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FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
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FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
867+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 867 Stücke
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FDS6612A-NB5E029AonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
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FDS6612A-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
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FDS6612ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FDS6612A_NL
auf Bestellung 5080 Stücke:
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FDS6614FSC00+ SOP
auf Bestellung 153 Stücke:
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FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.53 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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FDS6614AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
auf Bestellung 25863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
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FDS6614AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6614A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 25863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.53 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.53 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
10000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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FDS6614AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6614Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
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FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.53 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
10000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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FDS6614A-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6614ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6614A_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, SINGLE, NCH, 30V
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FDS6630FDSSOP-8
auf Bestellung 6700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6630-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6630Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
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FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.94 EUR
209+0.82 EUR
217+0.76 EUR
301+0.52 EUR
315+0.49 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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FDS6630AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 6,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6630A TFDS6630a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FDS6630AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
auf Bestellung 43435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1157+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1157 Stücke
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FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 22006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1245+0.54 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1245 Stücke
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FDS6630AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6630A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630A-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6630A_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6634AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6644FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS66574AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 44659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 203173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.65 EUR
100000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 108108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AonsemiMOSFETs SO-8 N-CH 30V
auf Bestellung 16437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
14+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 77497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
812+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 812 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670A-NLFairchildSOP8 0712+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4055509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
794+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.67 EUR
100000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH POWER TRENCH SYNCFET
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670AS_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
auf Bestellung 18785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.49 EUR
500+2.21 EUR
1000+2 EUR
10000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2674 pF @ 15 V
auf Bestellung 28785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.49 EUR
500+2.21 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.49 EUR
500+2.21 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672FAIRCHIL00+ SOP
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.18 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
auf Bestellung 279334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 8822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.18 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 121838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.18 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.75 EUR
10000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6672A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 259608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 37000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.18 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.75 EUR
10000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
auf Bestellung 98091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.18 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.75 EUR
10000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6672A_NLFSC09+
auf Bestellung 11318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AFDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZonsemi / FairchildMOSFET 30V SO8 PCH POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZ-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZ_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673AZ_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -14.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 12mΩ
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.83 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6673BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ
Produktcode: 109121
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
613+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 613 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.71 EUR
100+1.25 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 4933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH