Produkte > BD1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W | auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD139G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | verfügbar 1 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN | auf Bestellung 3036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139G Produktcode: 194229
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD139G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139L-16 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BD14 | DELUXE | Description: DELUXE - BD14 - FIBREGLASS CLOTH, 2OZ, 1X1M tariffCode: 63061200 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Deluxe - Fibreglass Cloth SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14-182 | ABB Installation Products | Terminals NON-INS FEM .187X.020 DISC 16-14AWG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14-183 | ABB Installation Products | Terminals NON-INS FEM .187X.032 DISC 16-14AWG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Kind of package: tube Case: SOT32 Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 25...250 | auf Bestellung 2396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | ARK | PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140 | BD140 Транзисторы | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 253459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD140 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-32 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139; BD140G; BD140 TBD140 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 253455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; TO126 Case: TO126 Frequency: 50MHz Collector current: 1A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 40...250 | auf Bestellung 4755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | JCET | PNP, Uce=80V, Ic=1.5A, hFE=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126, - 55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140 | CDIL | PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140 | BD140 Транзисторы | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 7675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD140 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | ARK | PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139; BD140G; BD140 TBD140 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD140 | STM | PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (SOT-32) Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD140-ST; BD140-CDI; BD140G; BD140 JSMICRO TBD140 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 9183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD140 (КТ814Г) Produktcode: 15292
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| NXP | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz Spannung Uce, V: 80 V Spannung Ucb, V: 100 V Strom Ic, A: 1,5 A Stromverstärkung h21, max: 250 | verfügbar: 104 St.
auf Bestellung: 1288 St.
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| BD140-10 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140-10 | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Case: TO126 Mounting: THT Power: 12.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD140-10 Produktcode: 73132
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BD140-10-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140-10-S | auf Bestellung 49817 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMicroelectronics | Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-32(TO-126) Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Kind of package: tube Case: SOT32 Frequency: 160MHz Collector current: 1.5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...250 | auf Bestellung 3288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-32 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 7475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | STM | PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, SOT-32-3 (компл. BD140) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140-16 | FUXINSEMI | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI; BD140-16 TO126 FUXIN TBD14016 FUX Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 231985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 Produktcode: 188702
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| Philips | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 160 МГц Spannung Uce, V: 80 В Spannung Ucb, V: 100 В Strom Ic, A: 1,5 А | auf Bestellung: 5 St.
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| BD140-16 | ARK | Transistor PNP; Bipolar; 250; 80V; 5V; 1MHz; 1.5A; 1.25W; -55°C~150°C; TBD140.16; BD140-16-CDI; BD140-16 TBD14016 c Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 231983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | CDIL | PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD139) Транзистори | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 28475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-16 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr | auf Bestellung 3089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD140-16 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI; BD140-16 JSMICRO TBD14016 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140-16 (SOT-32, Nexperia) Produktcode: 39648
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| NXP | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz Spannung Uce, V: 80 V Spannung Ucb, V: 100 V Strom Ic, A: 1,5 A Stromverstärkung h21, max: 250 | Produkt ist nicht verfügbar
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| BD140-16 (SOT-32, ST) Produktcode: 89440
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| ST | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Spannung Uce, V: 80 В Spannung Ucb, V: 80 В Strom Ic, A: 1,5 А Stromverstärkung h21, max: 160 | auf Bestellung: 500 St.
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| BD140-16 JSMSEMI Produktcode: 212037
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| JSMSEMI | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-126 Spannung Uce, V: 80 В Spannung Ucb, V: 100 В Strom Ic, A: 1,5 А | auf Bestellung: 211 St.
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| BD140-25 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD140-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD140-6-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140-CDI | CDIL | BD140-CDI BD140 PNP, Uce=80V, Ic=1.5A, hFE=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126, - 55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD140.16 | CDIL | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16-CDI; BD140.16; BD140-16 CDIL TBD14016cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140.16 | CDIL | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16-CDI; BD140.16; BD140-16 CDIL TBD14016cd Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD140/ST | ST | 08+; | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CE2 | ROHM Semiconductor | Battery Management Cell Balance LSI of 4 to 6 Series Power Storage Element Cells | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Description: CELL BALANCE LSI OF 4 TO 6 SERIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | ROHM Semiconductor | Battery Management Cell Balance LSI 8-24V; HTSSOP-B30 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V Automotive 30-Pin HTSSOP-B EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Description: CELL BALANCE LSI OF 4 TO 6 SERIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V Automotive 30-Pin HTSSOP-B EP T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14000EFV-EVK-001 | Rohm Semiconductor | Description: EVAL BOARD FOR BD14000 Packaging: Box Function: Battery Monitor Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: BD14000 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Cell Balancer Secondary Attributes: 8V ~ 24V Supply Embedded: No Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD14000EFV-EVK-001 | ROHM Semiconductor | Power Management IC Development Tools Power Management IC Dev Board for BD14000EFV-C EDLC Cell Balancer LSI | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD14000EFV-EVK-001 | Rohm Semiconductor | BD14000EFV-C Battery Management Evaluation Board | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14010 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14010S | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14010STU | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14010STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD14010STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD14010STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14010STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | auf Bestellung 3409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BD14016 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14016S | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14016S | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 420 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14016S | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14016STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD14016STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14016STU | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 60 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD14016STU | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
