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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4200-BMSI
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200-BMRSILICON03+
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4200
Supplied Contents: Board(s)
Type: GPRS/GSM
Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz
For Use With/Related Products: Si4200
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200-GMSilicon LabsDescription: IC TXRX TRI-BAND 32MLP
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200-GMSILICONQFN??
auf Bestellung 2922 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200-GMRSILICON04+
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI42000BW
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200BMSILQFN
auf Bestellung 1270 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200DB-BMSilicon09+
auf Bestellung 5718 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200DB-BMRSI
auf Bestellung 1573 Stücke:
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SI4200DB-BRMSAGEM04+
auf Bestellung 3298 Stücke:
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SI4200DB-GMRSILICON06+
auf Bestellung 357 Stücke:
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SI4200DY-T1-E3
auf Bestellung 100 Stücke:
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SI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4201-BMSilicon09+
auf Bestellung 440018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4201-BMSilicon LabsDescription: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN
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 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4201-BMRVISHAY03+
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4201-GMSilicon LabsDescription: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4201-GMRSIICON2004PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4201bm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4202DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.34 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.11 EUR
5000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4202DY-T1-GE3VishayMOSFET DUAL N-CH 20V (D-S), SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4204DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 12545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 10390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.05 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
70+2.44 EUR
72+2.3 EUR
100+1.76 EUR
250+1.68 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.38 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4204DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4205SILICON2007;
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4205-BMSILICONQFN
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4205-BMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX CELLULAR 32LFLGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4205-BMRSILICON04+
auf Bestellung 32432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4205-EVB+F19Silicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4205BMSILICON0539
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206SILICONQFN?
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-BMSILICONEQFN??
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-BMSilicon LabsDescription: IC TXRX TRI-BAND W/DCXO 32LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-BM LGA-32SILICON0541
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-BMLGA-32
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-BMRSILICON09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-BWRSILICON09+
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4206
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206BMSILICON
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4206BMR
auf Bestellung 7420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4208SILICONEQFN??
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4208-A-GMR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4208C-GM
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4208GM
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4209QFN??
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4209-A-GMRSILICON
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4209C-GM
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210SILICON2007;
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-A-IF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD INTERFACE FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-B072-GMRSILLCON0442+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-C-GMRSIQFN
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4210-D-GMSilicon LabsDescription: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4210-D-GMVIS06+ QFN
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-D-GMRSILICON06NOPB
auf Bestellung 11262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-E-KT-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EMULATION FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-E-RF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-G-KT-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EMULATION FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-G-RF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-GMSilicon09+
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-T-IF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210-X-BO-EVBSilicon LabsDescription: BOARD BREAKOUT FOR SI4210
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210?C-GMRSILICONQFN??
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4210DY-T1-E3
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4210GMSILICON
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4212-B-GMSilicon LabsDescription: IC TXRX MULTI-BAND 36QFN
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SI4212-RKDA-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EMULATION FOR SI4212
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SI4212-RRDA-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4212
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SI4212-TKDX-EVBSilicon LabsDescription: KIT EVAL TXRX FOR SI4212
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SI4212-TRDX-EVBSilicon LabsDescription: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212
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SI4213-AOSilicon09+
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SI4213AOSILICON
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Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Si4214DDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2+2.43 EUR
10+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Si4214DDY-T1-E3
auf Bestellung 8200 Stücke:
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Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Si4214DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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