Produkte > BFP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | auf Bestellung 3197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | auf Bestellung 116989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1013 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | auf Bestellung 198600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 | auf Bestellung 80430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 29 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon | RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW Surface Mount 4-TSFP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP842ESDBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: ULTRA LOW-NOISE TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | auf Bestellung 5317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 3.7V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.12W Case: SOT343 Current gain: 150 Mounting: SMD Frequency: 60GHz | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 Produktcode: 143195
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| Transistoren > HF-Transistoren | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | auf Bestellung 10245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843 BOARD | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Power - Max: 125mW Gain: 13.5dB ~ 25dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 416931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 202913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon | TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Power - Max: 125mW Gain: 13.5dB ~ 25dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 176565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | auf Bestellung 381000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP843H6327 | Infineon Technologies | Description: ULTRA LOW-NOISE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: SOT-343 Part Status: Active | auf Bestellung 194705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 107411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 | auf Bestellung 8762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 154705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | auf Bestellung 8307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFP92AW-GS08 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BFP93A | infineon | SOT143 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BFPB-50-2-3 | MARATHON SPECIAL PRODUCTS | Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - BFPB-50-2-3 - DISTRIBUTION TERMINAL BLOCK, 3P, STUD Anschlussverfahren an der Lastseite: Stud Anschlussverfahren an der Netzseite: Stud Nennspannung: 1 Netzseitige Anschlüsse pro Pol: - Nennstrom: 1.605 Drahtdurchmesser an der Lastseite, max.: - Drahtdurchmesser an der Netzseite, max.: - Lastseitige Anschlüsse pro Pol: - Produktpalette: BFPB Series Anzahl der Pole: 3 Pole SVHC: Lead | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFPB3714 | Marathon Special Products | Conn Power Terminal Block 4 POS 1.62mm Panel Mount 1605A | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFPB5023 | Marathon Special Products | Conn Power Terminal Block 3 POS 2.12mm Panel Mount 1605A | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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