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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC500037Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.003125MHZ CMOS
Base Resonator: Crystal
Frequency: 125.003125 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C
Type: XO (Standard)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500037Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500037Diodes ZetexFD Series Crystal Clock Oscillator
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500044Diodes ZetexFD Series Crystal Clock Oscillator
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500044Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 125 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Voltage - Supply: 2.5V
Frequency Stability: ±25ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 90°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500044Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500047Diodes ZetexFD Series Crystal Clock Oscillator
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500047Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 125 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500047Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500049Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 125 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500049Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500049Diodes ZetexFD Series Crystal Clock Oscillator
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5000PZPTTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC500400Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ LVCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 26mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 125 MHz
Base Resonator: Crystal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.81 EUR
308+0.56 EUR
314+0.54 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.76 EUR
258+0.65 EUR
341+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
215+0.79 EUR
217+0.75 EUR
308+0.5 EUR
314+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 22062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
170+1.37 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 45623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612On SemiconductorMOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
auf Bestellung 17354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.92 EUR
100+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 22062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
170+1.37 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
104+0.82 EUR
120+0.71 EUR
164+0.52 EUR
182+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
21000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612-NLFAIRCHILDSOT-163 05+
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612/562FAIR
auf Bestellung 6925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612NLFAIRCHILD
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5612_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
178+0.94 EUR
268+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
462+0.38 EUR
489+0.35 EUR
539+0.3 EUR
584+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 462 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
88+0.98 EUR
101+0.84 EUR
141+0.61 EUR
163+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 41800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1412+0.46 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 105358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.88 EUR
283+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
489+0.36 EUR
539+0.32 EUR
584+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 489 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 105358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P .564ON-SemiconductorP-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω FDC5614P TFDC5614P
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
38+0.56 EUR
42+0.5 EUR
100+0.44 EUR
250+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P-NLFAIRCHILDSOT-163 05+
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC563N
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661NonsemiDescription: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
50+0.42 EUR
57+0.37 EUR
100+0.32 EUR
250+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661NonsemiMOSFETs FET 60V 500 MOHM SSOT6
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.38 EUR
100+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661NonsemiDescription: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661NON SemiconductorMOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans N-Ch 60V 4.3A
auf Bestellung 92911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.08 EUR
191+0.88 EUR
192+0.84 EUR
297+0.52 EUR
300+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.35 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
297+0.58 EUR
300+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5XPRCA02H132XConecDescription: CONN D-SUB PLUG 50POS VERT SLDR
Shell Size, Connector Layout: 5 (DD, D)
Shell Material, Finish: Steel, Tin Plated
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Connector Style: D-Sub
Termination: Solder
Flange Feature: Board Side (4-40)
Contact Type: Signal
Number of Rows: 3
Number of Positions: 50
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Connector Type: Plug, Male Pins
Features: Filter, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5XPRCA02H132XCONECD-Sub Standard Connectors 50P Solder pin Str 1300pf
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6000NZFSCSSOT-6 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6000NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6000NZ_F077onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6020CON Semiconductor / FairchildMOSFET Complementary PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6020CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6020CFAIRCHILSOT-163 10+
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6020CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6020C-NLFAIRCHLDSOT163 10+
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6020C/.020FAIR
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FDC6020C_F077ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6020C_F077ON Semiconductor / FairchildMOSFET Complementary PwrTrh
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FDC602Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 4794 Stücke:
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3+1.5 EUR
10+0.95 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
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144+1.37 EUR
200+0.93 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC602PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC602PonsemiMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 22110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
187+1.25 EUR
286+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC602PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
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FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC602PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 22110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
187+1.25 EUR
286+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 38449 Stücke:
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1331+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1331 Stücke
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