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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC601NEC
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6010(T2MITUM,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 600V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 200V 15A TO-3P
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
30+6.24 EUR
120+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011ASanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011AEVVODescription: AUDIO AMPLIFICATION TRANSISTOR T
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3PN
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 0.5A, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.66 EUR
30+7.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011A
Produktcode: 152092
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011ASPTECHTrans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Transistor set with 2SA2150A ; Complementary to 2SA2151A 2SC6011A T2SC6011a
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6014-TD-EonsemiDescription: BIP NPN 5A 30V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+22.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6014-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6014-TD-E - 2SC6014 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 30V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+26.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6016-TD-ESanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
283+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017onsemi BIP NPN 10A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-E
Produktcode: 107502
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 52366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.83 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.74 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-H-TL-ESanyo Electric2SC6017-H-TL-E
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-H-TL-ESanyoDescription: TRANS NPN 50V 10A DPAK/TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
910+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EON Semiconductor
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
126+1.86 EUR
178+1.21 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
126+1.86 EUR
178+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EXonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EXON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC601N
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC602NEC
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6023-TR-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6023-TR-E - 2SC6023 - NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6023-TR-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 14.5GHZ 4-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 9.5dB ~ 11dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3030+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6024-TL-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 14GHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 9dB ~ 10.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6024-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6024-TL-E - 2SC6024-TL-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1194+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GRToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3F(TToshiba2SC6026CT-GR,L3F(T
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1210+0.14 EUR
1323+0.13 EUR
1541+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 100 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
676+0.35 EUR
1086+0.2 EUR
1603+0.13 EUR
1812+0.12 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 100 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1137+0.21 EUR
1471+0.15 EUR
1786+0.12 EUR
2128+0.1 EUR
2632+0.081 EUR
5000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CTGRTPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVTOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 11270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-GR(TPL3ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC6026MFV-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
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2SC6026MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
114+0.18 EUR
185+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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2SC6026MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC6026MFV-Y,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR50V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
11+0.33 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.065 EUR
2500+0.057 EUR
8000+0.042 EUR
48000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2SC6026MFV-Y,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC6026MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
3226+0.067 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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2SC6026MFVG,L3XG(TToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVG,L3XG(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2733+0.063 EUR
2740+0.062 EUR
3206+0.051 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2733 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.055 EUR
16000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC6026MFVGR,L3FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC6026MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
167+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
2000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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2SC6026MFVGR,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT VESM PLN
auf Bestellung 35104 Stücke:
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9+0.39 EUR
13+0.26 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.067 EUR
2500+0.057 EUR
8000+0.044 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2SC6026MFVGR,L3F(BToshiba2SC6026MFVGR,L3F(B
auf Bestellung 7619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4150+0.042 EUR
5000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4150 Stücke
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2SC6026MFVGR,L3F(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2986+0.057 EUR
3258+0.052 EUR
3268+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 2986 Stücke
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2SC6027-QROHMSOT89
auf Bestellung 2800 Stücke:
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2SC602N
auf Bestellung 3550 Stücke:
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2SC603NEC
auf Bestellung 21200 Stücke:
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2SC6033ToshibaToshiba
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2SC6033(TE85L,F)ToshibaToshiba
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2SC6033(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 1000mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
755+0.23 EUR
805+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 755 Stücke
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2SC6034TOSHIBA
auf Bestellung 180000 Stücke:
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2SC603600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
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2SC603600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
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2SC6036G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
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2SC6036G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3
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2SC6037J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI3
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2SC6037J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI3
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2SC604NEC
auf Bestellung 5600 Stücke:
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2SC6042(TPF2QM)ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC6042,T2HOSH1Q(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 375V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6042,T2WNLQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 375V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6043 - 2SC6043, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SC6043onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC6043onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
auf Bestellung 9348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1513+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6043-AE - 2SC6043-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6043-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 8348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1004+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6044-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6044-TD-E - 2SC6044 - BIPOLAR NPN TRANSISTO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6044-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1817+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6046KESENES09+
auf Bestellung 87867 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC605
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054J0LPANASONICSOT23
auf Bestellung 855127 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6054JSLPANASONICSOT-523 06+
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC606
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6061TOSHIBASOT-23
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC6061ToshibaBipolar Transistors - BJT
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