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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 69138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
834+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
1719+0.12 EUR
1954+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 42762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214DW1T1GOn SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1/8D
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...140
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1273+0.18 EUR
1687+0.13 EUR
2646+0.081 EUR
3059+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 27009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
9000+0.075 EUR
27000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1684+0.1 EUR
2342+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 1684 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 37901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
185+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
981+0.25 EUR
1370+0.17 EUR
2223+0.096 EUR
2942+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 981 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1684+0.1 EUR
2342+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1684 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215D
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
auf Bestellung 72520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5215DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 72520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1ON07+;
auf Bestellung 13520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1(7E)
auf Bestellung 6680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1/7EY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.069 EUR
9000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 16480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.39 EUR
440+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.38 EUR
681+0.24 EUR
1469+0.11 EUR
1578+0.098 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
9000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 16480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.39 EUR
438+0.38 EUR
439+0.35 EUR
440+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4033+0.043 EUR
12000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4033 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 160...350
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1G
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1469+0.12 EUR
1578+0.11 EUR
3000+0.064 EUR
9000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.38 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.065 EUR
15000+0.056 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.069 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DWITIMOTO
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215DWT1
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215T1LRCSOT-323 03+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5215T1 - MUN5215T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215T1GON07+;
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
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MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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6061+0.027 EUR
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MUN5215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
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MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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5953+0.029 EUR
6061+0.027 EUR
9000+0.025 EUR
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MUN5216
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MUN5216onsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5216/8FON09+
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MUN5216DW1onsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V
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MUN5216DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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MUN5216DW1T1
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MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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MUN5216DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4985 Stücke:
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500+0.55 EUR
747+0.31 EUR
1190+0.18 EUR
1764+0.12 EUR
2021+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MUN5216DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
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7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5216DW1T1GON07+;
auf Bestellung 39000 Stücke:
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MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5216DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.55 EUR
747+0.31 EUR
1190+0.18 EUR
1764+0.12 EUR
2021+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
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MUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 26881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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MUN5216T1PANASONIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
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MUN5216T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8153+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 8153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5216T1 - MUN5216T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5216T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 339320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 4609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.048 EUR
9000+0.044 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
109+0.19 EUR
178+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 59000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1G
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.051 EUR
15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5216\8FONSOT-323
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5217DW1T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5230DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
800+0.29 EUR
1204+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1270+0.13 EUR
1852+0.092 EUR
3000+0.073 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5230DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5230DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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