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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIHG20N50C Produktcode: 44837 |
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 500 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 02.07.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 2400 JHGF: THT |
verfügbar: 100 Stück
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3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A | E-T-A | Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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5920_N-50-010/199_NE | HUBER+SUHNER | Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 10W |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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5920_N-50-1/199_NE | HUBER+SUHNER | Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 100W |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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5920_N-50-6/199_NE | HUBER+SUHNER | Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 5W |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 81-95 Tag (e) |
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6820_N-50-1/1--_NE | HUBER+SUHNER | Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 2W |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 35-49 Tag (e) |
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BD60120N50100AHF | Anaren | Signal Conditioning |
auf Bestellung 2871 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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C20N50Z4 | Anaren | High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 43-57 Tag (e) |
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FDB20N50F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V, |
auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDP20N50 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP20N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP20N50F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP20N50F | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel |
auf Bestellung 5083 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDPF20N50FT | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDPF20N50FT | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 196-210 Tag (e) |
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FDPF20N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF20N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDPF20N50T | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V 20A NCH MOSFET |
auf Bestellung 10840 Stücke: Lieferzeit 217-231 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | Vishay | Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFB20N50K |
auf Bestellung 20425 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFA20N50P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA20N50P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP20N50P3 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3 |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFQ20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFQ20N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFQ20N50P3 | IXYS | MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NB20N50104JBA | Kyocera AVX | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5% |
auf Bestellung 5562 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NB20N50104JBE | Kyocera AVX Components | Thermistor NTC 100K Ohm 5% 2-Pin 1206 Surface Mount Solder Pad 4160K -5 to -4.5 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NB20N50104KBA | Kyocera AVX | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10% |
auf Bestellung 2747 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHA20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V N-CH |
auf Bestellung 4974 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHFB20N50K-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3 |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Siliconix |
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kana?em N THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG20N50C-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 7882 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG20N50E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 168-182 Tag (e) |
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SiHH20N50E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 2857 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TSA20N50M | Truesemi | MOSFET силовой транзистор, TO-3P or TO247; 20.0A, 500V, RDS(on) = 0.26Ohm@VGS = 10 V |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF20N50 | ON Semiconductor |
auf Bestellung 9990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDPF20N50T | ON Semiconductor |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MTH20N50 |
auf Bestellung 9597 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MTM20N50 |
auf Bestellung 6878 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MTV20N50E | MOTO |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MTV20N50E/D |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MTW20N50E | ON |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MTY20N50E/D |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NB20N50104JBA |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NB20N50104MBA |
auf Bestellung 69800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PFW20N50 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PHW20N50E |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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R1120N501B | RICOH | 04+ SOT-153 |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RDD020N50TL |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RDX120N50 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIGH20N50C |
auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIHG20N50C | VISHAY |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
SIHG20N50C Produktcode: 44837 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 02.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 2400
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 02.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 2400
JHGF: THT
verfügbar: 100 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A |
Hersteller: E-T-A
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 73.61 EUR |
5+ | 71.45 EUR |
10+ | 65.26 EUR |
20+ | 63.44 EUR |
50+ | 58.14 EUR |
100+ | 49.61 EUR |
5920_N-50-010/199_NE |
Hersteller: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 10W
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 10W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 746.88 EUR |
10+ | 692.15 EUR |
25+ | 667.24 EUR |
50+ | 662.35 EUR |
100+ | 647.37 EUR |
250+ | 630.01 EUR |
5920_N-50-1/199_NE |
Hersteller: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 100W
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 100W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2048.02 EUR |
10+ | 1963.39 EUR |
25+ | 1893.45 EUR |
50+ | 1879.49 EUR |
100+ | 1837.29 EUR |
250+ | 1790.18 EUR |
500+ | 1788.33 EUR |
5920_N-50-6/199_NE |
Hersteller: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 5W
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 5W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 81-95 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 378.92 EUR |
10+ | 351.13 EUR |
25+ | 338.52 EUR |
50+ | 336.02 EUR |
100+ | 328.41 EUR |
250+ | 320.4 EUR |
6820_N-50-1/1--_NE |
Hersteller: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 2W
Attenuators - Interconnects N plug(m) to N jack(f), 20dB, 2W
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 35-49 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 294.16 EUR |
10+ | 269.98 EUR |
25+ | 259.58 EUR |
50+ | 250.95 EUR |
100+ | 237.09 EUR |
250+ | 230.15 EUR |
500+ | 224.98 EUR |
BD60120N50100AHF |
Hersteller: Anaren
Signal Conditioning
Signal Conditioning
auf Bestellung 2871 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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18+ | 3.02 EUR |
20+ | 2.68 EUR |
25+ | 2.42 EUR |
100+ | 2.13 EUR |
250+ | 1.87 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
1000+ | 1.3 EUR |
C20N50Z4 |
Hersteller: Anaren
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 43-57 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 10.22 EUR |
10+ | 9.26 EUR |
25+ | 8.48 EUR |
50+ | 7.88 EUR |
100+ | 6.89 EUR |
250+ | 5.9 EUR |
500+ | 5.41 EUR |
FDB20N50F |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V,
MOSFET N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V,
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 8.01 EUR |
10+ | 6.73 EUR |
100+ | 5.43 EUR |
500+ | 5.38 EUR |
800+ | 4.29 EUR |
FDP20N50 |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.67 EUR |
FDP20N50 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
24+ | 3 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
FDP20N50F |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDP20N50F |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel
MOSFET 500V N-Channel
auf Bestellung 5083 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 7.23 EUR |
10+ | 6.06 EUR |
50+ | 5.72 EUR |
100+ | 4.91 EUR |
250+ | 4.65 EUR |
500+ | 4.34 EUR |
1000+ | 3.87 EUR |
FDPF20N50FT |
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 6.49 EUR |
FDPF20N50FT |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel
MOSFET 500V N-Channel
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 8.01 EUR |
10+ | 6.73 EUR |
50+ | 6.53 EUR |
100+ | 5.17 EUR |
250+ | 4.86 EUR |
500+ | 4.47 EUR |
1000+ | 4.29 EUR |
FDPF20N50T |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 11.91 EUR |
FDPF20N50T |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 11.91 EUR |
7+ | 10.21 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
250+ | 2.45 EUR |
FDPF20N50T |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
auf Bestellung 10840 Stücke:
Lieferzeit 217-231 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 8.97 EUR |
10+ | 7.72 EUR |
25+ | 7.15 EUR |
100+ | 6.16 EUR |
250+ | 5.9 EUR |
500+ | 5.3 EUR |
1000+ | 4.91 EUR |
IRFB20N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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23+ | 3.13 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
IRFB20N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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23+ | 3.13 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
IRFB20N50KPBF |
Hersteller: Vishay
Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 13.39 EUR |
10+ | 11.9 EUR |
IRFB20N50KPBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFB20N50K
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFB20N50K
auf Bestellung 20425 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 11.15 EUR |
10+ | 9.85 EUR |
25+ | 7.98 EUR |
100+ | 7.15 EUR |
250+ | 7.05 EUR |
500+ | 6.32 EUR |
1000+ | 5.72 EUR |
IXFA20N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.53 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
IXFA20N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.53 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
50+ | 3.22 EUR |
IXFH20N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.28 EUR |
13+ | 5.65 EUR |
16+ | 4.5 EUR |
17+ | 4.25 EUR |
IXFH20N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.28 EUR |
13+ | 5.65 EUR |
16+ | 4.5 EUR |
17+ | 4.25 EUR |
IXFP20N50P3 |
Hersteller: IXYS
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 12.32 EUR |
10+ | 10.37 EUR |
50+ | 9.78 EUR |
100+ | 8.66 EUR |
IXFQ20N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.11 EUR |
14+ | 5.49 EUR |
17+ | 4.38 EUR |
18+ | 4.13 EUR |
IXFQ20N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.11 EUR |
14+ | 5.49 EUR |
17+ | 4.38 EUR |
18+ | 4.13 EUR |
IXFQ20N50P3 |
Hersteller: IXYS
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 13.1 EUR |
10+ | 11 EUR |
30+ | 10.4 EUR |
120+ | 8.94 EUR |
NB20N50104JBA |
Hersteller: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5%
auf Bestellung 5562 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
45+ | 1.16 EUR |
63+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
1000+ | 0.53 EUR |
3000+ | 0.5 EUR |
9000+ | 0.47 EUR |
NB20N50104JBE |
Hersteller: Kyocera AVX Components
Thermistor NTC 100K Ohm 5% 2-Pin 1206 Surface Mount Solder Pad 4160K -5 to -4.5 T/R
Thermistor NTC 100K Ohm 5% 2-Pin 1206 Surface Mount Solder Pad 4160K -5 to -4.5 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NB20N50104KBA |
Hersteller: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
68+ | 0.77 EUR |
97+ | 0.54 EUR |
115+ | 0.45 EUR |
500+ | 0.37 EUR |
1000+ | 0.31 EUR |
3000+ | 0.28 EUR |
SIHA20N50E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V N-CH
MOSFET 500V N-CH
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 8.84 EUR |
10+ | 6.27 EUR |
100+ | 5.85 EUR |
1000+ | 5.02 EUR |
5000+ | 3.64 EUR |
SIHB20N50E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 6.6 EUR |
10+ | 5.82 EUR |
25+ | 5.69 EUR |
100+ | 5.02 EUR |
250+ | 4.91 EUR |
500+ | 4.63 EUR |
1000+ | 3.9 EUR |
SIHFB20N50K-E3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.27 EUR |
10+ | 11.96 EUR |
25+ | 11.31 EUR |
100+ | 9.7 EUR |
250+ | 9.15 EUR |
500+ | 8.61 EUR |
1000+ | 7.36 EUR |
SIHG20N50C-E3 |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
18+ | 4.02 EUR |
20+ | 3.62 EUR |
26+ | 2.77 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
SIHG20N50C-E3 |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kana?em N THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kana?em N THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 6.52 EUR |
SIHG20N50C-E3 |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
18+ | 4.02 EUR |
20+ | 3.62 EUR |
26+ | 2.77 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
SIHG20N50C-E3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 7882 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 6.97 EUR |
10+ | 6.11 EUR |
25+ | 5.62 EUR |
100+ | 4.78 EUR |
250+ | 4.65 EUR |
500+ | 4.19 EUR |
1000+ | 3.77 EUR |
SIHG20N50E-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 168-182 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 7.62 EUR |
10+ | 6.4 EUR |
25+ | 6.06 EUR |
100+ | 5.17 EUR |
250+ | 4.89 EUR |
500+ | 4.86 EUR |
SiHH20N50E-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 11.54 EUR |
10+ | 9.67 EUR |
100+ | 7.83 EUR |
500+ | 6.97 EUR |
1000+ | 5.98 EUR |
3000+ | 5.88 EUR |
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