 10+ | 44.71 EUR |
| 25+ | 41.69 EUR |
| 50+ | 39.9 EUR |
| MT62F512M64D2CZ-023 FAAT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 FAAT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2151.19 EUR |
| MT62F512M64D2CZ-023 AIT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AIT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1777.81 EUR |
| MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 30ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 30ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 18.47 EUR |
| 14+ | 16.43 EUR |
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1137.37 EUR |
| MT29F16G08ABACAWP-AAT:C |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F16G08ABACAWP-AAT:C - Flash-Speicher, SLC-NAND, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Gbit
Zugriffszeit: 20ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F16G08ABACAWP-AAT:C - Flash-Speicher, SLC-NAND, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Gbit
Zugriffszeit: 20ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 231.03 EUR |
| MTFC32GBCAQTC-AAT |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFC32GBCAQTC-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 32 GB, 32G x 8 Bit, eMMC 5.1, LFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423219
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Speicherdichte: 32GB
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: eMMC 5.1
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MTFC32GBCAQTC-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 32 GB, 32G x 8 Bit, eMMC 5.1, LFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423219
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Speicherdichte: 32GB
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: eMMC 5.1
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 301.97 EUR |
| MT41K64M16TW-107 XIT:J |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 XIT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 XIT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 78.9 EUR |
| MT41K64M16TW-107 AIT:J |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 AIT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 AIT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 110.8 EUR |
| MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
Zugriffszeit: 20ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
Zugriffszeit: 20ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 71.88 EUR |
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1241.88 EUR |
| MT47H32M16NF-25E:H |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E:H - DRAM, 32M X 16BIT, 0 TO 85DEG C
tariffCode: 85423261
MSL: MSL 3 - 168 hours
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E:H - DRAM, 32M X 16BIT, 0 TO 85DEG C
tariffCode: 85423261
MSL: MSL 3 - 168 hours
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.9 EUR |
| MT48LC16M16A2B4-7E IT:G |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT48LC16M16A2B4-7E IT:G - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 133 MHz, VFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: MICRON - MT48LC16M16A2B4-7E IT:G - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 133 MHz, VFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 205.12 EUR |
| MT35XU02GCBA1G12-0AAT |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT35XU02GCBA1G12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT35XU02GCBA1G12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 65 EUR |
| 5+ | 58.11 EUR |
| 10+ | 51.56 EUR |
| 25+ | 49.91 EUR |
| MTFDKEL128THE-1BM15ATYY |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFDKEL128THE-1BM15ATYY - SSD, PCIe SSD, PCIe, NVMe, 128 GB, TLC NAND
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verschlüsselung: -
Sequentielle Lesegeschwindigkeit: -
Random-Lesegeschwindigkeit bis: -
Flash-Speicher: TLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkapazität: 128GB
isCanonical: Y
Random-Schreibgeschwindigkeit bis: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Formfaktor: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Sequentielle Schreibgeschwindigkeit: -
Produktpalette: 4100AT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Laufwerktyp: PCIe SSD
Schnittstellen: PCIe, NVMe
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: MICRON - MTFDKEL128THE-1BM15ATYY - SSD, PCIe SSD, PCIe, NVMe, 128 GB, TLC NAND
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verschlüsselung: -
Sequentielle Lesegeschwindigkeit: -
Random-Lesegeschwindigkeit bis: -
Flash-Speicher: TLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkapazität: 128GB
isCanonical: Y
Random-Schreibgeschwindigkeit bis: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Formfaktor: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Sequentielle Schreibgeschwindigkeit: -
Produktpalette: 4100AT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Laufwerktyp: PCIe SSD
Schnittstellen: PCIe, NVMe
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1639.42 EUR |
| MTFC1TBGBCTD-AAT |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFC1TBGBCTD-AAT - UFS 8TBIT 153/196 TFBGA AT
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MTFC1TBGBCTD-AAT - UFS 8TBIT 153/196 TFBGA AT
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 691.88 EUR |
| 5+ | 629.59 EUR |
| MTFC128GBGBCTD-AAT |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFC128GBGBCTD-AAT - UFS 1TBIT 153/196 TFBGA AT
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
Description: MICRON - MTFC128GBGBCTD-AAT - UFS 1TBIT 153/196 TFBGA AT
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 843.94 EUR |
| MT53B128M32D1DT-053 AUT:A |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 AUT:A - DRAM, AEC-Q100, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 AUT:A - DRAM, AEC-Q100, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 338.82 EUR |
| MT53B128M32D1DT-053 IT:A |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 IT:A - DRAM, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 IT:A - DRAM, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 243.52 EUR |
| MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 30ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
Description: MICRON - MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 30ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 65.57 EUR |
| MT47H128M8SH-25E:M. |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M. - DRAM, 128M X 8BIT, 0 TO 85DEG C
tariffCode: 85423239
MSL: MSL 3 - 168 hours
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M. - DRAM, 128M X 8BIT, 0 TO 85DEG C
tariffCode: 85423239
MSL: MSL 3 - 168 hours
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.61 EUR |
| MTFC32GBCAQTC-WT |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFC32GBCAQTC-WT - Flash-Speicher, TLC NAND, 32 GB, 32G x 8 Bit, LFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: TLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Speicherdichte: 32GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 1.8V eMMC TLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
Description: MICRON - MTFC32GBCAQTC-WT - Flash-Speicher, TLC NAND, 32 GB, 32G x 8 Bit, LFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: TLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Speicherdichte: 32GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 1.8V eMMC TLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 261.37 EUR |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AUT:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AUT:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 93.69 EUR |
| 5+ | 83.84 EUR |
| 10+ | 74.48 EUR |
| 25+ | 71.82 EUR |
| 50+ | 70.04 EUR |
| MT53E2G64D8TN-046 AAT:C |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E2G64D8TN-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64 Bit, 2.133 GHz, LFBGA, 556 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Speicherdichte: 128Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 556Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 64 Bit
Description: MICRON - MT53E2G64D8TN-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64 Bit, 2.133 GHz, LFBGA, 556 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
Speicherdichte: 128Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 556Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 64 Bit
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3798.48 EUR |
| MTFDKEL256THE-1BM15ATYY |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFDKEL256THE-1BM15ATYY - USSD 2TBIT 291/414 LFBGA AT
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MTFDKEL256THE-1BM15ATYY - USSD 2TBIT 291/414 LFBGA AT
tariffCode: 85423290
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 362.24 EUR |
| 5+ | 307.38 EUR |
| MT53B128M32D1DT-053 AAT:A |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 AAT:A - DRAM, AEC-Q100, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 AAT:A - DRAM, AEC-Q100, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 81.47 EUR |
| MTFC256GBGBCTD-AAT |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFC256GBGBCTD-AAT - UFS 2TBIT 153/196 TFBGA AT
tariffCode: 85423290
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
Description: MICRON - MTFC256GBGBCTD-AAT - UFS 2TBIT 153/196 TFBGA AT
tariffCode: 85423290
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1501.95 EUR |
| MTFC512GBGBCTD-AAT |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTFC512GBGBCTD-AAT - Flash-Speicher, UFS-NAND, 512 GB, 512G x 8 Bit, TFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: UFS-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 1.2V UFS NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512G x 8 Bit
Description: MICRON - MTFC512GBGBCTD-AAT - Flash-Speicher, UFS-NAND, 512 GB, 512G x 8 Bit, TFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: UFS-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 1.2V UFS NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512G x 8 Bit
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2743.9 EUR |
| MTC20F1045S1RC64BD2 |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTC20F1045S1RC64BD2 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 3.2 GHz, DDR5-RDIMM, Server-RDIMM, 4G x 4 Bit
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Server-RDIMM
Modul-Formfaktor: DDR5-RDIMM
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulspeicher: -
Speicherdichte: 32GB
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 3.2GHz
Speicherkonfiguration: 4G x 4 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MTC20F1045S1RC64BD2 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 3.2 GHz, DDR5-RDIMM, Server-RDIMM, 4G x 4 Bit
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Server-RDIMM
Modul-Formfaktor: DDR5-RDIMM
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulspeicher: -
Speicherdichte: 32GB
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 3.2GHz
Speicherkonfiguration: 4G x 4 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1562.65 EUR |
| MTC16C2085S1SC56BD1 |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTC16C2085S1SC56BD1 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 2.8 GHz, PC5-5600, DDR5 SO-DIMM, Notebook-SODIMM, 2G x 8 Bit
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Notebook-SODIMM
euEccn: NLR
Modul-Formfaktor: DDR5 SO-DIMM
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulspeicher: PC5-5600
isCanonical: Y
Speicherdichte: 32GB
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 2.8GHz
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
Description: MICRON - MTC16C2085S1SC56BD1 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 2.8 GHz, PC5-5600, DDR5 SO-DIMM, Notebook-SODIMM, 2G x 8 Bit
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Notebook-SODIMM
euEccn: NLR
Modul-Formfaktor: DDR5 SO-DIMM
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulspeicher: PC5-5600
isCanonical: Y
Speicherdichte: 32GB
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 2.8GHz
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3508.6 EUR |
| MTC20F2085S1RC64BD2 |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MTC20F2085S1RC64BD2 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 3.2 GHz, DDR5-RDIMM, Server-RDIMM, 2G x 8 Bit
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Server-RDIMM
euEccn: NLR
Modul-Formfaktor: DDR5-RDIMM
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulspeicher: -
isCanonical: Y
Speicherdichte: 32GB
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 3.2GHz
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
Description: MICRON - MTC20F2085S1RC64BD2 - RAM-Speichermodul, 32 GB, 3.2 GHz, DDR5-RDIMM, Server-RDIMM, 2G x 8 Bit
tariffCode: 84733020
Speicheranwendung: Server-RDIMM
euEccn: NLR
Modul-Formfaktor: DDR5-RDIMM
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulspeicher: -
isCanonical: Y
Speicherdichte: 32GB
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speichergeschwindigkeit: 3.2GHz
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14919.03 EUR |
| MT62F512M64D2EK-023 AUT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2EK-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 441 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 441Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2316.35 EUR |
| MT62F512M64D2CZ-023 AUT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 AUT:E - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5X, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2249.03 EUR |
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 87.22 EUR |
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1263.4 EUR |
| MT53E256M16D1DS-046 WT:B |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 21.91 EUR |
| 25+ | 20.08 EUR |
| 50+ | 19.92 EUR |
| 100+ | 19.43 EUR |
| 250+ | 18.8 EUR |
| MT52L256M64D2LZ-107 WT:B |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT52L256M64D2LZ-107 WT:B - DRAM, LPDDR3, 16 Gbit, 256M x 64 Bit, 933 MHz, WFBGA, 216 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 216Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 64 Bit
Description: MICRON - MT52L256M64D2LZ-107 WT:B - DRAM, LPDDR3, 16 Gbit, 256M x 64 Bit, 933 MHz, WFBGA, 216 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 216Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 64 Bit
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 867.93 EUR |
| MT60B2G8RZ-56B:D |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT60B2G8RZ-56B:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 2.8 GHz, VFBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
Description: MICRON - MT60B2G8RZ-56B:D - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 2.8 GHz, VFBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 520.54 EUR |
| MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
Description: MICRON - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 72.02 EUR |
| MT29F2G01ABAGD12-AAT:G |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G01ABAGD12-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 2G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 1 Bit
Description: MICRON - MT29F2G01ABAGD12-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 2G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 1 Bit
auf Bestellung 2244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 321.32 EUR |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AAT:R - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AAT:R - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 363.65 EUR |
| MT62F512M64D2CZ-023 WT:E |
![]() |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 WT:E - DRAM, Mobile LPDDR5, 4 GB, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4GB
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
Description: MICRON - MT62F512M64D2CZ-023 WT:E - DRAM, Mobile LPDDR5, 4 GB, 512M x 64 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 561 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4GB
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 561Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1469.32 EUR |

























