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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD1-25-D-KSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
13+1.68 EUR
25+1.62 EUR
50+1.58 EUR
100+1.54 EUR
250+1.49 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-KSamtecConn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K .SAMTECDescription: SAMTEC - IPD1-25-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 50 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 50-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K Steckverbinder
Produktcode: 211483
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K-MSamtecHeaders & Wire Housings 2.54MM MINI MATE WIRE SKT HSG
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
24+7.14 EUR
56+5.55 EUR
104+4.61 EUR
504+4.24 EUR
1000+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K-MSamtecConn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K-MSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Number of Rows: 2
Part Status: Active
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Fastening Type: Latch Lock
Contact Type: Female Socket
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Number of Positions: 50
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: White
Contact Termination: Crimp
Connector Type: Receptacle
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
25+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K-MSamtecConn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K-RSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-K-RSamtecHeaders & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-MSamtecHeavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-PSamtecHeaders & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-PSamtecConn Housing 50 POS 2.54mm Crimp ST Loose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-PSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-P-MSamtecConn Housing RCP 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-P-MSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-D-P-MSamtecHeaders & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-S-K-MSamtecHeavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD1-25-S-K-RSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 25POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.75 EUR
50+3.56 EUR
100+3.36 EUR
250+3.19 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.93 EUR
2500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 5088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.89 EUR
100+2.09 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.02 EUR
100+2.03 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.36 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
83+2.81 EUR
111+1.93 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
7500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 94899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+2.06 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
10000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.36 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.02 EUR
100+1.99 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 36198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
110+1.95 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.19 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L-02Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+2.06 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+2.06 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S4-03INFINEONTO252 09+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S4-03Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-252
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
50+3.63 EUR
100+3.43 EUR
250+3.25 EUR
500+3.12 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 325000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
100000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 3713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
71+3.27 EUR
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
85+2.03 EUR
86+1.95 EUR
87+1.89 EUR
105+1.55 EUR
250+1.49 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
85+1.99 EUR
86+1.88 EUR
87+1.78 EUR
105+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD100N06S403ATMA2InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD105N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 35A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD105N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD105N04LGINFINEON
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD105N04LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD107DKSamtecHeaders & Wire Housings
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03infineon04+
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03LAInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD10N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.55 EUR
5000+1.51 EUR
7500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.95 EUR
49+3.51 EUR
50+3.42 EUR
100+2.8 EUR
250+2.65 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
10+3.62 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.8 EUR
5000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
103+2.08 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.95 EUR
49+3.44 EUR
50+3.28 EUR
100+2.65 EUR
250+2.45 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
70+2.48 EUR
100+2.05 EUR
200+1.89 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.56 EUR
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24343 Stücke:
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50+5.02 EUR
79+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
62+2.77 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.2 EUR
63+2.7 EUR
100+1.96 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 120, Id = 75, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 60, Qg, нКл = 65 @ 10 B, Rds = 11 мОм @ 75 A, 1 B, Ugs(th) = 3 @ 83 мА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
5000+1.46 EUR
7500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD116DKSamtecHeaders & Wire Housings
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.05 EUR
63+2.73 EUR
100+2.15 EUR
200+1.99 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
74+3.15 EUR
100+2.14 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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