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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN4984FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN4984FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN4984FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
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10+0.36 EUR
15+0.24 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
4000+0.069 EUR
8000+0.057 EUR
24000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RN4984FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4984FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RN4984FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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36+0.58 EUR
45+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4984FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 7660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
41+0.52 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
auf Bestellung 7444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4984FSTOSHIBASOT-563
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985TOSHIBASOT363
auf Bestellung 204000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 2.2K x 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985(TE85LF)ToshibaDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 200mW TRANSISTOR
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4985,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RN4985,LF(CTToshibaNPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
62+0.35 EUR
126+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4985,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985/6E
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE
auf Bestellung 13085 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
2000+0.086 EUR
4000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
auf Bestellung 6141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
53+0.39 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.094 EUR
2000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.55 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985FSTOSHIBASOT663
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985TE85L
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4985TE85L(6E)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986TOSHIBA09+
auf Bestellung 23518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986 TE85L SOT363-6FTOSHIBA
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(TE85L)TOSHIBASOT363-6F
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(TE85L) SOT363-6FTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986(TE85L) SOT363-6FTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
64+0.33 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 10829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4986FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4986FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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RN4986FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.096 EUR
4000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4986FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
58+0.36 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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RN4986FE,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RN4986FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN4986FSTOSHSOT26/
auf Bestellung 17240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN4987TOSHIBA
auf Bestellung 57200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN4987,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
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RN4987,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
45+0.48 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN4987,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN4987,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=10kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.67 EUR
100+0.38 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RN4987,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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RN4987/6H
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN4987FEToshibaArray
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RN4987FETOSHIBA
auf Bestellung 12200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN4987FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN4987FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
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RN4987FE(TE85LF)ToshibaDigital Transistors
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RN4987FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN4987FE,LF(CBToshibaRN4987FE,LF(CB
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
444+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1716+0.1 EUR
1722+0.1 EUR
2000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 1716 Stücke
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RN4987FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4987FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 7329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.24 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.083 EUR
4000+0.074 EUR
8000+0.061 EUR
24000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 27872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4987FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.076 EUR
8000+0.069 EUR
12000+0.064 EUR
20000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
4000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987T5LFTToshibaDigital Transistors X34 Pb-F US6 PLN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 22K x 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
47+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4988,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
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