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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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11N60 | SIEMENS | TO220 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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11N60C3 | INFINEON | 09+ DIP-3 |
auf Bestellung 2162 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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11N60S5 | TO-263 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AOW11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOW11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOWF11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOWF11N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Case: TO262F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30.6nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCP11N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP11N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCP11N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF11N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 8034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMO11N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMO11N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2227 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCB11N60 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCB11N60 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCB11N60F | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCPF11N60/FSC | FSC | 08+; |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCPF11N60NT | ON Semiconductor |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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INF-SPP11N60C3 | SPP11N60C3 Микросхемы |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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MDF11N60 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDF11N60TH |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDP11N60TH |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MGP11N60E |
auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MGP11N60ED |
auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P11N60 |
auf Bestellung 4130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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R3111N601A-TR-FF | RICOH | 2005 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA11N60C3 | INF | 07+; |
auf Bestellung 69400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA11N60C3 | Infineon | 09+ |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA11N60C3 | INFINEON | TO-220 06+ |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA11N60CFD | TI |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C2 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C2 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C3 | Infineon technologies |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C3 | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C3 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C3 | INFINEON |
auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60C5 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60S5 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60S5 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPB11N60S5 | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPBI11N60C3 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPI11N60C3 | INFINEON |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPI11N60C3 | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPI11N60C3 | INF |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPI11N60CFD |
auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPI11N60S5 | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPI11N60S5E3046 | INF | 07+; |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP11N60C2 |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP11N60C3_05 |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP11N60CFD |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP11N60S5 | INF | 07+; |
auf Bestellung 29000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP11N60S5 | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPW11N60C2 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
AOW11N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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76+ | 0.94 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
102+ | 0.71 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.64 EUR |
AOW11N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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76+ | 0.94 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
102+ | 0.71 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.64 EUR |
AOWF11N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
87+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
AOWF11N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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87+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
FCP11N60 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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22+ | 3.39 EUR |
24+ | 3.02 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
FCP11N60 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 3.02 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
250+ | 2.36 EUR |
FCP11N60 |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FCPF11N60 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.83 EUR |
22+ | 3.39 EUR |
25+ | 2.93 EUR |
26+ | 2.77 EUR |
SPA11N60C3XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SPP11N60C3XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 8034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SPP11N60CFDXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STF11N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
33+ | 2.17 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
STF11N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
33+ | 2.17 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
500+ | 1.24 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
WMO11N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
500+ | 0.54 EUR |
WMO11N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
500+ | 0.54 EUR |
FCB11N60 |
Hersteller: fairchild
07+ to-263/d2-pak
07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SPB11N60C2 |
Hersteller: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SPB11N60C3 |
Hersteller: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SPB11N60S5 |
Hersteller: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Wählen Sie Seite:
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