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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
Si4214DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 7870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4214DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4214DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4214DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4214DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.5A 3.1W 23.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4214DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4214DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4216BM
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220SIQFN??
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220-A2-GMSilicon09+
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220-GMSILICONQFN??
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220A1-GMSilicon09+
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220A1GMSILICON
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220A2-GM09+
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220A2GMSILICON
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4220GMSILICON
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4226
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4226DY
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4226DY-T1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4226DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4228DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 8721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
17+1.29 EUR
100+1 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4228DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8mohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4228DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 52515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4230DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI426SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4270CY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.6W, 2.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-E3VishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-E3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4276DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4280A
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-E3
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts
auf Bestellung 4983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET N-CH 40V 5.7A 8-Pin SOIC N SI4286DY-T1-GE3 VISHAY TSI4286dy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-GE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 2,9, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 375 @ 20, Qg, нКл = 10.5 @ 10 B, Rds = 32.5 мОм @ 8 A , 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4288DY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4288DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 12915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.23 EUR
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1000+1.11 EUR
2500+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI42S16100-8T
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4300SILICONQFN??
auf Bestellung 50 Stücke:
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SI4300-BMSILICONI
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4300-E-BMSilicon LabsDescription: IC POWER AMP DUAL-BAND 20C-LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI4300-E-BMRSILICONEQFN??
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4300-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4300
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4300DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si4300DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4300DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4300T-B-BMSilicon LabsDescription: IC POWER AMP TRIPLE-BAND 20C-LGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SI4302DY
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4304DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 36A 7.8W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4304DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4304DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4304DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4308DYSILICON09+ SOP14
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4308DY-T1VISHAY03+
auf Bestellung 64589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4308DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4308DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4310BDY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
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SI4310BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
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SI4310BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTTKY DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4310BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4310DYSILICON09+ SOP14
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4310DY-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4310DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B10-GMSilicon LabsSI4311-B10-GM SI4311
Anzahl je Verpackung: 490 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B10-GMSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Data Rate (Max): 10kbps
Current - Receiving: 20mA
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: FSK
Frequency: 315MHz, 434MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -104dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B10-GMRSilicon LabsQFN 20/I°/315/434 MHZ FSK RECEIVER SI4311QFN
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B10-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 20QFN
Features: Automatic Frequency Centering (AFC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B12-GMSilicon LabsRF Receiver FSK receiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B12-GMSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Current - Receiving: 20mA
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B12-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Current - Receiving: 20mA
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B12-GMRSilicon LabsRF Receiver Sub-GHz receiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B1C-GMSilicon LabsDescription: RF TXRX ISM 20VQFN
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Data Rate (Max): 10kbps
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: FSK
Frequency: 315MHz, 434MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -104dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Features: Automatic Frequency Centering (AFC)
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B1C-GMRSilicon LabsDescription: RF TXRX ISM 20VQFN
Features: Automatic Frequency Centering (AFC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B21-GMSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Current - Receiving: 20mA
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B21-GMSilicon LabsRF Receiver FSK receiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4311-B21-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Current - Receiving: 20mA
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4311-B21-GMRSilicon LabsRF Receiver Sub-GHz receiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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