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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6575_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 54500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
auf Bestellung 7030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
12+1.77 EUR
100+1.38 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
auf Bestellung 7603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.71 EUR
100+1.36 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576_NLFSC09+
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6576_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6578FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6585FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6588FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6609FDSSOP-8
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6609AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6609AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6609A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612FSC00+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A
Produktcode: 137932
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
869+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 138927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
625+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 30V
auf Bestellung 3831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A-NB5E029AonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6612A_NL
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614FSC00+ SOP
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.51 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6614A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 25863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.51 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.51 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.51 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.01 EUR
10000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 25863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614A-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6614A_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, SINGLE, NCH, 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630FDSSOP-8
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.93 EUR
209+0.81 EUR
217+0.75 EUR
301+0.52 EUR
315+0.48 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 6,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6630A TFDS6630a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
auf Bestellung 43435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1157+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1245+0.54 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6630A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630A-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630A_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6634AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6644FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS66574AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 203173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
100000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AonsemiMOSFETs SO-8 N-CH 30V
auf Bestellung 16437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 108108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
14+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 77497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 44659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670A-NLFairchildSOP8 0712+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASFairchild
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH POWER TRENCH SYNCFET
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4055509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
794+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.65 EUR
100000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AS_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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