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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5659T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.05A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 150mW; SOT723
Collector current: 50mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 82...180
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5659T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.17 EUR
1104+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC566TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661ROHMSOT723
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
auf Bestellung 28350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5661T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 18 V, 20 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 56
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5661T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.32 EUR
16000+0.3 EUR
24000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662 T2LPROHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LNRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 25517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.23 EUR
16000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1213+0.14 EUR
1270+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5662T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663ROHM09+
auf Bestellung 56018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 22314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1495+0.12 EUR
1588+0.11 EUR
1627+0.1 EUR
2000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 1495 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRHOM10+ TO263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.24 EUR
16000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5663T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1NEC05+ SOP-8
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1-AZNECSOP8
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5664-E1SOP8NEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5667NECSOT523
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5667-T1NECSOT-423
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5669Rochester Electronics, LLCDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC567TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5674-T3-ANEC
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5676-T1-ARENESASSOT23/SOT323
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5676-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5679-01MRFUJ03+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC568NEC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5681onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5681-CA
auf Bestellung 30900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5686 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31115
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PanasonicTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TOP-3M
Transitfrequenz fT: 3 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 2000 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 2000 V
Kollektorstrom Ic, A: 20 A
Stromverstärkung h21: 10
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC569TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 8985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+0.39 EUR
676+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692/WBTOSHIBA09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5692\WBTOSHIBASOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5694SANAYOTO-126F
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5694 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 41808
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5696-SONY-CAonsemionsemi
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2SC5698-CAonsemionsemi
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2SC5698-SONY-CAonsemionsemi
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2SC57NECCAN
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2SC570TOSHIBA
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2SC5700WBHITACHI09+
auf Bestellung 3418 Stücke:
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2SC5703ToshibaArray
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2SC5703(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.9 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
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2SC5703(TE85L,F)ToshibaToshiba
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2SC5706 [TO-251] (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 42550
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-251
Transitfrequenz fT: 400 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 560
Montage: THT
auf Bestellung: 16 St.
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1+1.39 EUR
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2SC5706 [TO-252] (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 42549
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: I-Pak
Transitfrequenz fT: 400 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 560
Montage: SMD
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1+0.86 EUR
10+0.75 EUR
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2SC5706-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.07 EUR
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2SC5706-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC5706-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5706-EON Semiconductor
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5706-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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2SC5706-G-T1SANYO
auf Bestellung 1400 Stücke:
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2SC5706-G-TLSANYO5H12W5H2
auf Bestellung 5933 Stücke:
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2SC5706-G-TL-ESANYO09+ TSSOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2SC5706-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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2SC5706-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2SC5706-L-TL-LSANYO
auf Bestellung 700 Stücke:
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2SC5706-P-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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2SC5706-P-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SC5706-P-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2SC5706-P-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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2SC5706-PMSANYO09+
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5706-T-TL-E
auf Bestellung 42820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5706-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 26431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
700+1.05 EUR
1400+0.95 EUR
2100+0.9 EUR
4900+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC5706-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SC5706-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
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2SC5706-TL-ESONYO08+PB
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 19531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2SC5706-TL-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
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2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.14 EUR
1400+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SC5706-TL-HonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
700+1.15 EUR
1400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
93+2.51 EUR
138+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.54 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
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2SC5707onsemi BIP NPN 8A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5707SanyoTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
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2SC5707SanyoTransistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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