Die Produkte microsemi corporation

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1N5337C/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5337CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Part Status: Obsolete
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
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1N5337E3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
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1N5337E3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5337/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
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1N5337A/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5337AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337B/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
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1N5337BE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337C/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
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1N5337CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5337E3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5248C 1N5248C 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1N5248A (DO-35) 1N5248A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13.3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1214-32L 5719-1214-32lr5-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.8dB ~ 8.9dB
Power - Max: 125W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Supplier Device Package: 55AW-1
Part Status: Obsolete
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MRF559G MRF559G MRF559(G).pdf Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
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MRF559 9535-mrf559reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Macro-X
Supplier Device Package: Macro-X
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auf Bestellung 1264 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF559GT Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
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MRF559T Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
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MRF8372 MRF8372 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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auf Bestellung 1000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF8372G MRF8372G 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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MRF8372GR1 MRF8372GR1 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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MRF8372GR2 MRF8372GR2 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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MRF8372R1 MRF8372R1 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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auf Bestellung 5080 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF8372R2 MRF8372R2 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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UC2844AM UC2844AM 11286-uc184xa-pdf Microsemi Corporation Description: IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Outputs: 1
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 48%
Output Phases: 1
Control Features: Frequency Control
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Topology: Boost, Buck, Flyback, Forward
Frequency - Switching: Up to 500kHz
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Up, Step-Down
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
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auf Bestellung 4000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5261A (DO-35) 1N5261A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 34V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Base Part Number: 1N5261
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1N5261B (DO-35) 1N5261B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
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1N5260BDO35 1N5260BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
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1N5260BDO35E3 1N5260BDO35E3 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5260A (DO-35) 1N5260A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 31V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5260B (DO-35) 1N5260B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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APTM120A65FT1G APTM120A65FT1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Supplier Device Package: SP1
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120A80FT1G APTM120A80FT1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357W
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
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APTM120DA15G APTM120DA15G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Package / Case: SP6
Supplier Device Package: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120DA29TG APTM120DA29TG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
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APTM120DA56T1G Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Package / Case: SP1
Supplier Device Package: SP1
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120DA68T1G APTM120DA68T1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6696 pF @ 25 V
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APTM120DDA57T3G APTM120DDA57T3G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Supplier Device Package: SP3
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120DSK57T3G APTM120DSK57T3G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device Package: SP3
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
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APTM120DU29TG APTM120DU29TG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Supplier Device Package: SP4
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 780W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120H57FT3G APTM120H57FT3G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Supplier Device Package: SP3
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
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APTM120H57FTG APTM120H57FTG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Supplier Device Package: SP4
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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APTM120SK15G APTM120SK15G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Package / Case: SP6
Supplier Device Package: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120SK29TG APTM120SK29TG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Package / Case: SP4
Supplier Device Package: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
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APTM120SK56T1G APTM120SK56T1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 25 V
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APTM120SK68T1G APTM120SK68T1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6696 pF @ 25 V
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APTM120TA57FPG APTM120TA57FPG APTM120TA57FPG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: SP6-P
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
FET Feature: Standard
FET Type: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APTM120TDU57PG APTM120TDU57PG doc_details Microsemi Corporation Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Supplier Device Package: SP6-P
Package / Case: SP6
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APTM120U10DAG APTM120U10DAG.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Package / Case: SP6
Supplier Device Package: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3290W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APTM120UM95FAG aptm120um95fag-rev1.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1122nC @ 10V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30900pF @ 25V
Power Dissipation (Max): 2272W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: SP6
Package / Case: SP6
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APTM120VDA57T3G Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
FET Feature: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Power - Max: 390W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Supplier Device Package: SP3
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ZLR96722H Microsemi Corporation Description: REFERENCE DESIGN ZLR96722H
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Type: Telecom
Supplied Contents: Board(s)
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1N5953AP/TR12 1N5953AP/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5953APE3/TR12 1N5953APE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5953BE3/TR13 1N5953BE3/TR13 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5953BP/TR12 1N5953BP/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5953BPE3/TR12 1N5953BPE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5953CE3/TR13 1N5953CE3/TR13 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CP/TR12 1N5953CP/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CPE3/TR12 1N5953CPE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953E3/TR13 1N5953E3/TR13 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953P/TR12 1N5953P/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953PE3/TR12 1N5953PE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953AP/TR8 1N5953AP/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953APE3/TR8 1N5953APE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BP/TR8 1N5953BP/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BPE3/TR8 1N5953BPE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CP/TR8 1N5953CP/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CPE3/TR8 1N5953CPE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953P/TR8 1N5953P/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953PE3/TR8 1N5953PE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953A G 1N5953A G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953B G 1N5953B G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953C G 1N5953C G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953D G 1N5953D G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1214-30 5714-1214-30-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55AW
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55AW
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1214-300 5715-1214-300-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
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1214-300M 5717-1214-300m-rev-4-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55ST
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55ST
Packaging: Bulk
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1N4751A G 1N4751A G 10912-sa5-35-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 30V 1W DO204AL
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 22.8 V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
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1.5KE82CAE3/TR13 1.5KE82CAE3/TR13 9459-m1-5ke-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC CASE-1
Bidirectional Channels: 1
Part Status: Obsolete
Type: Zener
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: CASE-1
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
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1N5253A (DO-35) 1N5253A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 7698 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
auf Bestellung 7648 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 7698 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
7+ 4 EUR
10+ 3.6 EUR
25+ 3.4 EUR
100+ 2.9 EUR
2EZ120D5 2EZ120D5 11109-sd8a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ12D5/TR12 2EZ12D5/TR12 11109-sd8a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 12V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ12
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2EZ120D5DO41E3 2EZ120D5DO41E3 11109-sd8a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ12D5DO41E3/TR12 2EZ12D5DO41E3/TR12 11109-sd8a-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 12V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ12
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2EZ120D/TR12 2EZ120D/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D10/TR12 2EZ120D10/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D10E3/TR12 2EZ120D10E3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D2/TR12 2EZ120D2/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D2E3/TR12 2EZ120D2E3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D5/TR12 2EZ120D5/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D5E3/TR12 2EZ120D5E3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120DE3/TR12 2EZ120DE3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ12D/TR12 2EZ12D/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 12V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ12
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1N5337C/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5337CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Part Status: Obsolete
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
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1N5337E3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
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1N5337E3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5337/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
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1N5337A/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5337AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337B/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
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1N5337BE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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1N5337C/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
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1N5337CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5337E3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5248C 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5248C
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1N5248A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5248A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13.3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 21 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
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1214-32L 5719-1214-32lr5-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.8dB ~ 8.9dB
Power - Max: 125W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
Supplier Device Package: 55AW-1
Part Status: Obsolete
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MRF559G MRF559(G).pdf
MRF559G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
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MRF559 9535-mrf559reva-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Macro-X
Supplier Device Package: Macro-X
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auf Bestellung 1264 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF559GT
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
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MRF559T
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 9.5dB
Power - Max: 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
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MRF8372 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet
MRF8372
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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auf Bestellung 1000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF8372G 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet
MRF8372G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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MRF8372GR1 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet
MRF8372GR1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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MRF8372GR2 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet
MRF8372GR2
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MRF8372R1 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet
MRF8372R1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 5080 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF8372R2 9543-mrf8372r1r2reva-datasheet
MRF8372R2
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Frequency - Transition: 870MHz
Gain: 8dB ~ 9.5dB
Power - Max: 2.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
UC2844AM 11286-uc184xa-pdf
UC2844AM
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Outputs: 1
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 48%
Output Phases: 1
Control Features: Frequency Control
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Topology: Boost, Buck, Flyback, Forward
Frequency - Switching: Up to 500kHz
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Up, Step-Down
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
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auf Bestellung 4000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5261A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5261A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 34V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Base Part Number: 1N5261
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1N5261B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5261B (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW DO35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 36 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
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1N5260BDO35 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5260BDO35
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
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1N5260BDO35E3 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5260BDO35E3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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1N5260A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5260A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 31V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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1N5260B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5260B (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 500mW
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 33V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
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APTM120A65FT1G APTM120A65FT1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Supplier Device Package: SP1
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120A80FT1G APTM120A80FT1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357W
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
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APTM120DA15G APTM120DA15G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Package / Case: SP6
Supplier Device Package: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120DA29TG APTM120DA29TG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
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APTM120DA56T1G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Package / Case: SP1
Supplier Device Package: SP1
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120DA68T1G APTM120DA68T1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6696 pF @ 25 V
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APTM120DDA57T3G APTM120DDA57T3G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Supplier Device Package: SP3
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120DSK57T3G APTM120DSK57T3G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device Package: SP3
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
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APTM120DU29TG APTM120DU29TG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Supplier Device Package: SP4
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 780W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120H57FT3G APTM120H57FT3G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Supplier Device Package: SP3
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
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APTM120H57FTG APTM120H57FTG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Supplier Device Package: SP4
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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APTM120SK15G APTM120SK15G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Package / Case: SP6
Supplier Device Package: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120SK29TG APTM120SK29TG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Package / Case: SP4
Supplier Device Package: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
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APTM120SK56T1G APTM120SK56T1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 25 V
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APTM120SK68T1G APTM120SK68T1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6696 pF @ 25 V
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APTM120TA57FPG APTM120TA57FPG.pdf
APTM120TA57FPG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: SP6-P
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
FET Feature: Standard
FET Type: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120TDU57PG doc_details
APTM120TDU57PG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 390W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Supplier Device Package: SP6-P
Package / Case: SP6
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APTM120U10DAG APTM120U10DAG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Package / Case: SP6
Supplier Device Package: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3290W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
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APTM120UM95FAG aptm120um95fag-rev1.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1122nC @ 10V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30900pF @ 25V
Power Dissipation (Max): 2272W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: SP6
Package / Case: SP6
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APTM120VDA57T3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
FET Feature: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V
Power - Max: 390W
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Supplier Device Package: SP3
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ZLR96722H
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: REFERENCE DESIGN ZLR96722H
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Type: Telecom
Supplied Contents: Board(s)
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1N5953AP/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953AP/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953APE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953APE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BE3/TR13 10922-sa5-57-datasheet
1N5953BE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BP/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953BP/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BPE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953BPE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CE3/TR13 10922-sa5-57-datasheet
1N5953CE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CP/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953CP/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CPE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953CPE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
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Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953E3/TR13 10922-sa5-57-datasheet
1N5953E3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953P/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953P/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
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Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953PE3/TR12 10922-sa5-57-datasheet
1N5953PE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953AP/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953AP/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953APE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953APE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BP/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953BP/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953BPE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953BPE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CP/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953CP/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953CPE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953CPE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953P/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953P/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953PE3/TR8 10922-sa5-57-datasheet
1N5953PE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 1.5W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953A G 10922-sa5-57-datasheet
1N5953A G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953B G 10922-sa5-57-datasheet
1N5953B G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1N5953C G 10922-sa5-57-datasheet
1N5953C G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5953D G 10922-sa5-57-datasheet
1N5953D G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 114V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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1214-30 5714-1214-30-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55AW
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55AW
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1214-300 5715-1214-300-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
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1214-300M 5717-1214-300m-rev-4-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55ST
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55ST
Packaging: Bulk
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1N4751A G 10912-sa5-35-datasheet
1N4751A G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 1W DO204AL
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 22.8 V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
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1.5KE82CAE3/TR13 9459-m1-5ke-datasheet
1.5KE82CAE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC CASE-1
Bidirectional Channels: 1
Part Status: Obsolete
Type: Zener
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: CASE-1
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
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1N5253A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5253A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 15346 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5253A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5253A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
auf Bestellung 7648 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 7698 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
7+ 4 EUR
10+ 3.6 EUR
25+ 3.4 EUR
100+ 2.9 EUR
2EZ120D5 11109-sd8a-datasheet
2EZ120D5
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2EZ12D5/TR12 11109-sd8a-datasheet
2EZ12D5/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ12
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2EZ120D5DO41E3 11109-sd8a-datasheet
2EZ120D5DO41E3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ12D5DO41E3/TR12 11109-sd8a-datasheet
2EZ12D5DO41E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ12
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2EZ120D/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D10/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D10/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D10E3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D10E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D2/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D2/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D2E3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D2E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D5/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D5/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120D5E3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120D5E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ120DE3/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ120DE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 120V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 120V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 325 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 91.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ120
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2EZ12D/TR12 2EZ3.6D5-2EZ200DS,e3.pdf
2EZ12D/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 2W DO204AL
Manufacturer: Microchip Technology
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±20%
Power - Max: 2W
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 2EZ12
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