Produkte > RN2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| RN2302LXGF(T | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2302TE85L(YB) | auf Bestellung 25866 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2302TE85R(YB) | auf Bestellung 8985 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2303 | TOS | SOT-323 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2303(T5LND) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2603 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2303(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2303(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | auf Bestellung 8889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2303,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2303,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2303,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2303,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2303,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2303,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2303,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2303,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2303,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 22kOhm, 22kOhm, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2303,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2303,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2303TE85R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2303TE85R(YC) | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2304 | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 47992 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304 | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased -100mA -50volts 4.7K x 4.7Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304 LXHF | Toshiba | Toshiba SOT323 50V PNP BRT TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304(T5LND) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 2010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2304,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 47kohm 0.1A SOT-323 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304,LF(B | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2304,LF(B | Toshiba | RN2304,LF(B | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1389 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2304,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2304,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2304,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2304,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2304,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2304,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 47kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 8880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2304,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2304,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2304LF(T | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304LXGF(T | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2304TE85L(YD) | auf Bestellung 4520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2304TE85R | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2305(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms | auf Bestellung 3191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2305(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2305(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2305(TE85R) | TOSHIBA | SOT323-YE | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2305(TE85R) SOT323-YE | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2305,LF | Toshiba | Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2305,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2305,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2305,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2305,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2305,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2305,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2305,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2305,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 2.2kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 8980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2305,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2305,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2305=DTA123JU | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2305TE85L(YE) | auf Bestellung 6160 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2305TE85RSOT323-YE | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2306 | TOSHIBA | 02+ SOT-323 | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2306 | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2306(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1756 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2306(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2306,LF | Toshiba | Digital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz | auf Bestellung 10207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2306,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2306,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2306,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2306,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2306,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2306,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2306,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 8407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2306,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2306,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2307 | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307 LXHF | Toshiba | SOT323 50V PNP BRT TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307,LF | Toshiba | Digital Transistors 10kohm 47kohm 0.1A SOT-323 50V | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2307,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 | auf Bestellung 2652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2307,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2307,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2307,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2307,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2307,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2307,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2307,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 10kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2307,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2307,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2307LF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307LXGF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2307TE85L(YH) | auf Bestellung 12780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2307TE85R(YH) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2308 | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2308(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2308(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2308,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2308,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2308,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2308,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2308,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 22kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2308,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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