Produkte > FDC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| FDC5614P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5614P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5614P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 323960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5614P .564 | ON-Semiconductor | P-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω FDC5614P TFDC5614P Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDC5614P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5614P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-6 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC5614P-G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5614P-NL | FAIRCHILD | SOT-163 05+ | auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5614P_D87Z | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC563N | auf Bestellung 1426 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC5661N | ON Semiconductor | MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N | onsemi | Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC5661N | onsemi | Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N | onsemi | MOSFETs FET 60V 500 MOHM SSOT6 | auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N-F085 | ONN | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Trans N-Ch 60V 4.3A | auf Bestellung 92911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: SuperSOT™-6 | auf Bestellung 11059 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5661N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC5661N-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC5XPRCA02H132X | Conec | Description: CONN D-SUB PLUG 50POS VERT SLDR Shell Size, Connector Layout: 5 (DD, D) Shell Material, Finish: Steel, Tin Plated Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Connector Style: D-Sub Termination: Solder Flange Feature: Board Side (4-40) Contact Type: Signal Number of Rows: 3 Number of Positions: 50 Mounting Type: Through Hole Contact Finish: Gold Connector Type: Plug, Male Pins Features: Filter, Grounding Indents Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC5XPRCA02H132X | CONEC | D-Sub Standard Connectors 50P Solder pin Str 1300pf | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6000NZ | FSC | SSOT-6 07+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6000NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6000NZ_F077 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C | FAIRCHIL | SOT-163 10+ | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Complementary PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C-NL | FAIRCHLD | SOT163 10+ | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C/.020 | FAIR | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC6020C_F077 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6020C_F077 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Complementary PwrTrh | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 17389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | auf Bestellung 22110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | auf Bestellung 4794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | auf Bestellung 22110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | onsemi | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V | auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC602P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC602P_F095 | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6036P | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC6036P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6036P/.036 | FAIR | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC6036P_F077 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 29910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ONS/FAI | аналог IRLMS4502TR Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 29910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 7668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 P-CH | auf Bestellung 7738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 4297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 4297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 7668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P | onsemi | MOSFETs SSOT-6 P-CH | auf Bestellung 7537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC604P-NL | FAIRCHIL | 09+ QFP | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC604P/604 | FAIR | auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC604P_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| FDC605N | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDC606P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 25nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -12V | auf Bestellung 2055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | onsemi | MOSFETs SuperSOT-3 | auf Bestellung 9421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V | auf Bestellung 26971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P Produktcode: 128958
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| FDC606P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperSOT-3 | auf Bestellung 7589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC606P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
