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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5658RM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658RM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 36970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.09 EUR
16000+0.082 EUR
24000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658RM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658RM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658RM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.57 EUR
432+0.38 EUR
436+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
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2SC5658T2LROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQROHMDescription: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.15A
auf Bestellung 13076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 301780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 75680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
635+0.27 EUR
673+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
8000+0.076 EUR
16000+0.073 EUR
64000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 635 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQROHMSOT-723 03+
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 296000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.17 EUR
16000+0.14 EUR
40000+0.13 EUR
80000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 15673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LRROHM10+ SOT-723
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 246077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2703+0.063 EUR
3077+0.055 EUR
8000+0.049 EUR
16000+0.045 EUR
64000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2703 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.15 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LSRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.067 EUR
16000+0.061 EUR
24000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LSRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2809+0.061 EUR
3068+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 2809 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LSROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
auf Bestellung 26224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.09 EUR
8000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5658T2LSRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 38230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
73+0.29 EUR
118+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LNROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 25V 50MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LNRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.05A VMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: VMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LNRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.05A VMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: VMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 150mW; SOT723
Collector current: 50mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 82...180
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.05A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 7748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.05A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 25V 50MA
auf Bestellung 8428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.17 EUR
1104+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC566TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661ROHMSOT723
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
auf Bestellung 28350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5661T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 18 V, 20 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 56
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.32 EUR
16000+0.3 EUR
24000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662 T2LPROHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LNRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 25517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.23 EUR
16000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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2SC5662T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1213+0.14 EUR
1255+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1213 Stücke
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2SC5662T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA
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2SC5663ROHM09+
auf Bestellung 56018 Stücke:
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2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
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2SC5663T2LRHOM10+ TO263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 22314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1495+0.12 EUR
1588+0.11 EUR
1627+0.1 EUR
2000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1495 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.24 EUR
16000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1NEC05+ SOP-8
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1-AZNECSOP8
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1SOP8NEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5667NECSOT523
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5667-T1NECSOT-423
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5669Rochester Electronics, LLCDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC567TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5674-T3-ANEC
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5676-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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2SC5676-T1-ARENESASSOT23/SOT323
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5679-01MRFUJ03+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC568NEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5681onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2SC5681-CA
auf Bestellung 30900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5686 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31115
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PanasonicTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TOP-3M
Transitfrequenz fT: 3 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 2000 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 2000 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Stromverstärkung h21: 10
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC569TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 8985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+0.38 EUR
676+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692/WBTOSHIBA09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692\WBTOSHIBASOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5694SANAYOTO-126F
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5694 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 41808
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5696-SONY-CAonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5698-CAonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5698-SONY-CAonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC57NECCAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC570TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5700WBHITACHI09+
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5703ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5703(TE85L,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5703(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.88 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706onsemi BIP NPN 5A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706 [TO-251] (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 42550
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-251
Transitfrequenz fT: 400 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 560
Montage: THT
auf Bestellung: 16 St.
  • 16 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.39 EUR
10+1.24 EUR
100+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706 [TO-252] (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 42549
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: I-Pak
Transitfrequenz fT: 400 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 560
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.86 EUR
10+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-EON Semiconductor
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5706-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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