Produkte > STL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| STL120N4F6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 4262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N4F6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL120N4F6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 4262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N4F6AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL120N4F6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL120N4LF6AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL120N4LF6AG | STMicroelectronics | STL120N4LF6AG STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N4LF6AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 55 A STripFET F6 in a PowerFLAT 5x6 package | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL120N4LF6AG | STMicroelectronics | STL120N4LF6AG STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 40V 55A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x | auf Bestellung 7211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL120NH02V | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| STL125N10F8AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V, 4.6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL125N10F8AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL125N10F8AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL125N10F8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL125N10F8AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V, 4.6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL125N10F8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL125N10LF8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL125N8F7AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL125N8F7AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P | auf Bestellung 2906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL125N8F7AG | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL128D | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 700mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 65 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL128D | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 400V 4A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL128D | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT High volt fast switching NPN power transistor | auf Bestellung 1492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL128DFP | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 700mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220FP Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL128DN | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 Power - Max: 60 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 250µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL128DNFP | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220FP Power - Max: 28 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-220FP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 250µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12HN65M2 | STMicroelectronics | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N3LLH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30V 0.0079 Ohm 12A STripFET V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H | auf Bestellung 3313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL12N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N60M6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6.4A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N60M6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6.4A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.62 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 0.42 Ohm 8.5A MDmesh M5 | auf Bestellung 3073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12P6F6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12P6F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V | auf Bestellung 3319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL12P6F6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI | auf Bestellung 4887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL12P6F6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12P6F6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12P6F6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL12P6F6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL12P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL12P6F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N4LF8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel logic level 40 V, 2.3 mOhm max., 124 A STripFET F8 Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL130N4LF8 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL130N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 124 A, 3300 µohm, PowerFLAT 3.3x3.3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Verlustleistung: 64W Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 40V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 124A usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 89 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL130N4LF8 | STMicroelectronics | STL130N4LF8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL130N4LF8 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL130N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 124 A, 3300 µohm, PowerFLAT 3.3x3.3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: - Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: PowerFLAT 3.3x3.3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 2888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 2888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p | auf Bestellung 19979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 2883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII | auf Bestellung 7014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V | auf Bestellung 9986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL130N8F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 2883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL131A120CH | Eaton Electrical | Power Meters & Energy Meters 20A,13T METER SOCKET W/ PREWIRED TEST SW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL135N8F7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL135N8F7AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET | auf Bestellung 3111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL135N8F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL135N8F7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL135N8F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL13DP10F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 62.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL13DP10F6 | STMicroelectronics | MOSFET LGS LV MOSFET | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL13N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL13N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL13N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL13N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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