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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03S GINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.96 EUR
100+1.84 EUR
250+1.74 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LS
Produktcode: 196253
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1InfineonBSC032N04LSATMA1 Транзистор, N-MOSFET, полевой, 40В, 83А, 52Вт, PG-TDSON-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
118+1.46 EUR
200+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.77 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
112+2.08 EUR
250+1.27 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
57+1.51 EUR
65+1.31 EUR
76+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 22441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 4169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.69 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
112+2.08 EUR
250+1.27 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.54 EUR
10000+0.5 EUR
15000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.67 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSInfineon technologies
auf Bestellung 4957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.89 EUR
283+0.82 EUR
312+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.68 EUR
100+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 9134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.27 EUR
100+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
125+1.38 EUR
148+1.13 EUR
250+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.89 EUR
283+0.82 EUR
312+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 37W
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
116+1.45 EUR
125+1.3 EUR
148+1.05 EUR
250+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 3300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.5 EUR
40+5.89 EUR
100+3.83 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.66 EUR
100+3.37 EUR
250+3.36 EUR
500+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 3300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.83 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 7501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.51 EUR
100+1.06 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.09 EUR
192+0.87 EUR
193+0.83 EUR
228+0.68 EUR
250+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
193+0.89 EUR
228+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSInfineon
auf Bestellung 215000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.82 EUR
100+2.65 EUR
250+2.49 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.24 EUR
2500+2.13 EUR
5000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
117+1.44 EUR
118+1.37 EUR
126+1.24 EUR
250+1.17 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 7069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.82 EUR
61+3.81 EUR
100+2.52 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 23703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
109+1.57 EUR
119+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.27 EUR
136+1.71 EUR
147+1.46 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
117+1.46 EUR
118+1.43 EUR
126+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 15647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+3.84 EUR
25+3.63 EUR
100+3.33 EUR
250+3.15 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 5912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.46 EUR
100+4.08 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.17 EUR
5000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LS GINFINEON08+ SOP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGinfineon08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.93 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
173+1.34 EUR
250+0.99 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
auf Bestellung 44439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 20592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
113+2.06 EUR
250+1.29 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 22288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
100+1.73 EUR
123+1.37 EUR
200+1.26 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
10000+0.46 EUR
15000+0.44 EUR
25000+0.43 EUR
35000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.2 EUR
30+5.84 EUR
50+5.5 EUR
100+5.2 EUR
250+4.96 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.53 EUR
2500+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1
Produktcode: 192220
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
auf Bestellung 13349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
10+3.97 EUR
100+3.12 EUR
500+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.06 EUR
250+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.84 EUR
100+2.68 EUR
500+2.23 EUR
5000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.15 EUR
69+2.45 EUR
70+2.33 EUR
100+2.07 EUR
250+1.98 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
50+5.06 EUR
250+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.84 EUR
100+2.74 EUR
500+2.31 EUR
5000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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