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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF3N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
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FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
auf Bestellung 450 Stücke:
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330+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
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FQPF3N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
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FQPF3N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
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FQPF3N80ON SemiconductorFQPF3N80
auf Bestellung 674 Stücke:
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330+2.02 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
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FQPF3N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
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FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 16805 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF3N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
auf Bestellung 1481 Stücke:
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1+5.46 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.21 EUR
50+2.45 EUR
100+2.21 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8200 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.31 EUR
103+1.67 EUR
104+1.59 EUR
106+1.5 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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FQPF3N80CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 96000 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 695 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1313 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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FQPF3N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 68579 Stücke:
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276+2.43 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.3 EUR
104+1.69 EUR
105+1.64 EUR
107+1.57 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FQPF3N80C
Produktcode: 188274
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQPF3N80CYDTUFAIRCHILDFQPF3N80CYDTU
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+1.86 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3N80CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
509+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 509 Stücke
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FQPF3N80CYDTUFAIRCHILDFQPF3N80CYDTU
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
auf Bestellung 3838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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FQPF3N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 53159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
167+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.2 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90
Produktcode: 88432
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90ON SemiconductorFQPF3N90
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.2 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90_NLonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3N90_NLonsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 900V 2.1A 3-Pin 3+Tab
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF3P20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1145+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P20FAIRCHILDFQPF3P20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P20FAIRCHILDFQPF3P20
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P50
Produktcode: 130288
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P50FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF3P50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF44N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF44N08TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF44N08T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
501+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF44N08TFAIRCHILDFQPF44N08T
auf Bestellung 2667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF44N08TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
auf Bestellung 2667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
284+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF44N10FAIRCHIL08+ CDIP-14
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 27A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 45
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.13 EUR
49+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF45N15V2onsemi / FairchildMOSFETs N-CH/150V/45A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.22 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.22 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.22 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
auf Bestellung 6151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.22 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF46N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF46N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.84 EUR
53+3.36 EUR
100+3.17 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 7420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+4.44 EUR
100+3.67 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+3.01 EUR
100+2.78 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 10096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+6.21 EUR
50+4.86 EUR
100+4.41 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.6 EUR
57+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06YDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF47P06YDTUonsemi / FairchildMOSFET -60V -30A P-Channel
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+5.78 EUR
25+5.45 EUR
100+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
auf Bestellung 15902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1233+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.69 EUR
1053+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.69 EUR
1053+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.69 EUR
1053+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 971 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
634+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 634 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60FAIRCHILDFQPF4N60
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.82 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 4775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
293+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60FAIRCHILDFQPF4N60
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60FAIRCHILDFQPF4N60
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N60CFAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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FQPF4N80FAIRCHILDFQPF4N80
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FQPF4N80ONS/FAIN-Channel, 800 V, 2.2 A, TO-220F Транзистори
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FQPF4N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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FQPF4N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
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