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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRLB3034PBF Produktcode: 36195 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 108 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB3813PBF Produktcode: 113437 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 30 V Idd,A: 190 A Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 57 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB4132 Produktcode: 86447 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 30 V Idd,A: 150 A Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 233 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB8743PBF Produktcode: 190955 |
JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171 JHGF: THT |
auf Bestellung 4 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB8748PBF Produktcode: 100095 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 30 Idd,A: 78 Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 110 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC |
auf Bestellung 1296 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
auf Bestellung 3256 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 15279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
auf Bestellung 3957 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 15279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 15279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
auf Bestellung 1903 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 664A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 664A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
IRLB3034PBF Produktcode: 36195 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 108 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.8 EUR |
IRLB3813PBF Produktcode: 113437 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRLB4132 Produktcode: 86447 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 233 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRLB8743PBF Produktcode: 190955 |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
JHGF: THT
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRLB8748PBF Produktcode: 100095 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30
Idd,A: 78
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139/15V
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 110 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRLB3034 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 4.91 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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19+ | 3.83 EUR |
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
25+ | 2.89 EUR |
50+ | 2.85 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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19+ | 3.83 EUR |
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
25+ | 2.89 EUR |
50+ | 2.85 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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52+ | 3.04 EUR |
53+ | 2.86 EUR |
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100+ | 2.46 EUR |
250+ | 2.23 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 7.57 EUR |
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250+ | 5.41 EUR |
1000+ | 4.65 EUR |
2000+ | 4.32 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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48+ | 3.32 EUR |
49+ | 3.11 EUR |
52+ | 2.81 EUR |
100+ | 2.63 EUR |
250+ | 2.35 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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60+ | 2.64 EUR |
100+ | 2.43 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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75+ | 2.11 EUR |
81+ | 1.87 EUR |
100+ | 1.75 EUR |
200+ | 1.68 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
1000+ | 1.43 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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48+ | 3.31 EUR |
49+ | 3.1 EUR |
52+ | 2.8 EUR |
100+ | 2.63 EUR |
250+ | 2.34 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1000+ | 2.99 EUR |
IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLB3034PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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52+ | 3.04 EUR |
53+ | 2.86 EUR |
56+ | 2.61 EUR |
100+ | 2.46 EUR |
250+ | 2.23 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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16+ | 4.56 EUR |
18+ | 4.03 EUR |
21+ | 3.5 EUR |
22+ | 3.3 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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16+ | 4.56 EUR |
18+ | 4.03 EUR |
21+ | 3.5 EUR |
22+ | 3.3 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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30+ | 5.34 EUR |
31+ | 4.93 EUR |
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100+ | 4.24 EUR |
250+ | 3.95 EUR |
500+ | 3.68 EUR |
1000+ | 3.43 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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19+ | 8.24 EUR |
30+ | 5.07 EUR |
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1000+ | 2.58 EUR |
2000+ | 2.52 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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30+ | 5.38 EUR |
31+ | 4.91 EUR |
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100+ | 3.31 EUR |
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1000+ | 2.49 EUR |
2000+ | 2.24 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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25+ | 6.33 EUR |
27+ | 5.69 EUR |
33+ | 4.52 EUR |
100+ | 3.54 EUR |
250+ | 3.37 EUR |
500+ | 2.99 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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29+ | 5.4 EUR |
31+ | 4.92 EUR |
36+ | 4.07 EUR |
100+ | 3.32 EUR |
250+ | 3.16 EUR |
500+ | 2.83 EUR |
1000+ | 2.49 EUR |
2000+ | 2.25 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
auf Bestellung 3256 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.98 EUR |
10+ | 9.75 EUR |
25+ | 7.64 EUR |
100+ | 6.55 EUR |
250+ | 6.5 EUR |
500+ | 5.88 EUR |
1000+ | 5.1 EUR |
IRLB3036PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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25+ | 6.33 EUR |
27+ | 5.69 EUR |
33+ | 4.52 EUR |
100+ | 3.54 EUR |
250+ | 3.37 EUR |
500+ | 2.99 EUR |
IRLB3813 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 4.05 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
35+ | 2.1 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
35+ | 2.1 EUR |
38+ | 1.9 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
105+ | 1.5 EUR |
108+ | 1.4 EUR |
118+ | 1.24 EUR |
200+ | 1.16 EUR |
500+ | 1.11 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
65+ | 2.43 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
250+ | 2.07 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
79+ | 1.98 EUR |
93+ | 1.63 EUR |
106+ | 1.38 EUR |
500+ | 1.2 EUR |
1000+ | 1.04 EUR |
2000+ | 0.97 EUR |
5000+ | 0.9 EUR |
10000+ | 0.88 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
110+ | 1.43 EUR |
120+ | 1.26 EUR |
500+ | 1.13 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 3957 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.87 EUR |
17+ | 3.17 EUR |
100+ | 2.65 EUR |
250+ | 2.63 EUR |
500+ | 2.31 EUR |
1000+ | 2.07 EUR |
2000+ | 1.97 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
65+ | 2.43 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
250+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
1000+ | 1.78 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
79+ | 1.99 EUR |
92+ | 1.64 EUR |
105+ | 1.38 EUR |
500+ | 1.2 EUR |
1000+ | 1.05 EUR |
2000+ | 0.97 EUR |
5000+ | 0.9 EUR |
10000+ | 0.88 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
99+ | 1.58 EUR |
110+ | 1.38 EUR |
120+ | 1.21 EUR |
500+ | 1.09 EUR |
IRLB3813PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLB4030 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 7.81 EUR |
IRLB4030 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 9.93 EUR |
IRLB4030 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 7.81 EUR |
IRLB4030PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 4.85 EUR |
17+ | 4.29 EUR |
20+ | 3.72 EUR |
21+ | 3.52 EUR |
IRLB4030PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 4.85 EUR |
17+ | 4.29 EUR |
20+ | 3.72 EUR |
21+ | 3.52 EUR |
IRLB4030PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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24+ | 6.58 EUR |
28+ | 5.39 EUR |
50+ | 3.94 EUR |
IRLB4030PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 9.98 EUR |
10+ | 8.61 EUR |
25+ | 7.77 EUR |
100+ | 6.63 EUR |
250+ | 6.55 EUR |
500+ | 5.95 EUR |
1000+ | 5.38 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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65+ | 1.1 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
108+ | 0.66 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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65+ | 1.1 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
108+ | 0.66 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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107+ | 1.47 EUR |
130+ | 1.17 EUR |
167+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.46 EUR |
2000+ | 0.43 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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157+ | 1 EUR |
190+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.49 EUR |
1000+ | 0.46 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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23+ | 2.32 EUR |
28+ | 1.87 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.02 EUR |
2000+ | 0.97 EUR |
5000+ | 0.93 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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130+ | 1.21 EUR |
167+ | 0.91 EUR |
500+ | 0.5 EUR |
1000+ | 0.48 EUR |
2000+ | 0.45 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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108+ | 1.45 EUR |
127+ | 1.19 EUR |
130+ | 1.12 EUR |
200+ | 1.02 EUR |
500+ | 0.92 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
2000+ | 0.63 EUR |
IRLB4132PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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136+ | 1.16 EUR |
157+ | 0.97 EUR |
190+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
IRLB8314PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
IRLB8314PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
IRLB8314PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRLB8314PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
156+ | 1 EUR |
188+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
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