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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK11835MTBTOKO2004
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11840L-G
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TK11840LTLTOKO3 SMD-6
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TK11840LTL-GTOKO09+
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TK11850L
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TK11850LTLTOKO
auf Bestellung 7200 Stücke:
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TK11850LTL-G
auf Bestellung 2591 Stücke:
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TK11851L
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TK11851LTLTOKO
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TK11851LTL-GTOKOSOT23L-8
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TK11855FTLTOKO
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TK11855FTL-GTOKO08+
auf Bestellung 808 Stücke:
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TK11859FTL-G
auf Bestellung 1940 Stücke:
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TK11860B-GTOKO2005
auf Bestellung 300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11860BTBTOKO
auf Bestellung 13200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11880FTL-G
auf Bestellung 1150 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11880FTL-G IC
Produktcode: 98712
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8542 39 90 00
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TK11891FTL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11891FTL-GTOKO2006PB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11893AM8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11900TOKO
auf Bestellung 2610 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11900M
auf Bestellung 195 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11900MTL/GOTOKO
auf Bestellung 6396 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11927MTL
auf Bestellung 1295 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11930TOKO99
auf Bestellung 7757 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11932T
auf Bestellung 500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11932-AOF09B06TLTOKO
auf Bestellung 6410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11932MTLTOKO02+ SOP6
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11950TOKO
auf Bestellung 12700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11950MTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK119AABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 3.5 INCH COUPLING,COMP.,EMT,STL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK119A-RTABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 3 1/2 IN RAINTIGHT COMPRESSION CPL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK119OOMTL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A45D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 450V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.48 EUR
100+2.28 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
50+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A55D
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60DToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(LBS1CN,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(LBS1TY,QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(S4SH6,Q,MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(S4SHN,Q,MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(S4TETV,XMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(S4TETV,XSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(S5TETV,XMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 11A 600V 45W 1550pF 0.65
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60D,S5Q(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A60DR(STA4,X,SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65DToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65WToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.37 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.8 EUR
2500+1.73 EUR
5000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK11A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.33 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65W,S5X(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65WS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11A65WS5X(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
143+1.2 EUR
144+1.17 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
143+1.18 EUR
144+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
114+1.89 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
93+2.51 EUR
114+1.89 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.78 EUR
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TK11P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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TK11P65WRQ(SToshibaMOSFETs
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TK11S.9TekoDescription: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm
Features: PCB Supports
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm)
Material: Plastic, ABS
Thickness: 0.055" (1.40mm)
Height: 2.197" (55.80mm)
Design: Cover Included
Container Type: Box
Area (L x W): 39.0in² (252cm²)
auf Bestellung 100 Stücke:
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1+45.89 EUR
10+41.29 EUR
100+36.7 EUR
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TK11S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK11S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK11S10N1L,LQToshibaMOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 2231 Stücke:
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2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.71 EUR
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK11S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
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TK11S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=65W F=1MHZ AEC-Q101
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10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.8 EUR
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK11S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
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TK12.5A
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TK1203.1
auf Bestellung 10500 Stücke:
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TK1204.1
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TK1205.1
auf Bestellung 8200 Stücke:
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TK1205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 12P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 12
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
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TK1205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
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TK12062N/A
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TK121-2.00K-0.05%CaddockThick Film Resistors - Through Hole
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TK121-2.00K-0.1%CaddockThick Film Resistors - Through Hole
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TK121-2.00K-1%CaddockThick Film Resistors - Through Hole
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TK121-20.0K-0.05%CaddockThick Film Resistors - Through Hole
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