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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC6026CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 100 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1137+0.21 EUR
1471+0.15 EUR
1786+0.12 EUR
2128+0.1 EUR
2632+0.081 EUR
5000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3F(TToshiba2SC6026CT-GR,L3F(T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1210+0.14 EUR
1323+0.13 EUR
1541+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
10000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 100 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
676+0.35 EUR
1086+0.2 EUR
1603+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVTOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 11270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-GR(TPL3ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
11+0.33 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.065 EUR
2500+0.057 EUR
8000+0.042 EUR
48000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
114+0.18 EUR
185+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
3226+0.067 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVG,L3XG(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVG,L3XG(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2733+0.064 EUR
2740+0.063 EUR
3206+0.052 EUR
8000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 2733 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
167+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
2000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT VESM PLN
auf Bestellung 35104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
13+0.26 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.067 EUR
2500+0.057 EUR
8000+0.044 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.055 EUR
16000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3F(BToshiba2SC6026MFVGR,L3F(B
auf Bestellung 7619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4150+0.043 EUR
5000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3F(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2986+0.06 EUR
3258+0.054 EUR
3268+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 2986 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6027-QROHMSOT89
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC602N
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC603NEC
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6033ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6033(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 1000mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
755+0.24 EUR
805+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 755 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6033(TE85L,F)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6034TOSHIBA
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC603600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC603600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6036G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6036G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6037J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6037J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC604NEC
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6042(TPF2QM)ToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6042,T2HOSH1Q(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 375V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6042,T2WNLQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 375V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6043 - 2SC6043, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 8348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1004+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 9348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1513+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6043-AE - 2SC6043-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6044-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6044-TD-E - 2SC6044 - BIPOLAR NPN TRANSISTO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6044-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1817+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6046KESENES09+
auf Bestellung 87867 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC605
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2SC6054G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
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2SC6054G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
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2SC6054G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
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2SC6054J0LPANASONICSOT23
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2SC6054J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
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2SC6054J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
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2SC6054JSLPANASONICSOT-523 06+
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2SC606
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2SC6061TOSHIBASOT-23
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2SC6061ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC6061(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 120V 1A 625mW 3-Pin TSM T/R
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541+0.32 EUR
561+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.27 EUR
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2SC6061(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 120V 1A TSM
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2SC6061(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 120V 1A 625mW 3-Pin TSM T/R
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316+0.63 EUR
575+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
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2SC6061(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 120V 1A 625mW 3-Pin TSM T/R
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC6061(TE85LF)ToshibaBipolar Transistors - BJT 2-3S1C 180V 1A NPN EPITAXIAL
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2SC607NECCAN
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2SC6074PANASONIC0710+ROHS
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2SC6076(TE16L1,NV)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SC6076(TE16L1,NV)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2SC6076(TE16L1,NV)ToshibaTrans GP BJT NPN 80V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 3952 Stücke:
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173+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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2SC6076(TE16L1,NV)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pwr Transtr Hi-Speed New PW-Mold
auf Bestellung 15707 Stücke:
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4+1.05 EUR
10+0.89 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
24000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SC608PAN99
auf Bestellung 5930 Stücke:
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2SC6081SANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: TRANS NPN 50V 5A TO-220ML
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SC6082onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
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2SC6082
auf Bestellung 500 Stücke:
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2SC6082onsemiDescription: TRANS NPN 50V 15A TO-220ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SC6082-1EONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 15A; 2W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Frequency: 195MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC6082-1EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SC6082-1EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3SG
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SC6082-1E
Produktcode: 176225
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC6082-1EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SC6082-1EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
auf Bestellung 6556 Stücke:
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1+4.08 EUR
10+2.26 EUR
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2SC6082-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6082-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 15 A, 23 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 195MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
111+2.09 EUR
123+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2SC6082-1EXonsemiDescription: BIP NPN 15A 50V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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2SC6082-EPN-1EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SC6082-EPN-1EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.53 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
750+1.31 EUR
3000+1.24 EUR
5250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC6082-EPN-1EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3SG
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6084Sanyo Electric2SC6084
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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2SC6084SanyoDescription: TRANS NPN 800V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 540mA, 2.7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6089-CAON Semiconductor2SC6089-CA
auf Bestellung 11390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
10000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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2SC6089-CAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6089-CA - 2SC6089-CA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6089-CAON Semiconductor2SC6089-CA
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6089-CAonsemiDescription: BIP NPN 10A 700V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 15390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
271+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC609
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC6090 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 34462
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6091ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6091 - 2SC6091, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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