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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI2304BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.08W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
192+1.21 EUR
210+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm
auf Bestellung 55743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.32 EUR
100+0.84 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.46 EUR
194+0.87 EUR
285+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3 L4Y0AVishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3-SVISHAYSOT23
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3/L4V9AVISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
auf Bestellung 398973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.56 EUR
100+0.96 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.45 EUR
452+0.38 EUR
512+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VBsemiTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS TSI2304bds VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.52 EUR
381+0.44 EUR
449+0.36 EUR
509+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDT1-E3VISHAY
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS
auf Bestellung 4385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+1.17 EUR
339+0.69 EUR
532+0.4 EUR
705+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30 V (D-S)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
372+0.62 EUR
527+0.4 EUR
610+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.56 EUR
489+0.35 EUR
635+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 37220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 148776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.46 EUR
514+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
372+0.62 EUR
527+0.4 EUR
610+0.36 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.92 EUR
308+0.55 EUR
489+0.33 EUR
635+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2304DDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
299+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.063 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DSNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DSNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS,215NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS,215Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+534.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - SI2304DS,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.117 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 500
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.117
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-E3
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 2.5A 1.25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1 SOT23-A4VISHAY
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1 SOT23-A4VISHAY
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1-E3VishayVishay OBSOLETE - USE Si2304BDS-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1/A4
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T1SOT23-A4
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-T3VishayVishay OBSOLETE - USE Si2304BDS-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS-TI
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS/A4VISHAY
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS/DG
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS/R4VISHAY
auf Bestellung 5594 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS/S500,215NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DST1
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DS\A4VISHAYSOT-23
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304S-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304S-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305HOTTECHTransistor P-MOSFET; SMD; SOT23; 3.2A; 30V SI2305 SOT23-3 HOTTECH TSI2305 HOT
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305SI09+
auf Bestellung 500018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305GOODWORKMOSFET P-CH 20V 4.1A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305(A5SHB)
auf Bestellung 14726 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305*A5SHB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 63mOhm; 5,4A; 1,20W; -55°C ~ 150°C; SI2305 CHIPNOBO TSI2305 CNB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-MLMOSLEADERDescription: 20V 4.2A 1.38W P Channel SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.087 EUR
30000+0.082 EUR
75000+0.077 EUR
150000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 8V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 10864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF; SI2305-TP TSI2305-tp
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 8V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF; SI2305-TP TSI2305-tp
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 8V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TP-HFMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Ch -8Vds 8Vgs 1.4W -4.1A -0.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305.
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305AUMWDescription: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2305AUMWDescription: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
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77+0.27 EUR
87+0.24 EUR
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SI2305A5
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SI2305ADS-T1-E3VISHAY08+
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SI2305ADS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
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SI2305ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
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SI2305ADS-T1-GE3
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SI2305AS-T1-E3
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