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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS138BKS/S500X,115Nexperia USA Inc.Description: BSS138BKS - 60V, 320MA DUAL N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.6 EUR
681+0.25 EUR
792+0.21 EUR
1080+0.14 EUR
1139+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.095 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
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BSS138BKSHNexperiaMOSFETs BSS138BKS/SOT363/SC-88
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
12+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138BKSHNexperiaMosfet Array 60V 320mA (Ta) 445mW Surface Mount 6-TSSOP Транзистори
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BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
76+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 9217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.24 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.34A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSS138BKT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 400mA; 350mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 10668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.93 EUR
610+0.38 EUR
695+0.31 EUR
935+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 85067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
67+0.32 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 7093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+0.42 EUR
827+0.21 EUR
927+0.19 EUR
1044+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .4A
auf Bestellung 24793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.31 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.93 EUR
610+0.38 EUR
695+0.31 EUR
935+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 7031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 7031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 10668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1489+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1489 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
85+0.25 EUR
120+0.18 EUR
138+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperiaMOSFETs BSS138BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
13+0.24 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.11 EUR
10000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKWNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115NexperiaMOSFETs BSS138BKW/SOT323/SC-70
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
auf Bestellung 19260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS138BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 196 Stücke
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BSS138BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138BKW-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: SMALL SIGNAL MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138BKW-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSS138BKW-B115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 1899 Stücke
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BSS138BKW-BXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS138BKW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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BSS138BKW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.37A 3-Pin SOT-323 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138BKW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.24 EUR
146+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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BSS138BKW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138BKW/DG/B2135Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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BSS138BKW/DG/B2XNexperiaBSS138BKW/DG/B2X
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3902+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3902 Stücke
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BSS138BKW/DG/B2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKW/DG/B2X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS138BKW/DG/B2XNexperia USA Inc.Description: Nexperia BSS138BKW-B - Small Sig
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5453+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5453 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
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BSS138BKWT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 380mA; 300mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 751 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
989+0.18 EUR
1022+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 989 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
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BSS138BKWT106ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS138BKWT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 26703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
62+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSS138BW SOT323 KINGTRONICSKINGTRONICSTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW,115; BSS138 TBSS138pw KT
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.58 EUR
480+0.37 EUR
652+0.26 EUR
1112+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106ROHMDescription: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.68 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
333+0.7 EUR
524+0.4 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 895 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106ROHM SemiconductorMOSFETs SOT323 N-CH 60V 380MA
auf Bestellung 5716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.55 EUR
10+1.06 EUR
100+0.68 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106ROHMDescription: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.68 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
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206+1.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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BSS138CT-ND
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BSS138DWGOODWORKDescription: 55V 300mA 1.2@10V SOT-363
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BSS138DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 50V 200mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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BSS138DW-7DIODES05+ SOT-363
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
363+0.64 EUR
513+0.42 EUR
596+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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BSS138DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 50V 200mW
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4+0.8 EUR
10+0.46 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
363+0.64 EUR
513+0.42 EUR
596+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-FDiodesТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.32 EUR
81+0.26 EUR
93+0.23 EUR
107+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DWK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.5 EUR
14+0.23 EUR
100+0.19 EUR
500+0.17 EUR
10000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138DWK-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 50V; 310mA; 330mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH