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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTD4863NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4863NAT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 49 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NAT4GON Semiconductor
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
auf Bestellung 180925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NT4GON
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4863NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4863NT4G - NFET DPAK 25V 49A 0.0093R
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 180925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
auf Bestellung 13050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1366+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4865N-35G - NTD4865N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2475+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
auf Bestellung 12975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1680+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1680 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
auf Bestellung 540000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1366+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865NT4G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4865NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 25V DPAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1366+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904N-1GON Semiconductor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
612+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 612 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904N-35GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
612+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 612 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052 pF @ 15 V
auf Bestellung 22250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
599+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4G
Produktcode: 91782
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
594+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 594 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAK
auf Bestellung 33167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
849+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 849 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
594+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 594 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4904NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4905N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4905N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4905NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906N-1G - NTD4906N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1716+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1716 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-1GON Semiconductor
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
auf Bestellung 17450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1716+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1716 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 676661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
auf Bestellung 676661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 635182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1716+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1716 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906N-35H - NTD4906N-35H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35HonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906N-35HON SemiconductorNTD4906N-35H
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2507+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-Ch 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
auf Bestellung 40158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.38 EUR
508+0.33 EUR
800+0.2 EUR
935+0.17 EUR
1064+0.14 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
10000+0.094 EUR
25000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NA-1GonsemiMOSFETs NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NA-35GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
auf Bestellung 22125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2328+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906NA-35G - NTD4906NA - MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD4906NAT4GON Semiconductor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NAT4HON SemiconductorNTD4906NAT4H
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NAT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906NAT4H - NTD4906NAT4H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NAT4H
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NAT4HonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 54A
Packaging: Bulk
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+1 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NAT4HON SemiconductorNTD4906NAT4H
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NT4G
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906NT4H - NTD4906NT4H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NT4HSanyoDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4906NT4HSanyo ElectricNTD4906NT4H
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1810+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
auf Bestellung 19225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909N-35HRochester Electronics, LLCDescription: NTD4909N-35H
auf Bestellung 14925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
auf Bestellung 23773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1101+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NA-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NAT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NAT4HonsemiDescription: NFET DPAK 30V 41A 8MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 157500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NAT4H
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4909NT4HonsemiDescription: NFET DPAK 30V 41A 8MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4910N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 27.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4910N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 27.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 15 V
auf Bestellung 11425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4910NG
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4910NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 37A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4910NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4913NON09+ TO-252
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4913N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4913N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4913NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4959N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2775 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4959N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
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NTD4959N4TG
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NTD4959NH-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
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NTD4959NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
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NTD4959NHT4
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NTD4959NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
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NTD4959NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4959NHT4G - NTD4959NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD4959NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
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NTD4959NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA
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