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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFBC40LCPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCSVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.18 EUR
68+2.13 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.07 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.12 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.2 EUR
68+2.1 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.5 EUR
71+2.06 EUR
100+1.89 EUR
250+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.17 EUR
50+2.59 EUR
100+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
48+1.5 EUR
57+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 6,2 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.58 EUR
100+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.17 EUR
50+2.59 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+2.16 EUR
100+1.83 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.5 EUR
5000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40S
Produktcode: 126138
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SPBFVishayIRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.89 EUR
10+5.88 EUR
100+4.28 EUR
500+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SPBFVishayIRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.64 EUR
10+5.77 EUR
100+4.14 EUR
500+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.61 EUR
10+5.73 EUR
100+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRLPBFIR
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40STRRVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC40_R4943onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC42HARRISIRFBC42
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.05 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC42Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC42-003
auf Bestellung 10545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC42RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC50PBF
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE20
Produktcode: 58305
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 800
Idd,A: 01.08.2015
Rds(on), Ohm: 06.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
JHGF: THT
verfügbar: 5 St.
    1+0.98 EUR
    10+0.84 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20SiliconixN-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 34 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 64 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1306 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+4.84 EUR
    50+2.42 EUR
    100+2.18 EUR
    500+1.77 EUR
    1000+1.64 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 800V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 54W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 224 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 18207 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.52 EUR
    10+1.65 EUR
    100+1.39 EUR
    500+1.22 EUR
    1000+1.09 EUR
    2000+0.98 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 741 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    110+1.34 EUR
    115+1.26 EUR
    500+1.21 EUR
    Mindestbestellmenge: 110 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 750 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    97+1.51 EUR
    110+1.29 EUR
    115+1.19 EUR
    500+1.12 EUR
    Mindestbestellmenge: 97 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30SiliconixN-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 58 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    10+3.13 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30
    Produktcode: 23059
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 800
    Idd,A: 04.01.2015
    Rds(on), Ohm: 3
    Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
    JHGF: THT
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+1.54 EUR
    10+1.26 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Tube
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30(MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
    auf Bestellung 17920 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+5.74 EUR
    10+2.62 EUR
    100+2.32 EUR
    500+2.06 EUR
    1000+2.01 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 800V
    Drain current: 2.6A
    Pulsed drain current: 16A
    Power dissipation: 125W
    Case: I2PAK; TO262
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 3Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 78nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRFBE30LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: I2PAK
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    auf Bestellung 968 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.4 EUR
    50+2.72 EUR
    100+2.46 EUR
    500+2 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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    IRFBE30LPBFMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори
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    IRFBE30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1108 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+6.48 EUR
    50+3.3 EUR
    100+2.99 EUR
    500+2.45 EUR
    1000+2.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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    IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 87 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    58+2.52 EUR
    59+2.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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    IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    55+2.68 EUR
    56+2.56 EUR
    100+1.9 EUR
    500+1.81 EUR
    1000+1.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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    IRFBE30PBFIRFBE30PBF Транзисторы
    auf Bestellung 11 Stücke:
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    IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    54+2.71 EUR
    55+2.59 EUR
    100+1.93 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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    IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    53+2.8 EUR
    61+2.4 EUR
    100+2.07 EUR
    250+1.72 EUR
    500+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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    IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1743 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    55+2.68 EUR
    56+2.61 EUR
    100+1.97 EUR
    500+1.91 EUR
    1000+1.82 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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    IRFBE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1133 Stücke:
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    1+4.54 EUR
    10+2.9 EUR
    100+2.22 EUR
    500+2.13 EUR
    2000+2.11 EUR
    5000+2.08 EUR
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    IRFBE30PBF
    Produktcode: 15766
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    		VishayTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 800
    Idd,A: 03.01.2015
    Rds(on), Ohm: 3
    Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
    JHGF: THT
    verfügbar: 3 St.
      1+1.13 EUR
      10+0.98 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 128 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFBE30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
      Produkt ist nicht verfügbar
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      IRFBE30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 800V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: -
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 125W
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      Kanaltyp: n-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
      SVHC: Lead (04-Feb-2026)
      auf Bestellung 900 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
      auf Bestellung 496 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      54+2.71 EUR
      55+2.64 EUR
      100+2 EUR
      Mindestbestellmenge: 54 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFBE30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 800V
      Drain current: 2.6A
      Pulsed drain current: 16A
      Power dissipation: 125W
      Case: TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 3Ω
      Mounting: THT
      Gate charge: 78nC
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 526 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      38+1.93 EUR
      43+1.69 EUR
      50+1.46 EUR
      100+1.3 EUR
      250+1.1 EUR
      500+0.97 EUR
      Mindestbestellmenge: 38 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFBE30PBF-VIS09+ SOP8
      auf Bestellung 2500 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      rohsCompliant: YES
      euEccn: NLR
      isCanonical: Y
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      usEccn: EAR99
      auf Bestellung 1000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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