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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
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JAN2N706Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 15V 10MA
Packaging: Bulk
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JAN2N708Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 15V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/312
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JAN2N708Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N718MOTOROLA
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JAN2N718AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/181
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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JAN2N718AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 500mA 500mW NPN Power BJT THT
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JAN2N718AMOT
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JAN2N720MOTOROLA
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JAN2N720AMSC
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JAN2N720AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N720AMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-18
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JAN2N721MOTOROLA
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JAN2N7219SITO-254
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JAN2N721AMOTOROLA
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JAN2N722MOTOROLA
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JAN2N7224Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
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JAN2N7224UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
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JAN2N7225Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 27.4A TO254AA
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JAN2N7225UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 27.4A TO267AB
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JAN2N7227Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA
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JAN2N7227UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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JAN2N7228Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
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JAN2N7228MICROSEMITO-254AA/N-CHANNEL MOSFET 2N7228
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JAN2N7228UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB
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JAN2N7236Microsemi CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA
Qualification: MIL-PRF-19500/595
Grade: Military
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V
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JAN2N7236UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-267AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-267AB
Packaging: Bulk
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JAN2N723AMOTOROLA
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JAN2N728AMOTOROLA
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JAN2N729MOTOROLA
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JAN2N729AMOTOROLA
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JAN2N730MOTOROLA
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JAN2N730AMOTOROLA
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JAN2N7334Microsemi HI-REL [MIL]Description: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
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JAN2N7335Microsemi CorporationDescription: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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JAN2N735MOTOROLA
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JAN2N735AMOTOROLA
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Jan2N7368MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N7369MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N7370Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
Qualification: MIL-PRF-19500/624
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JAN2N7371Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 100V 0.001A TO254
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-254
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
Qualification: MIL-PRF-19500/623
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JAN2N7372Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 5A TO254
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JAN2N7373Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 5A TO254
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JAN2N869A
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JAN2N870MOTOROLA
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JAN2N871MOTOROLA
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JAN2N910MOTOROLA
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JAN2N910AMOTOROLA
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JAN2N911MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N911AMOTOROLA
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JAN2N912MOTOROLA
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JAN2N912AMOTOROLA
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JAN2N913MOTOROLA
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JAN2N913AMOTOROLA
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JAN2N914MOTDIP
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JAN2N914AMOTOROLA
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JAN2N915AMOTOROLA
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JAN2N916MOTOROLA
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JAN2N916AMOTOROLA
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JAN2N917MOTOROLA
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JAN2N917AMOTOROLA
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