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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFBA22N50AТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50AVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 24 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: Super-220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA22N50APBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 500V 24 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA35N60CInternational RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA3803PIR2003 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DInternational RectifierIRFBA 90 N 20 D SUPER220 IRF Транзистори
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IRFBA90N20DHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-273AA Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBA90N20DPBF
Produktcode: 48871
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFBA90N20DPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBA90N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-273AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBADBOYIOR2007
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20International RectifierN-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20LPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LPBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.05 EUR
100+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF
Produktcode: 34302
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.9 EUR
63+1.36 EUR
68+1.26 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
100+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.19 EUR
50+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.57 EUR
115+1.46 EUR
134+1.21 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
171+1 EUR
174+0.96 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
79+2.95 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.57 EUR
115+1.5 EUR
134+1.26 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
2000+1.01 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
auf Bestellung 6862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.32 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
50+3.17 EUR
100+2.86 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBF
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.33 EUR
500+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30STMicroelectronicsMOSFETs
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IRFBC30
Produktcode: 18143
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 475/16.5
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+1.02 EUR
10+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30SiliconixN-MOSFET 3.6A 600V 74W 2.2Ω IRFBC30 TIRFBC30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30(94-4966)
auf Bestellung 9750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30A
Produktcode: 106982
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.01 EUR
100+2.24 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
66+3.52 EUR
100+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.81 EUR
50+3.71 EUR
100+3.36 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.7 EUR
42+2.06 EUR
53+1.62 EUR
70+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.81 EUR
100+3.37 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBF-BE3VishayPower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
auf Bestellung 4529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC30ASPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 3.6 Amp
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.69 EUR
100+2.73 EUR
500+2.48 EUR
5000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
50+4.05 EUR
100+3.67 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30ASTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBC30LIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBC30LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBC30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBC30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBC30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3 EUR
100+2.12 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.37 EUR
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IRFBC30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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IRFBC30PBF
Produktcode: 133046
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 3,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/31
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
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IRFBC30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRFBC30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBC30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBC30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
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1+6.26 EUR
10+4.63 EUR
100+3.53 EUR
250+3.09 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.57 EUR
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IRFBC30SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFBC30SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC30SPBF
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IRFBC30SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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