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IRFR5410TRPBF
Produktcode: 185744 		irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRFR540Z Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28,5mOhm; 35A; 91W; -55°C ~ 175°C; IRFR540Z TIRFR540z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR540Z_DataSheet_v01_01_EN-3363275.pdf MOSFETs 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
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500+ 1.02 EUR
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3000+ 0.74 EUR
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
11+ 1.74 EUR
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR540Z_DataSheet_v01_01_EN-3363275.pdf MOSFETs MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
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IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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130+1.16 EUR
148+ 0.99 EUR
167+ 0.84 EUR
200+ 0.78 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.63 EUR
5000+ 0.57 EUR
12000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 130
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
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10+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFR5410PBF IRFR5410PBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410PBF - IRFR5410 100V SINGLE P-CHANNEL POWER MO
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF INFINEON 708122.pdf Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF INFINEON 708122.pdf Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.67 EUR
52+ 1.39 EUR
128+ 0.56 EUR
135+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
52+ 1.39 EUR
128+ 0.56 EUR
135+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+ 2.02 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf description MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+ 1.87 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.95 EUR
4000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.92 EUR
4000+ 0.85 EUR
6000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.73 EUR
4000+ 0.68 EUR
6000+ 0.65 EUR
10000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.67 EUR
93+ 1.58 EUR
118+ 1.2 EUR
250+ 1.14 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410TRPBF International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.94 EUR
10+ 0.81 EUR
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IRFR5410TRPBF Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+7.2 EUR
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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107+1.42 EUR
112+ 1.31 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 107
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.95 EUR
89+ 1.65 EUR
100+ 1.41 EUR
200+ 1.29 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.85 EUR
2000+ 0.76 EUR
4000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 78
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
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73+2.08 EUR
91+ 1.62 EUR
93+ 1.52 EUR
118+ 1.15 EUR
250+ 1.09 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
auf Bestellung 5350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+ 2.02 EUR
100+ 1.62 EUR
250+ 1.49 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.16 EUR
3000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR5410TRRPBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
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IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
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IRFR5410 TECH PUBLIC description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; IRFR5410 TIRFR5410 TEC
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IRFR5410TRPBF; -13A; -100V; 66W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON
auf Bestellung 3 Stücke:
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AUIRFR540Z International Rectifier/Infineon auirfr540z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5d6c91496 N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 35 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА; Р, Вт = 91; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.55 EUR
10+ 4.78 EUR
100+ 4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AUIRFR540ZTRL AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies auirfr540z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5d6c91496 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.44 EUR
10+ 3.55 EUR
100+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
AUIRFR540ZTRL AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies Infineon_AUIRFR540Z_DS_v01_02_EN-1730901.pdf MOSFETs Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
auf Bestellung 12641 Stücke:
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1+4.51 EUR
10+ 3.73 EUR
100+ 2.97 EUR
250+ 2.75 EUR
500+ 2.48 EUR
1000+ 2.13 EUR
3000+ 2.02 EUR
AUIRFR5410-IR AUIRFR5410-IR International Rectifier INFN-S-A0002298902-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
390+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 390
AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Infineon Technologies auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.23 EUR
10+ 4.09 EUR
100+ 2.87 EUR
500+ 2.35 EUR
1000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
AUIRFR540ZTRL Infineon auirfr540z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5d6c91496
auf Bestellung 756000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AUIRFR5410TRL Infineon auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFR540ZPBF
Produktcode: 54258 		irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 description IC > IC Transistoren-Treiber
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR540ZTRLPBF
Produktcode: 170490 		irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR5410 IRFR5410
Produktcode: 1670 		IR description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Id,A: 5.9
Rds(on),Om: 0.6
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR5410PBF
Produktcode: 37144 		irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFR5410
Produktcode: 154309 		AUIRFR5410.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFR5410TRL
Produktcode: 198092 		auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR540ZPBF IRFR540ZPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 description Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR540ZPBF IRFR540ZPBF Infineon Technologies infineon-irfr540z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR5410TRPBF
Produktcode: 185744		 description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFR540Z
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28,5mOhm; 35A; 91W; -55°C ~ 175°C; IRFR540Z TIRFR540z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR540ZTRLPBF Infineon_IRFR540Z_DataSheet_v01_01_EN-3363275.pdf
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
auf Bestellung 2816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.87 EUR
10+ 1.54 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.83 EUR
3000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 29998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.73 EUR
11+ 1.74 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFR540ZTRLPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+1.04 EUR
1000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500
IRFR540ZTRLPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR540ZTRLPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR540ZTRLPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 500
IRFR540ZTRPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR540ZTRPBF Infineon_IRFR540Z_DataSheet_v01_01_EN-3363275.pdf
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
auf Bestellung 21805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.37 EUR
10+ 1.13 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFR540ZTRPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 17334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+1.97 EUR
15+ 1.25 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
130+1.16 EUR
148+ 0.99 EUR
167+ 0.84 EUR
200+ 0.78 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.63 EUR
5000+ 0.57 EUR
12000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 130
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR540ZTRPBF irfr540z.pdf
IRFR540ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; IRFR5410 smd TIRFR5410
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFR5410PBF description IRSDS10174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFR5410PBF
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410PBF - IRFR5410 100V SINGLE P-CHANNEL POWER MO
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF 708122.pdf
IRFR5410TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRLPBF 708122.pdf
IRFR5410TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.67 EUR
52+ 1.39 EUR
128+ 0.56 EUR
135+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.67 EUR
52+ 1.39 EUR
128+ 0.56 EUR
135+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.17 EUR
10+ 2.02 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFR5410TRPBF description Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.31 EUR
10+ 1.87 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.95 EUR
4000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.92 EUR
4000+ 0.85 EUR
6000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410TRPBF description infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.73 EUR
4000+ 0.68 EUR
6000+ 0.65 EUR
10000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410TRPBF description infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+1.67 EUR
93+ 1.58 EUR
118+ 1.2 EUR
250+ 1.14 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 91
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRPBF description infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.94 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.2 EUR
10+ 6.48 EUR
100+ 4.51 EUR
IRFR5410TRPBF description infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+1.42 EUR
112+ 1.31 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 107
IRFR5410TRPBF description infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
78+1.95 EUR
89+ 1.65 EUR
100+ 1.41 EUR
200+ 1.29 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.85 EUR
2000+ 0.76 EUR
4000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 78
IRFR5410TRPBF description infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
73+2.08 EUR
91+ 1.62 EUR
93+ 1.52 EUR
118+ 1.15 EUR
250+ 1.09 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRRPBF Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf
IRFR5410TRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
auf Bestellung 5350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.46 EUR
10+ 2.02 EUR
100+ 1.62 EUR
250+ 1.49 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.16 EUR
3000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRFR5410TRRPBF infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.87 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR5410TRRPBF IRSDS10174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410TRRPBF infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5410TRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.87 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
IRFR540ZTRPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR5410 description
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; IRFR5410 TIRFR5410 TEC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRFR5410TRPBF; -13A; -100V; 66W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AUIRFR540Z auirfr540z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5d6c91496
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 35 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА; Р, Вт = 91; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+5.55 EUR
10+ 4.78 EUR
100+ 4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
AUIRFR540ZTRL auirfr540z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5d6c91496
AUIRFR540ZTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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4+5.44 EUR
10+ 3.55 EUR
100+ 2.48 EUR
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AUIRFR540ZTRL Infineon_AUIRFR540Z_DS_v01_02_EN-1730901.pdf
AUIRFR540ZTRL
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
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100+ 2.97 EUR
250+ 2.75 EUR
500+ 2.48 EUR
1000+ 2.13 EUR
3000+ 2.02 EUR
AUIRFR5410-IR INFN-S-A0002298902-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFR5410-IR
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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390+1.22 EUR
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AUIRFR5410TRL auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499
AUIRFR5410TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AUIRFR540ZTRL auirfr540z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5d6c91496
Hersteller: Infineon
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AUIRFR5410TRL auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499
Hersteller: Infineon
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IRFR540ZPBF
Produktcode: 54258		 description irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IC > IC Transistoren-Treiber
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR540ZTRLPBF
Produktcode: 170490		 irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR5410
Produktcode: 1670		 description
IRFR5410
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Id,A: 5.9
Rds(on),Om: 0.6
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR5410PBF
Produktcode: 37144		 description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFR5410
Produktcode: 154309		 AUIRFR5410.pdf
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
AUIRFR5410TRL
Produktcode: 198092		 auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR540ZPBF description irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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IRFR540ZPBF description infineon-irfr540z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR540ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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