Produkte > FDC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| FDC602P_F095 | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6036P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6036P | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC6036P/.036 | FAIR | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC6036P_F077 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 P-CH | auf Bestellung 7738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 3575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P | ONS/FAI | аналог IRLMS4502TR Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 3575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P-NL | FAIRCHIL | 09+ QFP | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P/604 | FAIR | auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC604P_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC605N | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC606P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V | auf Bestellung 53514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC606P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperSOT-3 | auf Bestellung 7589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 3434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V | auf Bestellung 53500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC606P Produktcode: 128958
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| FDC606P | onsemi | MOSFETs SuperSOT-3 | auf Bestellung 9421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 3434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC606P_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V | auf Bestellung 9189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 156932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 14544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | onsemi | MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 146171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 14544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ .608Z | ON-Semiconductor | P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDC608PZ-F171 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC608PZ-F171 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 510149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ-F171 | ON Semiconductor | FDC608PZ-F171 | auf Bestellung 681149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC608PZ-F171 | onsemi | Description: FDC608PZ - P-CHANNEL POWERTRENCH Packaging: Bulk | auf Bestellung 681149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC610PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | Fairchild/ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1005 @ 15, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC610PZ | onsemi | MOSFETs -30V P-CHANNEL | auf Bestellung 90549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm | auf Bestellung 8009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ-G | ON Semiconductor | FDC610PZ-G | auf Bestellung 2694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ-G | ON Semiconductor | FDC610PZ-G | auf Bestellung 320053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ-G | ON Semiconductor | FDC610PZ-G | auf Bestellung 2594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ-G | onsemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC610PZ-PG | onsemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC610PZ-PG | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC610PZ-PG - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC610PZ_PG | ON Semiconductor | FDC610PZ-PG | auf Bestellung 5050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301 | FAIRCHILD | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6301N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 38203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6301N | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N | onsemi | MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V | auf Bestellung 8149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC6301N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 220 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 850 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N-NL | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC6301N.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6301N/301 | FAIRCHLD | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6301N_G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6301N_NL | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
